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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第703页 > A3979
A3979
微DMOS驱动器与翻译
特点和优点
± 2.5 A , 35 V输出额定值
低R
DS ( ON)
输出: 0.28
Ω
源, 0.22
Ω
水槽,典型的
自动电流衰减模式检测/选择
3.0 5.5 V逻辑电源电压范围
慢,快或混合电流衰减模式
首页输出
同步整流,阳离子以实现低功耗
内部欠压锁定和热关断电路
交叉电流保护
描述
该A3979是完整的微电机驱动器与
内置转换器,设计为引脚兼容的替代品
成功的A3977 ,具有增强微(
1
/
16
步骤)
精度。它的设计操作双极步进电机
全,半,四分之一及1/16步进模式,具有输出
高达35 V和± 2.5 A.硬盘容量的A3979包括
固定关断时间电流调节器,其具有在运行的能力
慢,快或混合衰减模式。此电流衰减控制
方案能减少可听到的电动机噪音,增加步进
精确度并减少功耗。
翻译的关键是易于实施的
A3979 。它允许在步骤一脉的简单的输入
引脚驱动电动机产生微,它可以是一个完整的
工序中,半,四分之一,或第十六,视的设定
MS1和MS2逻辑输入。有没有相位顺序表,
高频率控制行或复杂的界面。
该A3979界面非常适合应用场合
复杂的微处理器不可用或过载。
提供内部同步整流控制电路
PWM操作过程中的功耗。国内
电路保护包括:带滞后的过热关机,
UVLO (欠压锁定) ,以及交叉电流
保护。不需要特别的加电排序。
封装:28引脚TSSOP封装(后缀LP )与
裸露的散热焊盘
不按比例
该A3979是一个低调的(高度提供
≤1.20
mm),
28引脚TSSOP封装,带有裸焊盘的热。封装是无铅
无铅产品,且采用100 %雾锡电镀引脚框。
PIN- OUT框图
SENSE1 1
网站首页2
DIR 3
OUT1A 4
PFD 5
RC1 6
AGND 7
REF 8
RC2 9
VDD 10
OUT2A 11
MS2 12
MS1 13
14 SENSE2
÷8
PWM
定时器
收费
28 VBB1
27 SLEEP
26 ENABLE
25 OUT1B
24 CP2
翻译者
控制
逻辑
23 CP1
22 VCP
21 PGND
REG
20 VREG
19步骤
18 OUT2B
17 RESET
16 SR
15 VBB2
保护地
必须是
在外部连接在一起
AGND
26184.23D
A3979
DMOS细分驱动器与翻译
选购指南
产品型号
A3979SLP-T
A3979SLPTR-T
填料
每管50件
每卷4000件
绝对最大额定值
负载电源电压
输出电流
逻辑电源电压
逻辑输入电压范围
检测电压
参考电压
工作环境温度
结温
储存温度
V
BB
I
OUT
V
DD
V
IN
V
SENSE
V
REF
T
A
T
J
(最大)
T
英镑
范围S
t
W
> 30纳秒
t
W
< 30纳秒
输出电流额定值可通过占空比的限制,
环境温度,并散热。在任何一组
的条件下,不超过规定的额定电流或
为150℃的结温。
35
±2.5
7.0
-0.3到V
DD
+ 0.3
± 1 V
DD
+ 1
0.5
V
DD
-20到85
150
-55到150
V
A
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
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115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
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2
A3979
DMOS细分驱动器与翻译
功能框图
0.22 F
0.22 F
VREG
逻辑
供应
VDD
UVLO和
故障
调节器
带隙
2V
CP2
CP1
收费
VCP
参考
供应
REF
DAC
DMOS全桥
0.22 F
负载
供应
VBB1
>47 μF
4
OUT1A
OUT1B
