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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第312页 > AD7886BD
a
特点
750千赫/ 1 MHz的吞吐率
1秒/ 750 ns的转换时间
12位无漏码过热
67分贝信噪比在100 kHz的输入频率
低功耗 - 250 mW的典型值
快速总线访问时间57 ns(最大值)
应用
数字信号处理
语音识别与合成
频谱分析
DSP伺服控制
LC
2
MOS
12位, 750千赫/ 1 MHz时,采样ADC
AD7886
功能框图
V
DD
R3
VIN1
10k
R4
VIN2
10k
+5REF
R1
9k
SUM
R2
6.3k
V
REF
4096
电阻器
DAC
AGND
+
T / H
3.5k
R5
时钟
振荡器
和定时器
控制
定时器
CS
RD CONVST
4-BIT
LATCH
15
比较
4位闪存
逻辑
DB11
4-BIT
LATCH
状态
输出
DB0
4-BIT
LATCH
段选择
AD7886
V
SS
DGND
概述
的AD7886是一个12位的ADC,具有采样和保持放大器
提供高速性能,并具有低耗散功率
而不能使。该AD7886是采用15三重通闪速ADC
在一4位快闪技术比较器来实现12位精度
IN 1
s/750
ns的转换时间。一个片上时钟振荡器亲
志愿组织的适当的时刻为三个转换的
阶段,无需任何外部时钟。获得
采样和保持放大器的时间给出了得到的吞吐量
把750千赫/ 1 MHz的速率。 *
在AD7886的工作
±
5 V电源供电。品strappable
输入提供三个模拟输入范围的选择: 0 V至5 V ,
0 V至10 V或
±
5 V.
除了传统直流精度规格,如
线性,偏移和满刻度误差, AD7886还试样
田间的动态性能参数,包括谐波
失真和信号 - 噪声比。
在AD7886具有三态高速数字接口
数据输出。转换控制由提供
CONVST
IN-
放。数据访问是通过控制
CS
RD
输入,标准
微处理器的信号。少于57毫微秒的数据存取时间
意味着AD7886可以直接连接到最现代的
微处理器,其中包括DSP处理器。
*在1 MHz时,请联系您当地的销售人员了解更多信息
版本。
该AD7886是制作ADI公司线性的COM
兼容CMOS工艺,混合工艺技术
结合了低功耗CMOS精密的双极性电路
逻辑。
该AD7886是采用28引脚DIP和28引脚
有引线芯片载体。
产品亮点
1.快1.33
s/1 s
生产时间。
快速的吞吐量的时间使得AD7886适合于
广泛的数据采集应用。
对于DSP用户2.动态指标。
在AD7886被指定为AC参数,包括
信号 - 噪声比,谐波失真和互
调制失真。关键数字定时参数
同时经过测试,保证在整个工作温
温度范围内。
3.快速的微处理器接口。
标准控制信号,
CS
RD,
而快速公交AC-
塞斯时代使AD7886很容易连接到微
处理器。
4.低功耗。
LC
2
MOS制造工艺提供了低功率耗散
重刑250毫瓦。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 617 / 326-8703
ADI公司,1997
= +5 V 5%,
= –5 V
0伏,V
AD7886–SPECIFICATIONS
(V另有说明。 VSpecifications5 % , A6ND = DGND =版本。 ) = -3.5 V,连接
如示于图2的所有规格到T除非
申请750千赫
DD
SS
REF
最大
参数
动态性能
2
信噪比
3
(SNR)的
总谐波失真( THD )
峰值谐波或杂散噪声
互调失真( IMD )
二阶条款
三阶条款
准确性
决议
积分线性牛逼
给T
最大
最小分辨率为哪
无失码的保证
单极性偏移误差@ + 25°C
T
给T
最大
双极性失调误差@ + 25°C
T
给T
最大
