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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1764页 > AO4822AL
AO4822A
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4822A采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO4822A是Pb-free
(符合ROHS &索尼259规格) 。
AO4822AL是一种绿色产品订购选项。
AO4822A和AO4822AL是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 16mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 26mΩ (V
GS
= 4.5V)
D1
S2
G2
S1
G1
D2
D2
D1
D1
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
S1
G2
S2
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
最大
30
±20
8.5
6.6
30
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4822A
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=8.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=8.5A
T
J
=125°C
1
30
13.4
20
19.5
23
0.75
1
3
955
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
145
112
0.5
17
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=8.5A
9
3.4
4.7
5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=1.8,
R
=3
I
F
= 8.5A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 8.5A ,的di / dt = 100A / μs的
6
19
4.5
16.7
6.7
6.5
7.5
25
6
21
10
0.85
24
12
1250
16
25
26
1.7
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
冯0 : 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4822A
典型的电气和热特性
30
25
20
I
D
(A)
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
26
24
22
R
DS ( ON)
(m
)
20
18
16
14
12
10
0
5
10
15
20
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
1.0E+01
1.0E+00
40
R
DS ( ON)
(m
)
I
D
=8.5A
I
S
(A)
1.0E-01
125°C
1.0E-02
25°C
1.0E-03
20
25°C
10
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
50
V
GS
=10V
归一化的导通电阻
V
GS
=4.5V
1.6
V
GS
=10V
I
D
=8.5A
1.4
V
GS
=4.5V
1.2
4V
10V
4.5V
3.5V
21
I
D
(A)
125°C
14
V
GS
=3V
7
35
28
V
DS
=5V
13.4
22
0
1.5
2
2.5
3
0.76
3.5
25°C
16
26
4
4.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
1
30
125°C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4822A
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
1500
V
DS
=15V
I
D
=8.5A
电容(pF)
1250
C
国际空间站
1000
750
500
250
0
0
C
RSS
5
10
C
OSS
13.4
22
15
0.76
20
16
26
25
30
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100.0
R
DS ( ON)
有限
1ms
10ms
0.1s
100s
10s
功率(W)的
50
40
30
20
10
0
0.001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
I
D
(安培)
10.0
1.0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
1s
10s
DC
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4822A
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4822A采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO4822A是Pb-free
(符合ROHS &索尼259规格) 。
AO4822AL是一种绿色产品订购选项。
AO4822A和AO4822AL是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 16mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 26mΩ (V
GS
= 4.5V)
D1
S2
G2
S1
G1
D2
D2
D1
D1
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
S1
G2
S2
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
最大
30
±20
8.5
6.6
30
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4822A
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=8.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=8.5A
T
J
=125°C
1
30
13.4
20
19.5
23
0.75
1
3
955
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
145
112
0.5
17
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=8.5A
9
3.4
4.7
5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=1.8,
R
=3
I
F
= 8.5A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 8.5A ,的di / dt = 100A / μs的
6
19
4.5
16.7
6.7
6.5
7.5
25
6
21
10
0.85
24
12
1250
16
25
26
1.7
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
冯0 : 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4822A
典型的电气和热特性
30
25
20
I
D
(A)
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
26
24
22
R
DS ( ON)
(m
)
20
18
16
14
12
10
0
5
10
15
20
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
1.0E+01
1.0E+00
40
R
DS ( ON)
(m
)
I
D
=8.5A
I
S
(A)
1.0E-01
125°C
1.0E-02
25°C
1.0E-03
20
25°C
10
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
50
V
GS
=10V
归一化的导通电阻
V
GS
=4.5V
1.6
V
GS
=10V
I
D
=8.5A
1.4
V
GS
=4.5V
1.2
4V
10V
4.5V
3.5V
21
I
D
(A)
125°C
14
V
GS
=3V
7
35
28
V
DS
=5V
13.4
22
0
1.5
2
2.5
3
0.76
3.5
25°C
16
26
4
4.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
1
30
125°C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4822A
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
1500
V
DS
=15V
I
D
=8.5A
电容(pF)
1250
C
国际空间站
1000
750
500
250
0
0
C
RSS
5
10
C
OSS
13.4
22
15
0.76
20
16
26
25
30
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100.0
R
DS ( ON)
有限
1ms
10ms
0.1s
100s
10s
功率(W)的
50
40
30
20
10
0
0.001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
I
D
(安培)
10.0
1.0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
1s
10s
DC
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AO4822AL
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
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地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
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