AMMC - 6430
25 - 33 GHz功率放大器
数据表
芯片尺寸： 2500 X 1750微米（ 100× 69密耳）
芯片尺寸公差： ± 10微米（ ± 0.4密耳）
芯片厚度： 100 ± 10微米（ 4 ± 0.4密耳）
垫尺寸： 100 x 100微米（ 4 ± 0.4密耳）
描述
The AMMC-6430 MMIC is a broadband nearly 1W power
放大器在操作发射器，设计用于
in various frequency bands between 25GHz and 33GHz.
此MMIC为线性运算，其输出优化
third order intercept point (OIP3) of 37dBm. At 30GHz it
提供的输出功率（ P- 1分贝）和其17dB的为29dBm
获得。该装置具有输入和输出匹配电路
for use in 50 environments. The AMMC-6430 also inte-
炉排温度补偿的RF功率检测
circuit that enables power detection of 0.3V/W. DC bias is
simple and the device operates on widely available 5.5V for
电流源（仅在需要对Vg的负电压）。这是
制作一个PHEMT工艺具有出色的功率和
提高性能。为改进可靠性和湿气
保护，芯片钝化在有源区。
特点
宽的频率范围： 25 - 33 GHz的
高增益： 17分贝
电源： @ 30 GHz时， P- 1分贝= 29 dBm的
高线性度： OIP3 = 37dBm
集成的RF功率检波器
5.5伏-0.7伏， 900毫安操作
应用
微波无线电系统
卫星VSAT和DBS系统
LMDS &点对点微米长途
802.16 & 802.20的WiMax宽带无线接入
WLL和MMDS回路
商用级军事
可以通过AMMC - 6345驱动，整体increasingluding
获得。
AMMC - 6430绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
V
g
I
d
P
in
T
ch
T
英镑
T
最大
参数/条件
正漏极电压
门电源电压
漏电流
CW输入功率
工作信道温度。
存储情况下的温度。
Maximum Assembly Temp (60 sec max)
单位
V
V
mA
DBM
°C
°C
°C
-65
-3
分钟。
马克斯。
7
0.5
1500
23
+150
+150
+300
注意：
1.操作超过这些条件的任何一个，可能会导致该设备造成永久性损坏。
注意：这些设备是ESD敏感。下面的注意事项强烈推荐。保证
该静电批准载体时使用的骰子从一个目的地运送到另一个。
个人的接地是在任何时候都操作这些设备的时候可以穿
AMMC - 6430直流规格/物理性能
[1]
符号
I
d
参数和测试条件
漏极供电电流
（在任何射频功率驱动器和温度）
(V
d
=5.0 V, V
g
为我设置
d
典型）
门电源工作电压
(I
D（ Q）
= 900 (mA))
热？电阻
[2]
（背面温度T
b
= 25°C)
单位
mA
分钟。
典型值。
900
马克斯。
1000
V
g
q
CH -B
V
° C / W
-0.9
-0.7
9
-0.55
注意事项：
1.环境操作温度T
A
=25°C unless otherwise noted.
2.通道到背面热阻（ θ
CH -B
) = 10°C/W at T
通道
(T
c
) = 107°C as measured using infrared microscopy. Thermal Resistance
在背面温度（T
b
) = 25°C calculated from measured data.
AMMC - 6430 RF规格
[3, 4, 5]
T
A
= 25°C, V
d
=5.5V, I
D（ Q） =
900 mA, Z
o
=50
符号
收益
P
-1dB
P
-3dB
OIP3
参数和测试
条件
小信号增益
[4]
Output Power at 1dB
增益压缩
Output Power at 3dB
增益压缩
三阶截取
Point; Df=100MHz;
Pin=-20dBm
输入回波损耗
[4]
输出回波损耗
[4]
分钟。反向隔离
单位
dB
DBM
DBM
DBM
最低
14
27
典型
17
28.5
29
37
最大
西格玛
0.5
0.38
0.35
0.8
RLIN
RLOUT
隔离
dB
dB
dB
-15
-15
-43
0.92
0.63
1.8
注意事项：
3.小/大 - 信号晶圆形式为T测量数据
A
= 25°C.
