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AOD7N65/AOI7N65
650V ,7A N沟道MOSFET
概述
使用的AOD7N65 & AOI7N65已经制造
其被设计先进的高电压MOSFET工艺
提供高水平的性能和鲁棒性
流行的AC- DC应用。
通过提供低R
DS ( ON)
, C
国际空间站
和C
RSS
随着
雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源
设计。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
750V@150℃
7A
< 1.56Ω
100 % UIS测试!
100% R
g
测试了!
TO252
DPAK
顶视图
底部视图
D
D
顶视图
TO251A
IPAK
底部视图
D
S
S
G
AOD7N65
G
G
D
S
S
G
D
G
S
AOI7N65
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
B
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
H
C
最大
650
±30
7
4.3
23
3.1
144
288
5
178
1.4
-50-150
300
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
功耗
B
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A,G
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
D,F
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
典型
45
-
0.5
最大
55
0.5
0.7
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
冯0 : 2012年2月
www.aosmd.com
第1页6
AOD7N65/AOI7N65
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
780
V
GS
=0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
60
4
1.5
15
V
GS
=10V, V
DS
= 520V ,我
D
=7A
982
86
7
3.2
19.6
4.6
8.2
26
V
GS
=10V, V
DS
= 325V ,我
D
=7A,
R
G
=25
I
F
=7A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
290
3.4
43
53
32
365
4.3
440
5.4
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V ,T
J
=25°
C
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V ,T
J
=150°
C
ID = 250μA , VGS = 0V
V
DS
=650V, V
GS
=0V
V
DS
= 520V ,T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ,我
D
=250A
V
GS
= 10V ,我
D
=3.5A
V
DS
= 40V ,我
D
=3.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.3
3.9
1.2
7
0.72
1
7
23
1180
115
10
5
24
650
750
0.67
1
10
±100
4.5
1.56
V
V/
o
C
A
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
参数
条件
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=7A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150 ℃,在一个TO252封装,使用结到外壳的热阻,并且是更有益
设置上功耗限制,需要额外的散热使用情况。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设一个
的T最大结温
J(下最大)
=150°C.
G.These测试与安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
H. L = 60mH ,我
AS
= 3.1A ,V
DD
= 150V ,R
G
= 10Ω ,起始物为
J
=25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
冯0 : 2012年2月
www.aosmd.com
第2 6
AOD7N65/AOI7N65
典型的电气和热特性
12
10V
10
6.5V
8
I
D
(A)
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
2.4
归一化的导通电阻
2.1
1.8
R
DS ( ON)
()
1.5
1.2
0.9
0.6
0
3
6
9
12
15
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
V
GS
=10V
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-100
50
100
150
200
温度( δ
C)
图4 :导通电阻与结温
-50
0
V
GS
=10V
I
D
=3.5A
6V
I
D
(A)
10
125°C
1
25°C
V
DS
=40V
-55°C
100
5.5V
V
GS
=5V
0.1
2
6
8
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
4
10
1.2
I
D
=30A
1E+02
1E+01
BV
DSS
(归一化)
1.1
1E+00
1
I
S
(A)
125°
1E-01
1E-02
0.9
25°
1E-03
1E-04
-100
-50
0
50
(
o
C)
100
150
200
40
125°C
25°C
0.8
T
J
图5 :分解与结温
0
0.4
0.6
0.8
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
0.2
1
冯0 : 2012年2月
www.aosmd.com
第3页6
AOD7N65/AOI7N65
典型的电气和热特性
15
V
DS
=520V
I
D
=3.5A
电容(pF)
10000
C
国际空间站
1000
C
OSS
100
C
RSS
10
3
12
V
GS
(伏)
9
6
0
0
15
20
25
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
5
10
30
1
0.1
10
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
1
100
100
1000
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
10
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
10s
功率(W)的
100s
800
600
1
DC
1ms
10ms
400
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
0.01
1
10
100
1000
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
200
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.7°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
单脉冲
0.01
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
P
D
T
on
T
1
10
100
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
冯0 : 2012年2月
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第4 6
AOD7N65/AOI7N65
典型的电气和热特性
200
8
功耗( W)
160
额定电流我
D
(A)
0
25
50
75
100
125
150
6
120
4
80
40
2
0
T
C)
图12 :功率降容(注二)
0
0
75
100
125
T
C)
图13 :电流降评级(注二)
25
50
150
400
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
300
功率(W)的
200
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图14 :单脉冲功率额定值结到环境(注七)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图15 :归最大瞬态热阻抗(注G)
T
on
T
冯0 : 2012年2月
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AOD7N65
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AOD7N65
AOS
21+
17500
TO252
只做原装实单申请
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
AOD7N65
AOS
5000
22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881724897 复制

电话:0755-82525087
联系人:肖
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
AOD7N65
AOS
21+
10000
TO-252
原装正品,特价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AOD7N65
AOS
21+
18600
TO-252
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1115451969 复制

电话:13316817713
联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6楼
AOD7N65
AOS
24+
9850
TO-252
进口原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
AOD7N65
AOS
25+
32560
SOT-252
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1240061890 复制
电话:0755-82723916/82731800
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华发北路华发大厦517A-C
AOD7N65
AOS
24+
5000
TO-252
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
AOD7N65
AOS
1844+
9851
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
AOD7N65
AOS/万代
2407+
30098
TO252
全新原装!仓库现货,大胆开价!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:153461020 复制

电话:0755-23996734
联系人:李先生
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18+
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