描述
该器件的CMOS动态RAM组织为4,194,304字× 4位，扩展数据进出
模式。它是用纤维制作的高级亚微米CMOS技术和设计成从一个单一操作
3.3V oniy电源。低电压工作，以对电池备份用更合适的，便携elec-
TRONIC应用。 LT封装在JEDEC标准的26 / 24-引脚塑料SOJ或TSOP （ II ） 。
特点
单3.3V （
±
10 ％ ），只有电源
高速吨
RAC
接取时间： 50 / 60ns的
低功耗
- 主动模式：
396分之432毫瓦（ MAS）
- 待机模式： 0.54毫瓦（ MAS）
扩展 - 数据 - 输出（EDO ）网页模式访问
I / O电平： CMOS电平（VCC = 3.3V ）
2048年的更新周期在32毫秒（标准）或128毫秒（S版）
4刷新modesh ：
- RAS只刷新
- 中科院 - 前 - RAS刷新
- 隐藏刷新
- 自刷新（S版）
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引脚配置
24分之26 -PIN 300MIL塑料SOJ
24分之26 -PIN 300MIL塑料TSOP （ LL ）
VCC
DQ1
DQ2
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
DQ4
DQ3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VCC
DQ1
DQ2
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
DQ4
DQ3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
AD404M42VT
AD404M42VS
引脚说明
引脚名称
A0-A10
功能
地址输入
- 行地址
- 列地址
- 刷新地址
数据输入/数据输出
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
电源（ + 3.3V ）
地
A0-A10
A0-A10
A0-A10
DQ1~DQ4
RAS
CAS
WE
OE
VCC
VSS
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