AM93LC86
16384位串行电可擦除的PROM
特点
架构的国家的最先进的
- 非易失性数据存储
- 标准电压和低电压操作
VCC： 2.7V 5.5V
- 全TTL兼容的输入和输出
- 自动递增读高效的数据转储
硬件和软件写保护
- 软件设置为写使能/禁用
- VCC级验证之前，自定时
编程周期
多功能，易于使用的界面
- 自定时编程周期
- 自动擦除前写
- 编程状态指示灯
- Word和芯片擦除
- 停止SK随时以节省功耗
耐用性和可靠性
- 64年的数据保存
- 1M的最低写入每个字周期
- 无限的读周期
- ESD保护
（初步）
概述
该AM93LC86是16384位非易失性串行
EEPROM 。该AM93LC86提供高效
非易失性读/写存储器布置为1024
16位每个字的时候ORG引脚
连接到每个字节8位VCC和2048字
当它被连接到地。所述指令集
包括读，写和写使能/禁止
功能。的数据输出引脚（ DO）的指示
该装置的过程中状态的自定时
非易失性编程周期。
自定时写周期包括一个自动
先擦后写的能力。只有当芯片
在写使能状态和正确的Vcc操作
范围被写入指令被接受，从而
防止意外写入。数据被写在
每个写入指令的16位到选定的
注册。如果片选（ CS ）之后所带来的高
在写周期的开始时，数据输出（ DO）的销
将显示芯片的读/忙状态。
该AM93LC86可在节省空间的8引脚
PDIP ， SOP和TSSOP封装。
引脚分配
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚说明
（注）
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
ORG
GND
CS
SK
DI
DO
VCC
WP
ORG
GND
PDIP封装
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
SOP封装
VCC
WP
ORG
GND
名字
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
WP
ORG
描述
芯片选择
串行时钟
数据输入
数据输出
地
电源
写保护（低电平有效）
组织
注意：
见引脚说明（续）了解更多详情
TSSOP封装
订购信息
AM93 LC 86 X X X
工作电压
立法会： 2.7V 5.5V ， CMOS
TYPE
86: 16K
温度。等级
o
o
空白：
0 有限公司
+
70合作
I :
40 C ~
+
85 C
包
S： SOP- 8L
N： PDIP -8L
TS ： TSSOP -8L
填料
空白：管
答：大坪
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此产品。在任何授权不得销售该产品。
REV 0.1 2003年10月20日
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AM93LC86
16384位串行电可擦除的PROM
框图
（初步）
数据寄存器
虚位
DO
DI
指令
注册
（ 13/14位）
R / W的AMPS
CS
指令
译码控制
和
时钟发生器
地址寄存器
解码器
EEPROM
ARRAY
(1024 X 16)
or
(2048 X 8)
VCC
SK
V
CC
范围
探测器
WP
写使能
高压
发电机
GND
ORG
绝对最大额定值
符号
T
英镑
V
CC
T
OP
参数
储存温度
电压对地
在偏置温度
等级
-65到+125
-0.3 + 6.5
0至+ 70
单位
°C
V
°C
注意：
这些只是应力额定值。操作这些设备在其他地方给予永久损坏适当的条件
的一部分。长时间暴露在最大额定值可能会影响器件的可靠性。
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REV 0.1 2003年10月20日
AM93LC86
16384位串行电可擦除的PROM
引脚电容
（注）
(T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
符号
C
OUT
C
IN
参数
输出电容
输入电容
最大
5
5
单位
pF
pF
（初步）
注意：
该参数的特点，而不是100％测试。
指令集
指令
读
EWEN
写
WRAL
EWDS
抹去
ERAL
注意：
阅读：阅读
EWEN ：擦除/写使能
WRITE ：写
WRAL ：写所有
（注）
开始位
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
01
00
00
11
00
地址
X8
A
10
~ A
0
11XXXXXXXXX
A
10
~ A
0
01XXXXXXXXX