单极性增益误差@ + 25°C
T
给T
最大
双极性增益误差@ + 25°C
T
给T
最大
模拟量输入
单极性输入电流
双极性输入电流
参考输入
V
REF
输入参考电流
R1 ,电阻
R2 ,电阻
R 2 / R比率
1
K,B版本
1
T版
1
单位
测试条件/评论
65
–75
–77
–80
–80
67
–75
–77
–80
–80
65
–75
–77
–80
–80
分贝分钟
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
VIN = 100 kHz正弦波,女
样品
= 750千赫
VIN = 100 kHz正弦波,女
样品
= 750千赫
VIN = 100 kHz正弦波,女
样品
= 750千赫
f
a
= 96 kHz时,女
b
= 103千赫,女
样品
= 750千赫
12
12
±
2
12
±
5
±
5
±
5
±
5
±
5
±
5
±
5
+5
12
±
2
12
±
5
±
5
±
5
±
5
±
5
±
5
±
5
±
5
1.5
±
0.75
–3.5
–10
9
6.3
0.7
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
12
±
5
±
5
±
5
±
5
±
5
±
5
±
5
±
5
1.5
±
0.75
–3.5
–10
9
6.3
0.7
输入范围: 0 V至5 V或0 V至10 V
输入范围:
±
5 V
输入范围: 0 V至5 V或0 V至10 V
输入范围:
±
5 V
1.5
±
0.75
–3.5
–10
9
6.3
0.7
最大mA
最大mA
输入范围: 0 V至5 V或0 V至10 V
输入范围:
±
5 V
±
2 %,对于特定的性能
±
25%
±
25%
±
0.1%
最大mA
kΩ的NOM
kΩ的NOM
电源抑制
V
DD
只是, ( FS更改)
V
SS
只是, ( FS更改)
逻辑输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
IN
输入电容,C
IN4
逻辑输出
DB11–DB0,
输出高电压,V
OH
输出低电压,V
OL
DB11–DB0
浮态泄漏电流
浮态输出电容
4
电源要求
V
DD
V
SS
I
DD
I
SS
功耗
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
LSB (典型值)
LSB (典型值)
V
SS
= –5 V, V
DD
= 4.75 V至5.25 V
V
DD
= +5 V, V
SS
= -4.75 V至-5.25 V
V
DD
= 5 V
±
5%
V
DD
= 5 V
±
5%
V
IN
= 0 V到V
DD
2.4
0.8
±
10
10
2.4
0.8
±
10
10
2.4
0.8
±
10
10
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
4
0.4
±
10
15
4
0.4
±
10
15
4
0.4
±
10
15
V分钟
V最大
pA的最大
pF的最大
I
来源
= 200
A
I
SINK
= 1.6毫安
+5
–5
35
–35
250
350
+5
–5
35
–35
250
350
+5
–5
35
–35
250
350
V NOM
V NOM
最大mA
最大mA
毫瓦(典型值)
毫瓦MAX
±
对于指定的性能5 %
±
对于指定的性能5 %
一般为25毫安,
CONVST
=
CS
=
RD
= V
DD
一般为25毫安,
CONVST
=
CS
=
RD
= V
DD
CONVST
=
CS
=
RD
= V
DD
笔记
I
温度范围如下: J,K版本: 0 ° C至+ 70°C ; B版本: -40 ° C至+ 85°C ; T版: -55 ° C至+ 125°C 。
2
适用于所有三种输入范围,V
IN
= 0 FS ,峰 - 峰值V.
