【数据表特点闭锁证明4.5 pF的断源极电容10 pF的断漏极电容-0.6 pC的电荷注入低导通电阻：】,IC型号ADG5233BRUZ-RL7,ADG5233BRUZ-RL7 PDF资料,ADG5233BRUZ-RL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

特点

闭锁证明

4.5 pF的断源极电容

10 pF的断漏极电容

-0.6 pC的电荷注入

低导通电阻： 160 Ω典型

± 9 V至± 22 V双电源供电

9 V至40 V单电源供电

48 V电源最大额定值

在± 15 V ，± 20 V ， 12 V和36 V

到V

模拟信号范围

人体模型（ HBM ） ESD额定值

4千伏I / O端口用品

1千伏I / O端口的I / O端口

4 kV的所有其他引脚

高电压闩锁防，

三路/四路SPDT开关

ADG5233/ADG5234

功能方框图

ADG5233

S1A

S1B

S3B

S2B

S2A

逻辑

S3A

示于开关

A 1输入逻辑。

图1 。

ADG5233

TSSOP和LFCSP_WQ

ADG5234

S1A

S1B

IN1

IN2

S2B

S2A

示于开关

A 1输入逻辑。

S4A

S4B

IN4

IN3

S3B

S3A

09919-002

应用

自动测试设备

数据采集

仪器仪表

航空电子学

音频和视频切换

通信系统

图2中。

ADG5234

TSSOP

概述

该

ADG5233

和

ADG5234

在单片CMOS工业

模拟开关由三个独立可选

单刀双掷（SPDT ）开关和四个indepen-

dently可选的单刀双掷开关，分别。

所有通道表现出先开后合式开关动作的

防止短路瞬时切换频道时。一个EN

输入上的

ADG5233

（ LFCSP和TSSOP封装）来

启用或禁用该设备。禁用时，所有通道都

关闭。

超低电容和电荷注入这些开关的

使他们的数据采集和采样和理想的解决方案

持应用中，低毛刺和快速建立时间是必需的。

快速开关速度与高信号带宽化妆

这些器件适合视频信号切换。

产品亮点

海沟隔离可防止闩锁。

电介质沟道分开的P和N沟道晶体管

从而防止闩锁，即使在严重过压

条件。

超低电容和-0.6 pC的电荷注入。

双电源供电。

对于应用中的双极性模拟信号，所述

ADG5233/ADG5234

可从双电源供电

高达±22 V

单电源工作。

对于应用程序，当该模拟信号是单极的，该

ADG5233/ADG5234

可以从单轨操作

电源高达40 V.

3 V逻辑兼容数字输入。

INH

= 2.0 V, V

INL

= 0.8 V.

无V

逻辑电源要求。

REV 。一

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商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

09919-001

IN1 IN2 IN3 EN

ADG5233/ADG5234

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... .............. 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

± 15 V双电源............................................. .......................... 3

± 20 V双电源............................................. .......................... 4

12 V单电源.............................................. .......................... 5

36 V单电源.............................................. .......................... 6

数据表

每通道， SX或霉素.............................. 8连续电流

绝对最大额定值............................................... ............. 9

ESD注意事项................................................ ................................... 9

引脚配置和功能说明......................... 10

典型性能特征........................................... 12

测试电路................................................ ..................................... 16

术语................................................. ................................... 18

沟槽隔离................................................ .............................. 19

应用信息................................................ .............. 20

外形尺寸................................................ ....................... 21

订购指南................................................ .......................... 22