00XXXXXXXXX
A
10
~ A
0
10XXXXXXXXX
X16
A
9
~ A
0
11XXXXXXXX
A
9
~ A
0
01XXXXXXXX
00XXXXXXXX
A
9
~ A
0
10XXXXXXXX
输入数据
×
8
×
16
-
-
-
-
D
7
– D
0
D
15
- D
0
D
7
– D
0
D
15
- D
0
-
-
-
-
-
-
EWDS ：擦除/写入禁止
删除：删除
ERAL ：清除所有
功能说明
耐力和数据保留
该AM93LC86是专为应用程序
需要高达100万次的编程（写，
WRAL ， EARSE和ERAL ） 。它提供了40年
安全的数据保存。
设备操作
该AM93LC86由7 13位控制
指令。指令移入（串行）上
DI引脚。每个指令开始的逻辑"1"
（起始位） 。这之后是操作码（2位） ，
该地址字段（10/11位） ，和数据，如果
拨,.该时钟信号（SK）可以停止
在任何时间和AM93LC86将保持在其最后的
状态。这使得完全静态的灵活性和最大的
节能。
自动递增读操作
连续读取是可能的，因为AM93LC86
已被设计为输出一连续的流
的响应存储器内容到一个单一的
读
操作指令。利用该功能，
系统发出一个读指令指定开始
位置的地址。一次的8位或16位
寻址字已经同步输出，在数据
连续升高的地址位置被输出。
该地址将不断换用CS各地
高，直到片选（ CS ）控制引脚带
低。这使得单指令数据转储到
可以用最少的开销固件执行。
读（ READ ）
READ指令是唯一的指令
在DO引脚输出串行数据。后读出的
指令和地址已经被解码，数据是
从所选择的存储器寄存器转移到
一个8位或16位的串行移位寄存器。 （请注意
一个逻辑"0"位先于实际的8位或
16位输出数据串。 ）在DO输出
在SK的上升沿的过渡变化。
（示于图3）
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REV 0.1 2003年10月20日
AM93LC86
16384位串行电可擦除的PROM
功能说明
擦除/写使能（ EWEN ）
在任何设备编程（写， WRAL ，
擦除和ERAL ）可以做的， EWEN
指令必须被首先执行。当VCC
应用，该器件在该EWDS状态。
那么该设备仍处于擦除/写入禁止
（ EWDS）状态，直到EWEN指令被执行。
此后该设备仍处于启用状态，直到
EWDS指令被执行，或者直到Vcc为
删除。 （如图4所示）
注意：无论是EWEN还是EWDS指令
对READ指令有任何影响。
擦除/写禁止（ EWDS ）
擦除/写入禁止（ EWDS ）指令
禁用所有的编程能力。这保护
针对意外修改整个零件
数据直到EWEN指令被执行。 （当
Vcc加，这部分上电时处于EWDS
状态）来保护数据，一个EWDS指令应
每个编程完成时被执行
操作。
注意：
无论是EWEN还是EWDS指令有任何影响
READ指令。 （如图5所示）
（初步）
之前写指令可以被执行，则
设备必须在写使能（ WEN ）的状态。
写入所有（ WRAL ）
写所有（ WRAL ）教学计划全部
在指定的数据模式寄存器
指令。而WRAL指令是
加载时，地址字段成为一个序列
不 - CARE位。 （图7中所示）
与WRITE指令，如果CS被
的为250ns （ TCS ）的最小等待后高，溶解氧
引脚指示芯片的READY / BUSY状态。
（图7中所示）
擦除（ ERASE ）
擦除指令输入后， CS必须
拉低。 CS的下降沿启动
自定时内部编程周期。将CS
最低TCS后高，会导致DO到
表明在芯片的读/ BUSY状态。对
解释这一点，逻辑"0"表示编程
仍在进行中的同时逻辑"1"指示
擦除周期完成，部分已准备好
另一个指令。 （示于图8）
清除所有（ ERAL ）
整片擦除提供了易于编程。
擦除整个芯片包括设置在所有位
整个存储器阵列的逻辑"1". （图中所示为
图9）
写（ WRITE）
WRITE指令包含的8位或16位
数据被写入到指定的寄存器中。后
最后一个数据位已经被应用到DI和前
的SK ， CS的下一个上升沿必须拉低。
CS的下降沿启动自定时
编程周期。后为250ns最小的等待
从CS （ TCS ）的下降沿（ 5V操作） ， DO
将显示芯片，如果的READY / BUSY状态
CS为高电平。这意味着，逻辑"0"
意味着编程仍在进展的同时
逻辑"1"表示所选择的寄存器已
写的，部分是准备执行下一条指令。
（如图6所示）
注意：
CS高时，DI高的和组合的上升沿
SK时钟，复位READY / BUSY标志。因此，它是
如果您要访问的READY / BUSY标志，并不重要
通过控制信号的这种组合，其重置。
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