3
SNR计算包含失真和噪声分量。
4
样品测试@ + 25°C ,以确保合规性。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
版本B
AD7886
时序特性
1
(V
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7 3
t
8
t
9 3
t
10
t
11
t
12
t
13
t
CONV
DD
= +5 V
5%, V
SS
= –5 V
5 % , AGND = DGND = 0V)
在极限
在极限
T
, T
最大
T
, T
最大
( J,K版本) (B版)
50
1
0
0
60
100
57
10
50
20
10
10
100
0
0
250
1.333
950
1000
50
1
0
0
60
100
57
10
50
20
10
10
100
0
0
250
1.333
950
1000
在极限
T
, T
最大
(T版)
50
1
0
0
75
100
70
10
60
14
0
10
100
0
0
250
1.333
950
1000
单位
ns(最小值)
FS最大
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
纳秒(典型值)
s
纳秒(典型值)
ns(最大值)
条件/评论
CONVST
脉冲宽度
CS
to
RD
建立时间
CS
to
RD
保持时间
RD
脉冲宽度
CONVST
to
传播延迟(C
L
= 10 pF的)
数据访问时间后,
RD
总线释放时间后,
RD
数据建立时间之前
忙,
(C
L
= 20 pF的)
数据建立时间之前
忙,
(C
L
= 100 pF的)
总线释放时间后,
CONVST
CS
CONVST
RD
CONVST
低, SHA采集时间
采样间隔
转换时间
笔记
1
在时序规格
黑体字
100%生产测试。在+ 25 °C所有其他时间的样品测试,以确保合规性。所有输入信号均指定tr =
TF = 5纳秒(10%至90%的5 V)和从1.6V的电压电平的定时
2
t
6
测定与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。
3
t
7
和t9进行从由所述数据输出测量出的时间导出了0.5伏时,装载有图1的电路所测得的数是然后改变外推
迟来回除去的充电或放电的负载电容C的作用
L
。这意味着该时间,叔
7
和T
9
在时序特性所是真正的公交车
放弃部分的时间,因此是独立的外部总线负载电容。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
I
OL
输出
+2.1V
C
L
I
OH
VIN1 , VIN2 , SUM , + 5REF到AGND 。 。 。 。 。 。 -15 V至+15 V
V
REF
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
0.3 V到V
DD
+0.3 V
数字输入到DGND
CS , RD , CONVST 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+0.3 V
数字输出至DGND
DB0到DB11 ,车水马龙。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+0.3 V
工作温度范围
商业( J,K版本) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
扩展(T版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
功率耗散(任何套餐)到+ 75°C 。 。 。 。 。 。 1000毫瓦
减额高于+ 75 ℃下。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫瓦/°C的
笔记
1
条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力只有额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在上市运作的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
如果V
SS
都开路与V
DD
与AGND应用中,V
SS
引脚将被拉低
积极,超过绝对最大额定值。如果这个可能性是存在的,一
从V肖特基二极管
SS
到DGND (阴极年底到GND)保证
图1.负载电路的总线访问,并放弃时间
绝对最大额定值
1, 2
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
V
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
SS
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-7 V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+0.3 V
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD7886具有专用ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
版本B
–3–
AD7886
订购指南
模型
1, 2
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
SNR
(DBS )
65
67
65
67
67
65
积分
非线性
(最低有效位)
±
2.0
±
2.0
±
2.0
±
2.0
选项
3
D-28
D-28
P-28A
2
P-28A
2
D-28
D-28
AD7886JD
AD7886KD
AD7886JP
AD7886KP
AD7886BD
AD7886TD
笔记
1Contact您的销售办事处AD7886BD , AD7886TD的可用性和1 MHz的版本。
2
ADI公司保留随时出货J-引线陶瓷芯片载体( JLCCC )代替PLCC封装的权利。
3
D =陶瓷DIP ; P =塑料有引线芯片载体。
引脚功能说明
DIP PIN
助记符
描述
正电源, + 5V
±
5%。双方V
DD
引脚必须连接在一起。
负电源, -5 V
±
5%。双方V
SS
引脚必须连接在一起。
模拟地。这两个AGND引脚必须连接在一起。
数字地。
电源
10 & 19
V
DD
15 & 24
V
SS
16 & 23
AGND
5
DGND
模拟和参考输入
17安培; 18
VIN
模拟输入, VIN1和VIN2 。该器件可绑脚为三个模拟输入范围的任何一个;
范围
0 V至5 V
0 V至10 V
±
5 V
20
21
22
+5REF
SUM
V
REF
脚绳
VIN2连接到VIN1
VIN2连接到GND
连接VIN2至+5 V
信号输入
VIN1 & VIN2
VIN1
VIN1
+ 5V基准电压输入。该输入用于在与SUM和V一起
REF
输入比例的外部
+ 5V参考-3.5 V时,对于零件所需的参考(参见图2) 。
总结点。该输入用于在以+ 5REF和V一起
REF
输入比例的外部
+ 5V参考-3.5 V时,对于零件所需的参考(参见图2) 。
参考电压输入。在AD7886指定了V
REF
= –3.5 V.