PWM定时器:
PWM锁存器
消隐
混合衰减
DRIVE
4
控制
逻辑
DMOS全桥
VBB2
RC1
R
T1
C
T1
DIR
RESET
MS1
MS2
睡觉
SR
启用
V
PFD
PFD
0.1 F
RC2
PWM定时器:
PWM锁存器
消隐
混合衰减
OUT2A
OUT2B
翻译者
SENSE1
R
S1
C
S1
SENSE2
R
T2
C
T2
DAC
R
S2
C
S2
裸露的散热焊盘
AGND
保护地
(必选)
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3
A3979
DMOS细分驱动器与翻译
电气特性
在T
A
= 25 ° C,V
BB
= 35 V, V
DD
= 3.0 5.5 V, (除非另有说明)
特征
输出驱动器
负载电源电压范围
输出漏电流
2
输出导通电阻
体二极管正向电压
符号
测试条件
操作
在睡眠模式
V
OUT
= V
BB
V
OUT
= 0 V
源极驱动器,我
OUT
= –2.5 A
下沉式驱动器,我
OUT
= 2.5 A
来源二极管,我
F
= –2.5 A
沉二极管,我
F
= 2.5 A
f
PWM
< 50千赫
操作时,输出禁用
睡眠模式
操作
f
PWM
< 50千赫
输出OFF
睡眠模式
分钟。
8
0
3.0
0.7
×
V
DD
V
IN
= 0.7
×
V
DD
V
IN
= 0.3
×
V
DD
操作
–20
–20
0
0.7
×
V
DD
V
REF
= 2 V,
相电流=
38.27%
V
REF
= 2 V,
相电流
= 70.71%
V
REF
= 2 V,
相电流
= 100.00%
R
T
= 56 kΩ的,C
T
= 680 pF的
R
T
= 56 kΩ的,C
T
= 680 pF的
同步整流启用
1
700
30
100
典型值。
1
<1.0
<1.0
0.28
0.22
5.0
<1.0
<1.0
0
0.6
×
V
DD
0.21
×
V
DD
950
38
475
马克斯。
35
35
20
–20
0.335
0.265
1.4
1.4
8.0
6.0
20
5.5
12
10
20
0.3
×
V
DD
20
20
V
DD
±3
0.3
×
V
DD
±10
±5.0
±5.0
1200
46
800
单位
V
V
μA
μA
Ω
Ω
V
V
mA
mA
μA
V
mA
mA
μA
V
V
μA
μA
V
μA
V
V
V
V
%
%
%
μs
ns
μs
ns
V
BB
I
DSS
R
DS ( ON)
V
F
I
BB
电机电源电流
控制逻辑
逻辑电源电压范围
逻辑电源电流
V
DD
I
DD
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
V
REF
I
REF
逻辑输入电压
逻辑输入电流
2
参考输入电压范围
参考输入电流
首页输出电压
混合衰减模式跳变点
V
HOME(1)
I
HOME(1)
= –200
μA
V
HOME(0)
I
HOME(0)
= 200
μA
V
PFDH
V
PFDL
E
G
增益(G
m
)错误
3
步脉冲宽度
空白时间
固定关断时间
交叉死区时间
t
W
t
空白
t
关闭
t
DT
续下页...
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A3979
DMOS细分驱动器与翻译
电气特性,继续
在T
A
= 25 ° C,V
BB
= 35 V, V
DD
= 3.0 5.5 V, (除非另有说明)
特征
热关断温度
热关断迟滞
UVLO阈值启用
UVLO迟滞
符号
测试条件
T
JSD
T
JSDhys
V
UVLO
增V
DD
V
UVLOHYS
分钟。
2.45
0.05
典型值。
1
165
15
2.7
0.10
马克斯。
2.95
单位
°C
°C
V
V
1
典型的数据是初步设计估算而已,并承担优化生产和应用条件。性能可能会有所不同
个别单位内的特定网络版最高和最低限额。
2
负电流定义为自出(从采购)指定的器件引脚。
3
E = ( [V
G
REF
/ 8] – V
SENSE
) / ( V
REF
/ 8 ).