修订历史

3/12 -REV 。 0到版本A

增加了16引脚LFCSP封装............................................. ..........通用

更改订购指南.............................................. ............. 22

7月11日 - 修订版0 ：初始版

版本A |页24 2

数据表

特定网络阳离子

± 15 V双电源供电

= +15 V ± 10%, V

=发-15V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻之间的匹配

渠道， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

（上），我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

过渡时间，t

过渡

（ EN ）

关闭

（ EN ）

突破前先延时，T

电荷注入，Q

INJ

关断隔离

通道到通道的串扰

-3 dB带宽

插入损耗

（关闭）

（开），C

（上）

0.002

±0.1

170

210

175

215

100

0.6

205

6.3

4.5

2.0

0.8

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

到V

160

200

3.5

±0.02

±0.1

±0.02

±0.1

±0.08

±0.2

250

280

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

ADG5233/ADG5234

测试条件/评论

= -10 V，I

= -1毫安;参见图26

= +13.5 V, V

= 13.5 V

= -10 V，I

= -1毫安

= -10 V，I

= -1毫安

= +16.5 V, V

= 16.5 V

= ±10 V, V

10 V ;参见图28

= ±10 V, V

10 V ;参见图28

= V

= ± 10 V ;参见图25

±0.2

±0.3

±0.4

±0.9

= V

GND

或V

250

255

115

280

290

125

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图31

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ;见图33

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ;见图33

= 300 , C

= 35 pF的

= V

= 10 V ;参见图32

= 0 V ，R

= 0 , C

= 1 nF的;看

图34

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz的;看

图29

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz的;

图27

= 50 , C

= 5 pF的;参见图30

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz的;

见图30

= 0 V ， F = 1兆赫

版本A |第24 3

ADG5233/ADG5234

参数

电源要求

数据表

25°C

0.001

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

单位

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V MIN / V最大

测试条件/评论

= +16.5 V, V

= 16.5 V

数字输入= 0 V或V

GND = 0 V

±9/±22

通过设计保证;不受生产测试。

± 20 V双电源供电

= +20 V ± 10%, V

= -20 V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻之间的匹配

渠道， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

（上），我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

过渡时间，t

过渡

（ EN ）

关闭

（ EN ）

突破前先延时，T

电荷注入，Q

INJ

关断隔离

通道到通道的串扰

-3 dB带宽

插入损耗

25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

到V

140

160

3.5

±0.02

±0.1

±0.02

±0.1

±0.08

±0.2

200

230

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

dB典型值

测试条件/评论

= -15 V，I

= -1毫安;参见图26

= +18 V, V

= 18 V

= -15 V，I

= -1毫安

= -15 V，I

= -1毫安

= +22 V, V

= 22 V

= ±15 V, V

15 V ;参见图28

= ±15 V, V

15 V ;参见图28

= V

= ±15 V ;参见图25

±0.2

±0.3

±0.4

±0.9

2.0

0.8

0.002

±0.1

170

200

165

200

210

5.5

= V

GND

或V

235

240

105

260

265

115

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图31

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ;见图33

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ;见图33

= 300 , C

= 35 pF的

= V

= 10 V ;参见图32

= 0 V ，R

= 0 , C

= 1 nF的;看

图34

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz的;看

图29

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz的;看

图27

= 50 , C

= 5 pF的;参见图30

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz的;

见图30

版本A |第24 4

数据表

参数

（关闭）

（开），C

（上）

电源要求

ADG5233/ADG5234

25°C

4.5

0.001

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

单位

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V MIN / V最大

测试条件/评论

= 0 V ， F = 1兆赫

= +22 V, V

= 22 V

数字输入= 0 V或V

GND = 0 V

110

±9/±22

通过设计保证;不受生产测试。

12 V单电源供电

= 12 V ± 10%, V

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表3中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

0 V至V

360

500

5.5

170

280

±0.02

±0.1

±0.02

±0.1

±0.08

±0.2

±0.4

610

700

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

测试条件/评论

导通电阻之间的匹配

渠道， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

= 0 V至10 V，I

= -1毫安;看

图26

= 10.8 V, V

= 0 V

= 0 V至10 V，I

= -1毫安

335

370

= 0 V至10 V，I

= -1毫安

= 13.2 V, V

= 0 V

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ;看

图28

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ;看

图28

= V

= 1 V / 10 V ;参见图25

流掉泄漏，我

（关闭）

±0.2

±0.3

±0.4

±0.9

2.0

0.8

渠道渗漏，我

（上），我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

过渡时间，t

过渡

（ EN ）

关闭

（ EN ）

突破前先延时，T

电荷注入，Q

INJ

0.002

±0.1

235

295

240

305

125

= V

GND

或V

365

380

105

410

430

115

= 300 , C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图31

= 300 , C

= 35 pF的

= 8 V ;见图33

= 300 , C

= 35 pF的

= 8 V ;见图33

= 300 , C

= 35 pF的

= V

= 8 V ;参见图32

= 6 V ，R

= 0 , C

= 1 nF的;看

图34

版本A |第24 5