三态数据输出。
这些输出由控制
CS
RD 。
DB11是最高有效位(MSB ) 。
输出指示变频器的状态。
低转换过程中。
片选输入。该器件被选中当此输入为低电平。
读取输入。这个低电平有效信号,在与结合
CS ,
用于使能输出数据的三态
驱动程序。
转换启动输入。此输入用于启动转换。
接口和控制
1–4,
DB7–DB4
6–9,
DB3–DB0
25–28
DB11–DB8
11
12
CS
13
RD
14
CONVST
–4–
版本B
AD7886
销刀豆网络gurations
DIP
DB4
DB5
PLCC
28 DB8
27 DB9
26 DB10
25 DB11
24 V
SS
DGND
DB3
DB2
DB1
DB0
5
6
7
8
9
25 DB11
24 V
SS
DB7
DB10
DB6
DB8
DB9
DB7
DB6
DB5
DB4
DGND
DB3
DB2
DB1
DB0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
4
3
2
1
28
27
26
AD7886
顶视图
(不按比例)
23 AGND
22 V
REF
21 SUM
20 + 5REF
19 V
DD
18 VIN2
17 VIN1
16 AGND
15 V
SS
AD7886
顶视图
(不按比例)
23 AGND
22 V
REF
21 SUM
20 + 5REF
19 V
DD
V
DD
10
BUSY 11
V
DD
10
BUSY 11
CS 12
RD 13
CONVST 14
12
CS
13
RD
14
CONVST
15
V
SS
16
AGND
17
VIN1
18
VIN2
术语
单极性偏移误差
理想的第一个代码转换应该发生在模拟时,
输入为1 LSB以上AGND 。实际跃迁的偏差
化从该点被称为偏移误差。
双极性零误差
结果。的12位数据,然后在内部存储在一个三
态输出锁存器。
参考输入
理想的跳变(即0111 1111 1111至1000年
0000 0000 )为+ 5V范围应该发生在模拟时,
输入是在零伏。双极性零误差的偏差
从该点实际的过渡。
增益误差
在单极模式下,增益误差,测量相对于该
第一个和最后一个代码转换点。理想的差异BE-
吐温这些点是FS - 2位。对于双极性的应用中,
增益误差是从跳变来测量两
第一个和最后一个代码转换。在这种情况下,理想的区别是
FS / 2-1 LSB 。增益误差定义为之间的偏差
理想的差,上面给出的,并且所测量的差异。
对于双极性的情况下,有两个增益误差;图中的
规范页面代表最坏情况。理想的FS依赖
的+ 5REF输入;为0 V至5 V输入,理想FS = + 5REF
而对于0 V至10 V和5 V范围内,理想的FS = 2
×
+ 5REF 。
转换器的详细
在AD7886从3.5 V基准电压源,它必须是工作
在V提供
REF
输入。两个片上电阻器搭配使用
外部放大器,可用于从标导出3.5 V
准5 V基准电压源。图2示出与AD586的一例
其中一个是一个高性能的电压基准参展
出色的稳定性表现,为5ppm / °C以下。外部
放大器提供力的第二个功能/传感V
REF
输入。力/传感从最小误差的贡献
+V
+V
IN
V
OUT
+5V
+5REF
R1
9k
SUM
R2
6.3k
V
REF
AD586
GND
AD7886*
AD707
+
–3.5V
该AD7886是采用15 compara-三重通闪速ADC
在一4位快闪技术器来执行12位转换
过程。每4096个量化电平,实现跨
应受与精密电阻DAC 。
十五比较首先比较了模拟输入电压
于V
REF
/电阻器阵列16的电压。这就决定了
四个最显著位并选择1选自16电压段
求。比较器,然后切换到15 subvoltages上
该段以确定下一个4位,并选择1出
256电压段。比较器的另一个切换到
另外15 subvoltages产生完整的12位转换
版本B
–5–
C1
10F
以DAC
AGND
C2
0.1F
为清楚起见省略*额外的引脚
图2.典型的参考电路
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操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AD7886BD
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ:2322757237 复制

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