初步
Am29LV160B
16兆位（2M ×8位/ 1的M× 16位）
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围： 3.0 3.6伏读
操作和写操作和用于与兼容性
高性能的3.3伏微处理器
s
在0.35微米制程技术制造的
s
支持常见的闪存接口
（ CFI ）
s
高性能
- 全电压范围：存取时间快90纳秒
为快速存取时间：稳压电压范围 -
80纳秒
s
超低功耗（在典型值
5兆赫）
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 9毫安读出电流
- 20毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
31 64千字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
31 32 K字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每次最少百万写周期保证
扇形
s
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
CFI （通用闪存接口）兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统，允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成后（不
提供44引脚SO ）
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
出版＃
21358
启：
F
Amendment/+2
发行日期：
1998年3月
初步
概述
该Am29LV160B是16兆， 3.0伏只闪存
组织为2,097,152字节或1,048,576字。该
器件采用48球FBGA封装， 44引脚SO和48引脚
TSOP封装。所述字宽的数据（ x16的）出现在
DQ15 - DQ0 ;该字节宽的（x8 ）数据显示在DQ7 - DQ0 。
此设备被设计成在系统编程用
标准系统3.0伏V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
或5.0
V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该
设备也可在标准进行程序MED
EPROM编程器。
该器件提供80个， 90次的访问和120纳秒，
允许高速微处理器来操作
无需等待。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能
（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该Am29LV160B完全是命令集兼容
瓦特是H T ^ h ê
JEDEC S IN克乐 - P嗷嗷é RS UPP LY F拉SH
标准。
命令被写入命令稳压
存器采用标准的微处理器写时序。稳压
存器的内容作为输入到内部语句
机，它控制了擦除和编程税务局局长
cuitry 。写周期内部也锁存地址和
所需的编程数据和擦除操作
系统蒸发散。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，自动预
方案的阵列（如果它尚未被编程） BE-
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写操作能很好地协同
荷兰国际集团权力过渡。该
硬件部门保护
功能禁用这两个方案和擦除操作
的存储器中的扇区的任意组合。这可以是
在系统或通过编程设备来实现。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据，或程序数据，即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
最高级别的质量，可靠性和成本效益。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时，通过福勒- Nordheim隧穿。该
数据是使用热电子注入编程。
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Am29LV160B
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