AMMP-6232
？ 8 32 GHz的砷化镓高线性度LNA采用SMT封装
数据表
描述
Avago的AMMP - 6232是一款易于使用的宽带，高
增益，在表面的高线性度低噪声放大器安装
封装。宽带无条件稳定
性能使得这款MMIC理想作为主要或子
低噪声区块或发射器的驱动程序。该MMIC
has 4 gain stages and requires a 4V, 138mA power supply
为获得最佳性能。由于该MMIC介绍了几个
乐队，它可以减少一部分库存，提高音量
购买选项MMIC采用PHEMT制造
技术。表面贴装封装消除了
需要“芯片&线”组装以降低成本。这是MMIC
全SMT与背面接地和I / O兼容。
特点
Surface Mount Package, 5.0 x 5.0 x 1.25 mm
单电源引脚
无条件稳定
50Ohm Input and Output Match
产品规格（ VDD = 4.0V ，国际长途= 138毫安）
RF频率： 18 - 32 GHz的
高输出IP3 ：为29dBm
高的小信号增益： 23分贝
典型噪声系数： 3分贝
引脚连接（顶视图）
1
2
3
100pF
应用
针
1
2
3
4
5
6
7
8
功能
VDD
RFOUT
Vg
RFIN
8
100pF
4
7
6
5
微波无线电系统
卫星VSAT ， DBS上/下行链路
LMDS &点对点微米长途
宽带无线接入
(including 802.16 and 802.20 WiMax)
WLL和MMDS回路
商用级军事
注意：
1.本MMIC采用耗尽型pHEMT器件。
2.负电压，用于栅极偏置
顶视图
包装基地： GND
注意事项：
请遵守注意事项
静电处理
敏感的设备。
ESD机模型（ A类）
ESD人体模型（ 1A级）
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治
绝对最大额定值
[1]
参数/条件
漏极对地电压
栅 - 漏电压
漏电流
栅极偏置电压
栅极偏置电流
CW RF输入功率最大
最大通道温度
储存温度
最高温度大会
符号
VDD
VGD
国际直拨电话
Vg
Ig
针
总胆固醇
TSTG
TMAX
单位
V
V
mA
V
mA
DBM
C
C
C
最大
5.5
-8
200
+0.8
0
+50
-65 +50
260对20多岁
1.操作超过任何这些条件可能会导致该器件造成永久性损坏。为Vdd时， VGD ，国际直拨电话的绝对最大额定值，
Vg, Ig and Pin were determined at an ambient temperature of 25°C unless noted otherwise.
DC规格/物理性能
[2]
参数和测试条件
漏极供电电流（VD = 4.0 V）
漏极供电电压
栅极偏置电流
栅极偏置电压
热阻（ 3 ）
符号
国际直拨电话
Vd
Ig
Vg
θJC
单位
mA
V
mA
V
° C / W
-.
3
民
典型值
35
4
0.
-0.95
35.
-0.8
最大
50
5
2.环境工作温度TA = 25°C除非另有说明
3.通道到背面热阻（ Tchannel = 34 ℃）使用红外显微镜测量。在热阻
backside temp. (Tb) = 25°C calculated from measured data.
AMMP - 6232 RF规格
[4]
TA= 25°C, Vdd = 4.0 V, Idd =135 mA, Zo=50 W
参数和测试条件
小信号增益
[5]
噪声系数为50W
[5]
输出功率？ 1dB增益压缩
输出功率3分贝增益压缩
输出三阶截点
隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
频率。 （千兆赫）
20, 26, 29
20, 26, 29
符号
收益
NF
P- ？分贝
PSAT
OIP3
ISO
RLIN
RLOUT
单位
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
最低
9
典型
23
3
8
20
29
-45
-0
-0
4.5
最大
西格玛
4.参考特征曲线进行详细的个人高频性能。
5.所有测试参数与保证测量精度± 1.5分贝增益和± 0.4分贝为NF 。
2
AMMP - 6232典型性能
[1], [2]
(T
A
= 25°C, Vdd=4V, Idd=138mA, Z
in
= Z
OUT
= 50 W unless noted)
40
30
S21 （ dB）的
20
10
0
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
噪声系数（ dB）的
5
4
3
2
1
0
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
图1.小信号增益
0
图2.噪声系数
20
的OP1dB （ dBm的）
15
10
5
0
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
-5
S11（ dB）的
-10
-15
-20
-25
15
20
25
30
35
频率（GHz ）
图3.输入回波损耗
0
图4.输出P- 1分贝
30
OIP3 （ dBm的）
25
20
15
10
5
18
20
22
24
26
28
30
32
-5
S22 （ dB）的
-10
-15
-20
-25
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
频率（GHz ）
图5.输出回波损耗
图6.输出IP3
注意：
1. S参数上R&D评估板测量如图20所示的连接器和电路板迹线的作用都包含在结果中。
2.噪声图上测量R&D评估板，如图20 ，并用一个3dB垫在输入。板和连接器的损耗已经DE-
从数据包埋。
3
AMMP - 6232典型性能（续）
(T
A
= 25°C, Vdd=4V, Idd=138mA, Z
in
= Z
OUT
= 50 W unless noted)
-20
-30
S12 （ dB）的
200
170
IDD （MA ）
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
-40
-50
-60
-70
140
110
80
50
3
3.5
4
Vdd的（V）的
4.5
5
图7.隔离
40
图8.总电流
5
噪声系数（ dB）的
30
S21 （ dB）的
20
10
0
15
20
25
30
频率（GHz ）
4V
5V
3V
4
3
2
1
0
3V
4V
5V
18
20
22
24
26
28
30
32
35
频率（GHz ）
图9.增益过的Vdd
图10.噪声系数过的Vdd
0
-5
-10
-15
-20
-25
15
4V
3V
5V
0
-5
S22 （ dB）的
-10
-15
-20
-25
-30
35
S11（ dB）的
4V
5V
3V
20
25
30
频率（GHz ）
15
20
25
30
频率（GHz ）
35
在VDD图11.输入回波损耗
图12.输出回波损耗过的Vdd
4
AMMP - 6232典型性能（续）
(T
A
= 25°C, Vdd=4V, Idd=138mA, Z
in
= Z
OUT
= 50 W unless noted)
25
的OP1dB （ dBm的）
OIP3 （ dBm的）
35
30
25
20
15
10
5
3V
4V
5V
20
15
3V
10
5
18
20
22
24
26
28
4V
5V
30
32
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图13.输出P- 1分贝过的Vdd
40
30
S21 （ dB）的
20
10
0
15
20
25
30
频率（GHz ）
25C
85C
-40C
图14.输出IP3过的Vdd
5
噪声系数（ dB）的
4
3
2
1
0
-40C
25C
85C
35
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
图15.增益温度过高
0
-5
S11（ dB）的
图16.噪声系数温度过高
0
-5
S22 （ dB）的
-10
-15
-20
-25
-30
25C
85C
-40C
-10
-15
-20
-25
15
25C
-40C
85C
20
25
30
频率（GHz ）
35
15
20
25
30
频率（GHz ）
35
图17.输入回波损耗温度过高
图18.输出回波损耗温度过高
5
QQ：2881677436 复制
