启3 : 2005年6月
AO7801
双P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO7801采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压可低至1.8V ,在
小型SOT323足迹。它可用于宽
各种应用,包括负载开关,低
电流变换器和低电流的DC- DC转换器。
这是ESD保护2KV HBM 。
标准产品
AO7801是Pb-free (符合ROHS &索尼259
规范)。 AO7801L是一个绿色产品
订购选项。 AO7801和AO7801L是
电相同。
SC-70-6
(SOT-323)
顶视图
S1
G1
D2
D1
G2
S2
G1
S1
特点
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -0.6A (V
GS
= -4.5V)
R
DS ( ON)
< 520mΩ (V
GS
= -4.5V)
R
DS ( ON)
< 700mΩ (V
GS
= -2.5V)
R
DS ( ON)
< 950mΩ (V
GS
= -1.8V)
D1
D2
G2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-20
±8
-0.6
-0.48
-3
0.3
0.19
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
A
A
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
360
400
300
最大
415
460
350
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO7801 。 AO7801L
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-0.6A
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-0.5A
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-0.4A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ,我
D
=-0.6A
二极管的正向电压
I
S
=-0.5A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
-0.5
-3
400
542
540
700
1.7
-0.86
-1
-0.4
114
V
GS
=0V, V
DS
= -10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
17
14
12
1.44
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,我
D
=-0.6A
0.14
0.35
6.5
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,R
L
=16.7,
R
根
=3
I
F
= -0.6A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -0.6A ,的di / dt = 100A / μs的
6.5
18.2
5.5
10
3
13
17
1.8
140
520
700
700
950
-0.6
民
-20
-1
-5
±10
-0.9
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO7801 。 AO7801L
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
(伏)
3
2
1
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
200
V
DS
=-10V
I
D
=-0.6A
电容(pF)
150
C
国际空间站
100
C
OSS
50
C
RSS
0
0
5
10
15
20
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
10.00
T
J(下最大)
= 150℃ ,T
A
=25°C
R
DS ( ON)
有限
1ms
10ms
0.1s
1s
10s
DC
14
10s
100s
功率(W)的
12
10
8
6
4
2
1.00
-I
D
(安培)
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.10
0.01
0.00
0.1
1
-V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=415°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司