热特性可能需要降额在最大条件,请参阅应用信息
特征
符号
测试条件*
双层PCB板3.8英寸
2
每面铜区
有散热孔和器件裸露焊盘连接
高K PCB (多层有显著铜区域,
根据JEDEC标准)
价值
32
28
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
封装热阻
R
θJA
*可在快板网站更多热量信息。
最大功耗,P
D(最大)
5.0
4.5
4.0
H
(R igh-
θ
J
A
功耗,P
D
(W)
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
2-
La
ye
rP
)
(R
CB瓦特
第i个
θ
J
A
=
3
32
在0.8
2
C
co
/W
pp
er
)
p
K
- PCB
28
C
/W
er
s
IDE
20
40
60
80
100
120
温度(℃)
140
160
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A3979
微DMOS驱动器与翻译
套餐LP , 28引脚TSSOP
有外露散热垫
SENSE1 1
网站首页2
DIR 3
OUT1A 4
PFD 5
RC1 6
AGND 7
REF 8
RC2 9
VDD 10
OUT2A 11
MS2 12
MS1 13
14 SENSE2
AGND
PWM
定时器
收费
28 VBB1
27 SLEEP
26 ENABLE
25 OUT1B
24 CP2
翻译者
控制
逻辑
23 CP1
22 VCP
21 PGND
REG
20 VREG
19步骤
18 OUT2B
17 RESET
16 SR
15 VBB2
该A3979是完整的微电机驱动器带有内置
翻译,设计成一个引脚兼容的替代产品成功
A3977 ,具有增强微(
1
/
16
步骤)的精度。它被设计
操作双极步进电机在全,半,四分之一和sixteenth-
步模式,具有高达35伏特的输出驱动能力和± 2.5 A的
A3979包括一个固定关断时间电流稳压器,有能力
工作在慢,快或混合衰减模式。此电流衰减
控制方案能减少可听到的电动机噪音,增加步进
精确度并减少功耗。
翻译的关键是易于实施的A3979的。它
允许一个脉冲的步骤针的简单的输入来驱动电动机
一个微步,它可以是一个完整的步骤,半,四分之一,或第十六,
视的MS1和MS2的逻辑输入设定。没有
相位顺序表,高频率控制行或复杂的间
面进行编程。该A3979界面非常适合应用
复杂的微处理器不可用或过载。
内部同步整流控制电路用来
提高PWM工作期间的功耗。内部电路
保护包括:带滞后, UVLO (欠压过热关机
欠压锁定) ,以及交叉电流保护。特殊的上电
不要求顺序。
该A3979是一个低调的提供(最大高度
1.20 mm),
28引脚TSSOP封装,带有裸焊盘的热。该软件包是一个用
铅(Pb )的免费版本,采用100%雾锡电镀引脚框。
÷8
保护地
必须是
在外部连接在一起。
大致比例为1 : 1
绝对最大额定值
负载电源电压,V
BB
...................................35
V
输出电流,I
OUT
......................................
±2.5 A
*
逻辑电源电压,V
DD
...............................7.0
V
逻辑输入电压范围,V
IN
t
W
> 30纳秒........................
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
t
W
< 30纳秒..............................
-1 V到V
DD
+ 1 V
检测电压,V
SENSE
.......................................0.5
V
参考电压,V
REF
......................................V
DD
封装功耗,P
D
.................见
第5页
工作温度范围
环境,T
A
,范围S ...................
-20 ° C至85°C
结温,T
J(下最大)
.....................150°C
贮藏温度,T
S
....................
-55_C到150_C
*
输出电流额定值可通过占空比的限制,
特点
± 2.5 A , 35 V输出额定值
低R
DS ( ON)
输出: 0.28
Ω
源, 0.22
Ω
水槽,典型的
自动电流衰减模式检测/选择
3.0 5.5 V逻辑电源电压范围
慢,快或混合电流衰减模式
首页输出
同步整流,阳离子以实现低功耗
内部欠压锁定和热关断电路
交叉电流保护
环境温度,并散热。在任何一组
的条件下,不超过规定的额定电流或
