AOT12N50/AOB12N50/AOTF12N50
500V ，12A N沟道MOSFET
概述
该AOT12N50 & AOB12N50 & AOTF12N50已
采用先进的高电压MOSFET制造
被设计为提供高层次的过程
在流行的AC- DC的性能和耐用性
applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
沿
雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源
设计。
对于无卤添加"L"后缀号码：
AOT12N50L & AOTF12N50L & AOB12N50L
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
600V@150℃
12A
< 0.52Ω
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
顶视图
TO-220
TO-220F
D
TO-263
PAK
2
D
G
D
S
AOTF12N50
G
D
S
AOB12N50
G
S
S
AOT12N50
G
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
AOT12N50/AOB12N50
参数
符号
漏源电压
V
DS
500
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOTF12N50
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
250
2
12
8.4
±30
12*
8.4*
48
5.5
454
908
5
50
0.4
-55到150
300
AOT12N50/AOB12N50
65
0.5
0.5
AOTF12N50
65
--
2.5
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
重复性雪崩能量
单plused雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
Rev7 ： 2011年7月
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第1页6
AOT12N50/AOB12N50/AOTF12N50
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
1089
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
134
10
1.8
1361
167
12.6
3.6
30.7
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ，我
D
=12A
7.6
13.0
29
V
GS
=10V, V
DS
= 250V ，我
D
=12A,
R
G
=25
I
F
=12A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
69
82
55.5
231
2.82
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
= 400V ，T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
V
DS
= 40V ，我
D
=6A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.3
3.9
0.36
16
0.72
1
12
48
1633
200
15
5.4
37
9
16
35
83
98
67
277
3.4
500
600
0.54
1
10
±100
4.5
0.52
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=12A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°
C.
C,
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持初始的T
J
C,
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
C
G. L = 60mH ，我
AS
= 5.5A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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第2 6
AOT12N50/AOB12N50/AOTF12N50
典型的电气和热特性
24
10V
20
16
I
D
(A)
I
D
(A)
6V
12
8
4
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
0.8
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-100
-50
0
50
100
150
200
温度（ δ
C)
图4 ：导通电阻与结温
1.0E+02
1.0E+01
BV
DSS
（归一化）
1.1
I
S
(A)
1.0E+00
1
1.0E-01
1.0E-02
0.9
1.0E-03
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
T
J
(°
C)
图5 ：分解与结北部沿海地区
1.0E-04
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的特性（注五）
0.1
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
V
GS
=5.5V
6.5V
100
V
DS
=40V
-55°
C
10
125°
C
1
25°
C
归一化的导通电阻
0.7
R
DS （ ON）
(
)
V
GS
=10V
I
D
=6A
0.6
0.5
V
GS
=10V
0.4
0.3
0
4
8
12
16
20
24
28
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和门
电压
1.2
40
125°
C
25°
C
Rev7 ： 2011年7月
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第3页6
AOT12N50/AOB12N50/AOTF12N50
典型的电气和热特性
15
V
DS
=400V
I
D
=12A
1000
电容（pF）
V
GS
（伏）
9
C
OSS
100
10000
C
国际空间站
12
6
10
3
C
RSS
1
0
5
20
25
30
35
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
15
45
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
0
100
100
10s
100s
1ms
10ms
0.1s
1s
10
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
10s
I
D
（安培）
100s
1ms
10ms
DC
10
R
DS （ ON）
有限
1
1
DC
0.1
T
J（下最大）
=150°
C
T
C
=25°
C
0.1
T
J（下最大）
=150°
C
T
C
=25°
C
0.01
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全工作
对于AOT12N50 / AOB12N50 （注F）区
100
1000
0.01
1
10
V
DS
（伏）
图10 ：最大正向偏置安全
对于AOTF12N50 （注F）工作区
100
1000
15
12
额定电流我
D
(A)
9
6
3
0
0
25
50
75
100
125
150
C)
T
例
(°
图11 ：电流降评级（注二）
Rev7 ： 2011年7月
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第4 6
AOT12N50/AOB12N50/AOTF12N50
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.5°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
单脉冲
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图12： AOT12N50 / AOB12N50 （注六）归最大瞬态热阻抗
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.5°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图13 ：为AOTF12N50归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
