AO4480
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO4480采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷。这是ESD
受保护的。此装置适合于用作低侧
在开关SMPS和通用的应用程序。
标准产品AO4480是Pb-free （符合ROHS &
索尼259规格） 。
特点
V
DS
(V) = 40V
I
D
= 14A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 11.5mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 15.5mΩ （V
GS
= 4.5V)
ESD额定值： HBM 4KV
UIS测试
RG ，西塞，科斯，测试的Crss
D
S
S
S
G
D
D
D
D
G
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
AF
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
B
雪崩电流
T
A
=70°C
B
S
最大
40
±20
14
11
70
3.1
2.0
30
135
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
帝斯曼
I
DM
P
D
I
AR
E
AR
T
J
, T
英镑
W
A
mJ
°C
重复雪崩能量0.3mH
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
A
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
30
59
16
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4480
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=14A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=14A
T
J
=125°C
1
70
9
13
12
50
0.7
1
4
1600
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
320
100
3.4
22
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=14A
10.5
4.2
4.8
3.5
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
I
F
= 14A ，的di / dt = 100A / μs的
6
13.2
3.5
31
33
1920
15.5
11.5
2
民
40
1
5
±100
3
典型值
最大
单位
V
uA
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 14A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸2 FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境与
T
A
= 25°C 。在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F.额定电流是基于T≤ 10秒结到环境的热阻率。
REV0 ： 2006年10月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4480
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
100s
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10ms
1ms
功率（W）的
10s
80
60
40
20
0
0.001
V
DS
=20V
I
D
=14A
电容（pF）
2400
2000
1600
1200
800
400
0
0
5
20
25
30
35
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
15
40
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100
500
150
60
T
J（下最大）
=150°C
Tc=25°C
100ms
10s
1s
DC
1.0
0.1
0.0
0.01
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
0.1
100
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
on
10
0.01
0.00001
T
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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AO4480
40V N沟道MOSFET
概述
该AO4480采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷。这是ESD
受保护的。此装置适合于用作开关电源的低侧开关和一般用途。
特点
V
DS
(V) = 40V
I
D
= 14A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 11.5mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 15.5mΩ （V
GS
= 4.5V)
ESD额定值： HBM 4KV
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
AF
漏电流脉冲
B
C
T
A
=25°
功耗
雪崩电流
B
重复雪崩能量0.3mH
B
最大
40
±20
14
11
70
3.1
2.0
30
135
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
帝斯曼
I
DM
C
T
A
=70°
P
D
I
AR
E
AR
T
J
, T
英镑
W
A
mJ
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
30
59
16
最大
40
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/4
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AO4480
40V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=14A
I
S
=1A,V
GS
=0V
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=14A
T
J
=125°
C
1
70
9
13
12
50
0.7
1
4
1600
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
320
100
3.4
22
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=14A
10.5
4.2
4.8
3.5
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
I
F
= 14A ，的di / dt = 100A / μs的
6
13.2
3.5
31
33
1920
15.5
11.5
2
民
40
1
5
±100
3
典型值
最大
单位
V
uA
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 14A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸2 FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境与
T
A
= 25° ，在任何给定应用的值取决于用户的具体的电路板设计。
C.
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
C.
E.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
曲线提供了单个脉冲的评价。
F.额定电流是基于T≤ 10秒结到环境的热阻率。
转2 ： 2010年11月
2/4
www.freescale.net.cn
AO4480
40V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
2400
10
V
DS
=20V
I
D
=14A
电容（pF）
2000
1600
1200
800
400
0
0
4
8
12
16
20
24
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
100s
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
10ms
1ms
功率（W）的
10s
80
60
40
20
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
Tc=25°C
0
0
5
15
20
25
30
35
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
40
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
8
V
GS
（伏）
6
4
2
100
500
150
60
100ms
1.0
10s
1s
DC
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.0
0.01
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
0.1
100
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
0.1
1
10
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4/4
www.freescale.net.cn
AO4480
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=14A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=14A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1
70
9
13
12
50
0.7
1
4
1600
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
320
100
3.4
22
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=14A
10.5
4.2
4.8
3.5
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
I
F
= 14A ，的di / dt = 100A / μs的
6
13.2
3.5
31
33
1920
15.5
11.5
2
民
40
1
5
±100
3
典型值
最大
单位
V
uA
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 14A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸2 FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境与
T
A
= 25° ，在任何给定应用的值取决于用户的具体的电路板设计。
C.
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
C.
曲线提供了单个脉冲的评价。
F.额定电流是基于T≤ 10秒结到环境的热阻率。
转2 ： 2010年11月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AO4480
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
典型的电气和热特性
2400
10
V
DS
=20V
I
D
=14A
电容（pF）
2000
1600
1200
800
400
0
0
4
8
12
16
20
24
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
100s
10s
8
V
GS
（伏）
C
国际空间站
6
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
5
15
20
25
30
35
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
40
100
10ms
500
150
60
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
1ms
80
功率（W）的
60
40
20
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
Tc=25°C
100ms
1.0
10s
1s
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
0.0
0.01
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
0.1
100
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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