AO4620
N沟道电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=7.2A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=7.2A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
30
20
26
29
24
0.77
1
2.5
660
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
110
87
0.8
11.3
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=7.2A
5.7
2.1
3
4.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.1,
R
根
=3
I
F
= 7.2A ，的di / dt = 100A / μs的
3.1
15.1
2.7
15.5
7.1
20
1.5
14.125
792
24
32
36
1.6
民
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 7.2A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F.The功率耗散和电流额定值是基于吨10秒热阻率。
≤
版本1 ： 2007年2月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4620
N沟道的典型电气和热性能
30
10V
25
4.5V
20
I
D
(A)
15
10
3.5V
5
V
GS
=3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
35
V
GS
=4.5V
归一化的导通电阻
30
R
DS （ ON）
(m
)
1.4
1.6
V
GS
=10V
I
D
=7.2A
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
4
6V
4V
I
D
(A)
5V
20
V
DS
=5V
16
12
8
125°C
25°C
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=7.4A
1.2
V
GS
=4.5V
I
D
=5A
25
1
V
=10V,
V
GS
GS
=10V
V
DS
= 15V ，R
L
=2.0, R
根
=3
20
0.8
15
0
5
10
I
F
= 7.4A ，的di / dt = 100A / μs的
15
20
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结温
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和门
电压
I
F
= 7.4A ，的di / dt = 100A / μs的
60
I
D
=7.2A
50
R
DS （ ON）
(m
)
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
125°C
I
S
(A)
40
125°C
1.0E-02
25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
30
1.0E-03
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
20
1.0E-04
性能和可靠性，恕不另行通知。
25°C
10
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
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AO4620
N沟道的典型电气和热性能
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=7.2A
电容（pF）
1000
800
C
国际空间站
600
400
C
OSS
200
C
RSS
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
0
100.0
10s
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
0.1s
10s
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
10ms
100s
功率（W）的
1ms
30
25
20
15
10
5
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1.0
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=100°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
P
D
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
0.1
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
T
on
性能和可靠性，恕不另行通知。
T
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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P沟道电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-5.3A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.5A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-5.3A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1
-30
31
42
48
15
-0.77
-1
-2.5
980
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
150
115
2.2
18.7
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-5.3A
9.6
3.2
4.8
7.7
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=2.8,
R
根
=3
I
F
= -5.3A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
-30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
-1
-5
±100
-2
-3
38
60
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1225
3.3
24
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
6
20
7
21
13
26
体二极管反向恢复电荷我
F
= -5.3A ，的di / dt = 100A / μs的
ns
nC
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境与
T
A
= 25°C 。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
F.The功率耗散和电流额定值是基于吨10秒热阻率。
≤
REV1 ： 2007年2月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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飞思卡尔
AO4620/MC4620
P & N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用
高细胞密度的过程。低R
DS （ ON）
保证
最小的功率损耗并节省能源，使
该器件非常适用于电源管理应用
电路。典型的应用是PWMDC直流
转换器，电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机，充电器，通信电源
系统和电话电源系统。
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
小型SO- 8表面贴装封装
节省电路板空间
高功率和电流处理能力
低压侧大电流DC- DC转换器
应用
o
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
m()
30
-30
40 @ V
GS
= 4.5V
31 @ V
GS
= 10V
80 @ V
GS
= -4.5V
52 @ V
GS
= -10V
I
D
(A)
6.0
6.9
-4.2
-5.2
1
2
3
4
8
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
符号N沟道P沟道单位
30
-30
漏源电压
V
DS
V
V
GS
栅源电压
±20
±20
连续漏电流
漏电流脉冲
b
a
o
o
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
6.9
5.4
20
1.3
2.1
1.3
-5.2
-6.8
-20
-1.3
2.1
1.3
A
W
o
A
连续源电流（二极管传导）
功耗
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
工作结存储温度范围
-55到150
C
热电阻额定值
参数
最大结到外壳
a
最大结点到环境
a
吨< = 5秒
吨< = 5秒
符号
R
θJC
R
θJA
最大
40
60
单位
o
o
C / W
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
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规格（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
A
测试条件
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250微安
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250微安
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
= -5 V, V
GS
= -10 V
VGS = 10 V，I
D
= 6.9 A
VGS = 4.5 V，I
D
= 6 A
VGS = -10 V，I
D
= -5.2 A
VGS = -4.5 V，I
D
= -4.2 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.9 A
V
DS
= -15 V，I
D
= -5.2 A
Ch
N
P
P
N
P
N
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
范围
最小值典型值
1
-1.0
最大单位
V
±100
±100
-1
1
nA
uA
A
20
-20
31
40
52
80
25
10
4.0
10
1.1
2.2
1.4
漏源导通电阻
转发Tranconductance
A
r
DS （ ON）
g
fs
m
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
N沟道
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
P沟道
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-5.2A
nC
N-二Chaneel
V
DD
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=1A ,
R
根
=6,
P沟道
V
DD
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-1A
R
根
=6
N
P
N
P
N
P
N
P
P
8
10
5
2.8
23
53.6
3
46
1.7
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
FR EESCALE
保留随时更改而不另行诺蒂奇这里的任何产品的权利。 freescalemakes任何保证，声明
或有关的保证其产品适用于任何特定用途，也不承担飞思卡尔的应用程序所产生的任何法律责任OU T或
使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。可在飞思卡尔的数据片S提供“典型”参数和/或规格可以做不同在不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。 freescaledoes不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。飞思卡尔的产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序在飞思卡尔产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。
如果买方购买或使用飞思卡尔的产品用于任何uninte nded或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有飞思卡尔及其
管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师
即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用
索赔称，有关部分的设计或M anufacture飞思卡尔是疏忽。飞思卡尔是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
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飞思卡尔
AO4620/MC4620
典型电气特性（ N沟道）
30
ID ，漏电流（ A）
6.0V
5.0V
30
VDS = 5V
VGS = 10V
TA = -55
o
C
ID ，漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0
25
20
15
10
5
0
25
o
C
125
o
C
4.0V
3.0V
0.5
1
1.5
2
2.5
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
VDS ，漏极 - 源极电压（ V）
VGS ，门源电压（ V）
图1.区域特征
图2.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
2.5
RDS （ ON ） ，归一化
漏源导通电阻
1500
1200
900
600
C
OSS
C
国际空间站
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
2
1.5
4.5V
6.0V
1
电容（pF）
10V
300
0
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
0.5
0
5
10
15
20
25
30
ID ，漏电流（ A）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图3.电阻与栅极电压的电压
图4.电容特性
VG S， G A TE - SOU RCE V OLTAG E（ V）
10
ID = 7A
15V
1.6
归一化
DS
（上）
8
6
4
2
0
0
3
6
9
1.4
V
GS
= 10V
I
D
= 7A
1.2
1.0
0 .8
12
15
0 .6
-50
-2 5
0
25
50
75
10 0
12 5
150
QG ，栅极电荷（ NC）
T
J
Juncation温度（
篊
)
图6.导通电阻随温度的变化
图5.栅极电荷特性
3
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QQ：2880707522 复制
