AO4918A
参数：热特性MOSFET Q1
A
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
参数：热特性MOSFET Q2
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
热特性肖特基
A
最大结点到环境
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
R
θJA
R
θJL
符号
R
θJA
R
θJL
典型值
53
81.9
30.5
典型值
53
81.9
30.5
最大
62.5
110
40
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
单位
° C / W
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
50.4
86
26.6
62.5
110
40
° C / W
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
F的肖特基势出现在与MOSFET的体二极管并联，即使它是一个单独的芯片中。因此，我们提供的净向前
MOSFET和肖特基的压降，电容和恢复特性。然而，热敏电阻被指定为每个芯片
分开。
冯0 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法欧米茄半导体有限公司
AO4918A
Q1电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
R
=30V
V
R
= 30V ，T
J
=125°C
V
R
= 30V ，T
J
=150°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=9.3A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8.8A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=9.3A
30
二极管+肖特基正向电压
I
S
=1A
最大体二极管+肖特基连续电流
T
J
=125°C
0.6
40
11.7
15.4
13.1
37
0.46
0.5
3.5
3740 4488
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
295
186
0.86
30.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=9.3A
4.5
8.5
6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.6,
R
根
=3
I
F
= 9.3A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 9.3A ，的di / dt = 100A / μs的
8.2
54.5
10.5
23.5
13.3
9
12
75
15
28
16
1.1
37
14.5
19
16
1.1
民
30
0.007 0.05
3.2
12
10
20
100
2
mA
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
典型值
最大单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流。
（由肖特基二极管的泄漏设置）
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容（ FET +肖特基）
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管+肖特基反向恢复时间
体二极管+肖特基反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在任意的值
8.5
给定的应用取决于用户的具体电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
30
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
F的肖特基势出现在与MOSFET的体二极管并联，即使它是一个单独的芯片中。因此，我们所提供的净正向压降，电容
和恢复MOSFET和肖特基特性。然而，热敏电阻被分别指定为每个芯片。
冯0 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法欧米茄半导体有限公司
AO4918A
Q1典型的电和热性能
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
10000
V
DS
=15V
I
D
=9.3A
电容（pF）
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
R
DS （ ON）
有限
10.0
I
D
(A)
T
J（下最大）
= 150℃ ，T
A
=25°C
100s
10s
功率（W）的
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1ms
10ms
0.1s
30
20
1.0
1s
10s
DC
10
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
8.5
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
30
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法欧米茄半导体有限公司
AO4918A
参数：热特性MOSFET Q1
A
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
参数：热特性MOSFET Q2
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
热特性肖特基
A
最大结点到环境
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
R
θJA
R
θJL
符号
R
θJA
R
θJL
典型值
53
81.9
30.5
典型值
53
81.9
30.5
最大
62.5
110
40
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
单位
° C / W
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
50.4
86
26.6
62.5
110
40
° C / W
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
F的肖特基势出现在与MOSFET的体二极管并联，即使它是一个单独的芯片中。因此，我们提供的净向前
MOSFET和肖特基的压降，电容和恢复特性。然而，热敏电阻被指定为每个芯片
分开。
冯0 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法欧米茄半导体有限公司
AO4918A
Q1电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
R
=30V
V
R
= 30V ，T
J
=125°C
V
R
= 30V ，T
J
=150°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=9.3A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8.8A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=9.3A
30
二极管+肖特基正向电压
I
S
=1A
最大体二极管+肖特基连续电流
T
J
=125°C
0.6
40
11.7
15.4
13.1
37
0.46
0.5
3.5
3740 4488
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
295
186
0.86
30.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=9.3A
4.5
8.5
6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.6,
R
根
=3
I
F
= 9.3A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 9.3A ，的di / dt = 100A / μs的
8.2
54.5
10.5
23.5
13.3
9
12
75
15
28
16
1.1
37
14.5
19
16
1.1
民
30
0.007 0.05
3.2
12
10
20
100
2
mA
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
典型值
最大单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流。
（由肖特基二极管的泄漏设置）
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容（ FET +肖特基）
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管+肖特基反向恢复时间
体二极管+肖特基反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在任意的值
8.5
给定的应用取决于用户的具体电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
30
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
F的肖特基势出现在与MOSFET的体二极管并联，即使它是一个单独的芯片中。因此，我们所提供的净正向压降，电容
和恢复MOSFET和肖特基特性。然而，热敏电阻被分别指定为每个芯片。
冯0 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法欧米茄半导体有限公司
AO4918A
Q1典型的电和热性能
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
10000
V
DS
=15V
I
D
=9.3A
电容（pF）
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
R
DS （ ON）
有限
10.0
I
D
(A)
T
J（下最大）
= 150℃ ，T
A
=25°C
100s
10s
功率（W）的
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1ms
10ms
0.1s
30
20
1.0
1s
10s
DC
10
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
8.5
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
30
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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