AF6930N
N沟道增强型功率MOSFET
特点
- 直流 - 直流应用
- 表面贴装封装
- 双N沟道器件
概述
先进的功率MOSFET提供设计师
与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
产品概述
BV
DSS
(V)
30
R
DS （ ON）
(m)
50
I
D
(A)
5
引脚分配
引脚说明
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
引脚名称
描述
S1/2
G1/2
D1/2
来源
门
漏
SO-8
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
6930N X X X
包
S： SO - 8
无铅
空白：正常
L：无铅封装
填料
空白：管或散装
答：带卷&
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修订版1.2 2005年9月5日
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AF6930N
N沟道增强型功率MOSFET
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
（注1 ）
漏电流脉冲
（注2 ）
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
T
A
=25C
T
A
=70C
T
A
=25C
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
等级
30
±20
5
4
20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
W
W / ℃，
C
C
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
（注1 ）
马克斯。
最大
62.5
单位
摄氏度/ W
电气特性
在T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
静态漏源
导通电阻
（注3）
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
(T
J
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流
(T
J
=70
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
（注3）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
（注3）
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25
o
C,
I
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.9A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 15V ，我
D
=5A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=5A,
V
DS
=15V,
V
GS
=5V
V
DS
=15V,
I
D
=1.5A,
R
G
=3.3, V
GS
=10V
R
D
=10
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1.0MHz
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.037
-
-
-
6
-
-
-
6.1
1.4
3.3
6.7
6.4
22.1
2.1
240
145
55
-
-
50
80
3
-
1
V
V/
o
C
m
V
S
uA
25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nA
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流
（体二极管）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.2V
T
J
= 25 ° C，I
S
=1.7A,
V
GS
=0V
o
-
-
-
-
1.67
1.2
V
V
正向电压上
（注3）
2
注1 ：
表面装在1 FR4板的铜垫;安装在最小的时候135℃ / W 。铜垫。
注2 ：
脉冲宽度有限的最大。结温。
注3 ：
脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%.
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