T
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分页： 5 6
AOT12N50/AOB12N50/AOTF12N50
500V ，12A N沟道MOSFET
概述
采用先进的高电压MOSFET的AOT12N50 & AOB12N50 & AOTF12N50已制作
这是旨在提供流行的AC -DC高水准的性能和耐用性的过程
applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
600V@150℃
12A
< 0.52Ω
D
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
AOT12N50/AOB12N50
参数
符号
漏源电压
V
DS
500
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOTF12N50
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
250
2
12
8.4
±30
12*
8.4*
48
5.5
454
908
5
50
0.4
-55到150
300
AOT12N50/AOB12N50
65
0.5
0.5
AOTF12N50
65
--
2.5
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
重复性雪崩能量
单plused雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
1/6
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AOT12N50/AOB12N50/AOTF12N50
500V ，12A N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
1089
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
134
10
1.8
1361
167
12.6
3.6
30.7
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ，我
D
=12A
7.6
13.0
29
V
GS
=10V, V
DS
= 250V ，我
D
=12A,
R
G
=25
I
F
=12A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
69
82
55.5
231
2.82
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
= 400V ，T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
V
DS
= 40V ，我
D
=6A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.3
3.9
0.36
16
0.72
1
12
48
1633
200
15
5.4
37
9
16
35
83
98
67
277
3.4
500
600
0.54
1
10
±100
4.5
0.52
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=12A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°
C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
C,
散热限制的情况下额外的散热使用。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
C.
的T最大结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C
G. L = 60mH ，我
AS
= 5.5A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°
2/6
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AOT12N50/AOB12N50/AOTF12N50
500V ，12A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
24
10V
20
16
I
D
(A)
I
D
(A)
6V
12
8
4
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
0.8
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-100
-50
0
50
100
150
200
温度（ δ
C)
图4 ：导通电阻与结温
1.0E+02
1.0E+01
BV
DSS
（归一化）
1.1
I
S
(A)
1.0E+00
1
0.1
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
V
GS
=5.5V
6.5V
100
V
DS
=40V
-55°
C
10
125°
C
1
25°
C
归一化的导通电阻
0.7
R
DS （ ON）
(
)
V
GS
=10V
I
D
=6A
0.6
0.5
V
GS
=10V
0.4
0.3
0
4
8
12
16
20
24
28
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和门
电压
1.2
40
125°
C
25°
C
1.0E-01
1.0E-02
0.9
1.0E-03
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
T
J
(°
C)
图5 ：分解与结北部沿海地区
1.0E-04
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的特性（注五）
3/6
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AOT12N50/AOB12N50/AOTF12N50
500V ，12A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
15
V
DS
=400V
I
D
=12A
1000
电容（pF）
V
GS
（伏）
9
C
OSS
100
10000
C
国际空间站
12
6
10
3
C
RSS
1
0
5
20
25
30
35
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
15
45
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
0
100
100
10s
100s
1ms
10ms
0.1s
1s
10
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
10s
I
D
（安培）
100s
1ms
10ms
DC
10
R
DS （ ON）
有限
1
1
DC
0.1
T
J（下最大）
=150°
C
T
C
=25°
C
0.1
T
J（下最大）
=150°
C
T
C
=25°
C
0.01
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全工作
对于AOT12N50 / AOB12N50 （注F）区
100
1000
0.01
1
10
V
DS
（伏）
图10 ：最大正向偏置安全
对于AOTF12N50 （注F）工作区
100
1000
15
12
额定电流我
D
(A)
9
6
3
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图11 ：电流降评级（注二）
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AOT12N50/AOB12N50/AOTF12N50
500V ，12A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.5°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
单脉冲
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图12： AOT12N50 / AOB12N50 （注六）归最大瞬态热阻抗
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.5°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图13 ：为AOTF12N50归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
T
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