为150℃的结温。
订购时请使用以下完整的零件号:
产品型号
A3979SLP
A3979SLP-T
无铅
是的
环境,T
A
(°C)
-20到85
26184.23
A3979
DMOS细分驱动器与翻译
功能框图
0.22 F
0.22 F
VREG
逻辑
供应
VDD
UVLO和
故障
调节器
带隙
2V
CP2
CP1
收费
VCP
参考
供应
REF
DAC
DMOS全桥
0.22 F
负载
供应
VBB1
>47 μF
4
OUT1A
OUT1B
PWM定时器:
PWM锁存器
消隐
混合衰减
DRIVE
4
控制
逻辑
DMOS全桥
VBB2
RC1
R
T1
C
T1
DIR
RESET
MS1
MS2
睡觉
SR
启用
V
PFD
PFD
0.1 F
RC2
PWM定时器:
PWM锁存器
消隐
混合衰减
OUT2A
OUT2B
翻译者
SENSE1
R
S1
C
S1
SENSE2
R
T2
C
T2
DAC
R
S2
C
S2
裸露的散热焊盘
AGND
保护地
(必选)
26184.23
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115东北托夫,箱15036
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2
A3979
DMOS细分驱动器与翻译
电气特性
在T
A
= 25 ° C,V
BB
= 35 V, V
DD
= 3.0 5.5 V, (除非另有说明)
特征
输出驱动器
负载电源电压范围
输出漏电流
2
输出导通电阻
体二极管正向电压
符号
测试条件
操作
在睡眠模式
V
OUT
= V
BB
V
OUT
= 0 V
源极驱动器,我
OUT
= –2.5 A
源极驱动器,我
OUT
= 2.5 A
来源二极管,我
F
= –2.5 A
沉二极管,我
F
= 2.5 A
f
PWM
< 50千赫
操作时,输出禁用
睡眠模式
操作
f
PWM
< 50千赫
输出OFF
睡眠模式
分钟。
8
0
3.0
0.7
×
V
DD
V
IN
= 0.7
×
V
DD
V
IN
= 0.3
×
V
DD
操作
–20
–20
0
0.7
×
V
DD
V
REF
= 2 V,
相电流=
38.27%
V
REF
= 2 V,
相电流
= 70.71%
V
REF
= 2 V,
相电流
= 100.00%
R
T
= 56 kΩ的,C
T
= 680 pF的
R
T
= 56 kΩ的,C
T
= 680 pF的
同步整流启用
1
700
30
100
典型值。
1
<1.0
<1.0
0.28
0.22
5.0
<1.0
<1.0
0
0.6
×
V
DD
0.21
×
V
DD
950
38
475
马克斯。
35
35
20
–20
0.335
0.265
1.4
1.4
8.0
6.0
20
5.5
12
10
20
0.3
×
V
DD
20
20
V
DD
±3
0.3
×
V
DD
±10
±5.0
±5.0
1200
46
800
单位
V
V
μA
μA
Ω
Ω
V
V
mA
mA
μA
V
mA
mA
μA
V
V
μA
μA
V
μA
V
V
V
V
%
%
%
μs
ns
μs
ns
V
BB
I
DSS
R
DS ( ON)
V
F
I
BB
电机电源电流
控制逻辑
逻辑电源电压范围
逻辑电源电流
V
DD
I
DD
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
V
REF
I
REF
逻辑输入电压
逻辑输入电流
2
参考输入电压范围
参考输入电流
首页输出电压
混合衰减模式跳变点
V
HOME(1)
I
HOME(1)
= –200
μA
V
HOME(0)
I
HOME(0)
= 200
μA
V
PFDH
V
PFDL
E
G
增益(G
m
)错误
3
步脉冲宽度
空白时间
固定关断时间
交叉死区时间
t
W
t
空白
t
关闭
t
DT
续下页...
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DMOS细分驱动器与翻译
电气特性,继续
在T
A
= 25 ° C,V
BB
= 35 V, V
DD
= 3.0 5.5 V, (除非另有说明)
特征
热关断温度
热关断迟滞
UVLO阈值启用
UVLO迟滞
符号
T
JSD
T
JSDhys
V
UVLO
增V
DD
V
UVLOHYS
测试条件
分钟。
2.45
0.05
典型值。
1
165
15
2.7
0.10
马克斯。
2.95
单位
°C
°C
V
V
1
典型的数据是初步设计估算而已,并承担优化生产和应用条件。性能可能会有所不同
个别单位内的特定网络版最高和最低限额。
2
负电流定义为自出(从采购)指定的器件引脚。
3
E = ( [V
G
REF
/ 8] – V
SENSE
) / ( V
REF
/ 8 ).
