C
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=5.8A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4.8A
正向跨导
二极管的正向电压
VDS = 5V ， ID = 5.8A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.5
64
18.4
26.2
24.5
22
0.75
1
2.5
373
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
67
41
1.8
7.1
VGS = 10V ， VDS = 15V ， ID = 5.8A
3.3
1.4
1.7
4.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.6,
R
根
=3
I
F
= 5.8A ，的di / dt = 100A / μs的
2.4
14.8
2.5
10.5
4.5
12.6
6.5
2.8
11
448
25
36
35
2.1
民
30
1
5
100
2.6
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 5.8A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F.The电流额定值是基于T≤ 10秒热阻率。
Rev4 May.2012
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
4
6
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
8
V
DS
=15V
I
D
=5.8A
电容（pF）
600
500
400
300
200
100
0
0
C
RSS
10
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
30
C
OSS
C
国际空间站
100.0
30
10s
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
功率（W）的
100s
1ms
10ms
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
0.1s
10s
0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0.001
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
0.01
0.1
20
1.0
10
0.0
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=125°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
0.001
0.01
100
1000
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AO3404A
N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AO3404A采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或PWM应用。源极引线被分离以
允许一个开尔文连接到源，其可以被用来绕过源电感。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 5.8A
R
DS （ ON）
< 25MΩ
R
DS （ ON）
< 35mΩ
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 4.5V)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
A，F
漏电流脉冲
功耗
B
最大
30
±20
5.8
4.9
64
1.4
0.9
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
65
85
63
最大
90
125
80
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
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AO3404A
N沟道增强型场
场效应晶体管
C
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=5.8A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4.8A
正向跨导
二极管的正向电压
VDS = 5V ， ID = 5.8A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.5
64
18.4
26.2
24.5
22
0.75
1
2.5
373
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
67
41
1.8
7.1
VGS = 10V ， VDS = 15V ， ID = 5.8A
3.3
1.4
1.7
4.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.6,
R
根
=3
I
F
= 5.8A ，的di / dt = 100A / μs的
2.4
14.8
2.5
10.5
4.5
12.6
6.5
2.8
11
448
25
36
35
2.1
民
30
1
5
100
2.6
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 5.8A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F.The电流额定值是基于T≤ 10秒热阻率。
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本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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N沟道增强型场
场效应晶体管
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
4
6
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
8
V
DS
=15V
I
D
=5.8A
电容（pF）
600
500
400
300
200
100
0
0
C
RSS
10
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
30
C
OSS
C
国际空间站
100.0
30
10s
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
功率（W）的
100s
1ms
10ms
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
0.1s
10s
0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0.001
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
0.01
0.1
20
1.0
10
0.0
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=125°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.1
1
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脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
0.001
0.01
100
1000
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