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A3979
DMOS细分驱动器与翻译
热特性可能需要降额在最大条件,请参阅应用信息
特征
符号
测试条件*
双层PCB板3.8英寸
2
每面铜区
有散热孔和器件裸露焊盘连接
高K PCB (多层有显著铜区域,
根据JEDEC标准)
价值
32
28
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
封装热阻
R
θJA
*可在快板网站更多热量信息。
最大功耗,P
D(最大)
5.0
4.5
4.0
H
(R igh-
θ
J
A
功耗,P
D
(W)
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
2-
La
ye
rP
)
(R
CB瓦特
第i个
θ
J
A
=
3
32
在0.8
2
C
co
/W
pp
er
)
p
K
- PCB
28
C
/W
er
SID
e
20
40
60
80
100
120
温度(℃)
140
160
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A3979
微DMOS驱动器与翻译
特点和优点
± 2.5 A , 35 V输出额定值
低R
DS ( ON)
输出: 0.28
Ω
源, 0.22
Ω
水槽,典型的
自动电流衰减模式检测/选择
3.0 5.5 V逻辑电源电压范围
慢,快或混合电流衰减模式
首页输出
同步整流,阳离子以实现低功耗
内部欠压锁定和热关断电路
交叉电流保护
描述
该A3979是完整的微电机驱动器与
内置转换器,设计为引脚兼容的替代品
成功的A3977 ,具有增强微(
1
/
16
步骤)
精度。它的设计操作双极步进电机
全,半,四分之一及1/16步进模式,具有输出
高达35 V和± 2.5 A.硬盘容量的A3979包括
固定关断时间电流调节器,其具有在运行的能力
慢,快或混合衰减模式。此电流衰减控制
方案能减少可听到的电动机噪音,增加步进
精确度并减少功耗。
翻译的关键是易于实施的
A3979 。它允许在步骤一脉的简单的输入
引脚驱动电动机产生微,它可以是一个完整的
工序中,半,四分之一,或第十六,视的设定
MS1和MS2逻辑输入。有没有相位顺序表,
高频率控制行或复杂的界面。
该A3979界面非常适合应用场合
复杂的微处理器不可用或过载。
提供内部同步整流控制电路
PWM操作过程中的功耗。国内
电路保护包括:带滞后的过热关机,
UVLO (欠压锁定) ,以及交叉电流
保护。不需要特别的加电排序。
续下页...
封装:28引脚TSSOP封装(后缀LP )与
裸露的散热焊盘
装置图
SENSE1 1
网站首页2
DIR 3
OUT1A 4
PFD 5
RC1 6
AGND 7
REF 8
RC2 9
VDD 10
OUT2A 11
MS2 12
MS1 13
14 SENSE2
÷8
PWM
定时器
收费
28 VBB1
27 SLEEP
26 ENABLE
25 OUT1B
24 CP2
翻译者
控制
逻辑
23 CP1
22 VCP
21 PGND
REG
20 VREG
19步骤
18 OUT2B
17 RESET
16 SR
15 VBB2
保护地
必须是
在外部连接在一起
AGND
26184.23C
A3979
DMOS细分驱动器与翻译
描述(续)
该A3979是一个低调的提供(最大高度
1.20毫米) , 28引脚TSSOP封装,带有裸焊盘的热。该
封装采用无铅( Pb)的免费版本,采用100%
雾锡电镀引脚框。
选购指南
产品型号
A3979SLP-T
A3979SLPTR-T
无铅*
是的
是的
填料
每管50件
每卷4000件
* PB为基础的变种被淘汰的产品线。引用的变种
这个脚注在生产,但已被确定为最后一次购买。这
分类表示,出售该设备目前仅限于现有的客
在客户应用。变体不应该被用于新的设计应用购买
因为过时,在不久的将来很可能。样品将不再可用。
状态变化: 10月31日, 2006年的截止日期最后一次购买的订单:四月
27 , 2007.These变体包括: A3979SLP和A3979SLPTR 。
绝对最大额定值
负载电源电压
输出电流
逻辑电源电压
逻辑输入电压范围
检测电压
参考电压
封装功耗
工作环境温度
结温
储存温度
V
BB
I
OUT
V
DD
V
IN
V
SENSE
V
REF
P
D
T
A
T
J
(最大)
T
英镑
请参见第5页
范围S
-20到85
150
-55到150
°C
°C
°C
t
W
> 30纳秒
t
W
< 30纳秒
输出电流额定值可通过占空比的限制,
环境温度,并散热。在任何一组
的条件下,不超过规定的额定电流或
为150℃的结温。
35
±2.5
7.0
-0.3到V
DD
+ 0.3
± 1 V
DD
+ 1
0.5
V
DD
V
A
V
V
V
V
V
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115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
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2
A3979
DMOS细分驱动器与翻译
功能框图
0.22 F
0.22 F
VREG
逻辑
供应
VDD
UVLO和
故障
调节器
带隙
2V
CP2
CP1
收费
VCP
参考
供应
REF
DAC
DMOS全桥
0.22 F
负载
供应
VBB1
>47 μF
4
OUT1A
OUT1B
PWM定时器:
PWM锁存器
消隐
混合衰减
DRIVE
4
控制
逻辑
DMOS全桥
VBB2
RC1
R
T1
C
T1
DIR
RESET
MS1
MS2
睡觉
SR
启用
V
PFD
PFD
0.1 F
RC2
PWM定时器:
PWM锁存器
消隐
混合衰减
OUT2A
OUT2B
翻译者
SENSE1
R
S1
C
S1
SENSE2
R
T2
C
T2
DAC
R
S2
C
S2
裸露的散热焊盘
AGND
保护地
(必选)
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A3979
DMOS细分驱动器与翻译
电气特性
在T
A
= 25 ° C,V
BB
= 35 V, V
DD
= 3.0 5.5 V, (除非另有说明)
特征
输出驱动器
负载电源电压范围
输出漏电流
2
输出导通电阻
体二极管正向电压
符号
测试条件
操作
在睡眠模式
V
OUT
= V
BB
V
OUT
= 0 V
源极驱动器,我
OUT
= –2.5 A
下沉式驱动器,我
OUT
= 2.5 A
来源二极管,我
F
= –2.5 A
沉二极管,我
F
= 2.5 A
f
PWM
< 50千赫
操作时,输出禁用
睡眠模式
操作
f
PWM
< 50千赫
输出OFF
睡眠模式
分钟。
8
0
3.0
0.7
×
V
DD
V
IN
= 0.7
×
V
DD
V
IN
= 0.3
×
V
DD
操作
–20
–20
0
0.7
×
V
DD
V
REF
= 2 V,
相电流=
38.27%
V
REF
= 2 V,
相电流
= 70.71%
V
REF
= 2 V,
相电流
= 100.00%
R
T
= 56 kΩ的,C
T
= 680 pF的
R
T
= 56 kΩ的,C
T
= 680 pF的
同步整流启用
1
700
30
100
典型值。
1
<1.0
<1.0
0.28
0.22
5.0
<1.0
<1.0
0
0.6
×
V
DD
0.21
×
V
DD
950
38
475
马克斯。
35
35
20
–20
0.335
0.265
1.4
1.4
8.0
6.0
20
5.5
12
10
20
0.3
×
V
DD
20
20
V
DD
±3
0.3
×
V
DD
±10
±5.0
±5.0
1200
46
800
单位
V
V
μA
μA
Ω
Ω
V
V
mA
mA
μA
V
mA
mA
μA
V
V
μA
μA
V
μA
V
V
V
V
%
%
%
μs
ns
μs
ns
V
BB
I
DSS
R
DS ( ON)
V
F
I
BB
电机电源电流
控制逻辑
逻辑电源电压范围
逻辑电源电流
V
DD
I
DD
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
V
REF
I
REF
逻辑输入电压
逻辑输入电流
2
参考输入电压范围
参考输入电流
首页输出电压
混合衰减模式跳变点
V
HOME(1)
I
HOME(1)
= –200
μA
V
HOME(0)
I
HOME(0)
= 200
μA
V
PFDH
V
PFDL
E
G
增益(G
m
)错误
3
步脉冲宽度
空白时间
固定关断时间
交叉死区时间
t
W
t
空白
t
关闭
t
DT
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A3979
DMOS细分驱动器与翻译
电气特性,继续
在T
A
= 25 ° C,V
BB
= 35 V, V
DD
= 3.0 5.5 V, (除非另有说明)
特征
热关断温度
热关断迟滞
UVLO阈值启用
UVLO迟滞
符号
T
JSD
T
JSDhys
V
UVLO
增V
DD
V
UVLOHYS
测试条件
分钟。
2.45
0.05
典型值。
1
165
15
2.7
0.10
马克斯。
2.95
单位
°C
°C
V
V
1
典型的数据是初步设计估算而已,并承担优化生产和应用条件。性能可能会有所不同
个别单位内的特定网络版最高和最低限额。
2
负电流定义为自出(从采购)指定的器件引脚。
3
E = ( [V
G
REF
/ 8] – V
SENSE
) / ( V
REF
/ 8 ).
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