4. 100 ％晶圆RF测试完成后，在频率为27 ， 29和32 GHz的。基于1500的部分样本统计
5，产品规格从测量一个50 Ω的测试环境中得来。放大器的性能方面可以通过改善
更窄的带宽，通过应用额外的共轭，线性或动力匹配。
LSL
LSL
LSL
1 1. 1 1. 1 1. 1 1. 18 18.
8
9
8
争取在29 GHz的
P- 1分贝在29 GHz的
P- 1分贝在33 GHz的
Typical distribution of Small Signal Gain and Output Power @P-1dB. Based on 1500 part sampled over several pro-
duction地段。
AMMC - 6430典型性能（T
A
= 25 ° C，V
d
= 5.5 V，I
D
= 900毫安，Z
in
= Z
OUT
= 50
)
注意：这些测量是在50Ω的测试环境。在放大器性能的方面可以得到改善
在一个更窄的带宽，通过应用额外的共轭，线性或动力匹配。
S1[dB]
S1[dB]
0
10
0
-
S11[dB]
S 13 （分贝）
P-1
PAE
0
P-1 [ dBm的] ， PAE （％）
回波损耗（分贝）
-10
S1[dB]
S1 ？ [分贝]
1
-10
-1
-0
-
10
-0
0
1
0
1
0
0
频率[ GHz的]
-0
0
-0
1
0
0
频率[ GHz的]
0
10
8
0
频率[ GHz的]
图1.典型增益和反向
隔离
图2.典型的回波损耗（输入和
输出）
图3.典型输出功率（ @ P- 1分贝）
和PAE
10
0
的Pout （ dBm的）
宝[ dBm的] ，而且， PAE [ ％ ]
0
0
1
10
PAE [％]
ID（总）
10
8
110
噪声（分贝）
IP ？ [ dBm的]
8
100
90
0
8
0
频率[ GHz的]
0
8
0
频率[ GHz的]
0
-10
-
0
10
销[ dBm的]
1
0
80
图4.典型噪声系数
图5.典型输出3
rd
订单
拦截铂。
图6.典型输出功率， PAE和
总的漏电流与输入功率
at30GHz
0
S11_0
S11_-0
S11_8
0
S_0
S_-0
S_8
0
S1_0
S1_-0
S1_8
-
-
S11[dB]
-10
S 13 （分贝）
S1[dB]
-10
0
-1
-1
1
-0
-0
-
1
0
0
频率[ GHz的]
0
-
1
0
0
频率[ GHz的]
0
10
1
0
0
频率[ GHz的]
0
图7.典型的S11超温
图8.典型的S22超温
图9.典型的增益随温度
IDS [马]
0
偏置和操作
推荐的静态直流偏置条件OP-
timum效率，性能和可靠性为Vd = 5
volts with Vg set for Id=950 mA. Minor improvements in
性能可能取决于该应用程序。
The drain bias voltage range is 3 to 5.5V. A single DC gate
电源连接至Vg意愿偏所有增益级。静音
可以通过设置Vg的和/或Vg到完成
夹断电压Vp 。
可选的输出功率检波器网络也
提供的。所述的Det -价之间的差分电压
和DET-焊盘可以与RF功率相关联
新兴从RF输出端口。所检测的电压
由下式给出：
V
=
(
REF
V
DET
)
V
OFS
V
组装技术
在MMIC芯片的背面是RF接地。对于微带
应用的芯片应该被直接连接到
使用electri-接地平面（如电路载体或散热器）
cally conductive epoxy [1]
为了获得最佳性能，在MMIC的上部应该是
升至高度相同的电路周围
它。这可以通过安装一个金盘来完成
金属垫片下（相同的长度和宽度，在MMIC ）
这是正确的厚度的芯片，使芯片
和相同的高度，相邻的电路。的量
环氧树脂用于芯片和/或垫片附件应
恰好足以提供围绕底部的薄鱼片
芯片或垫片的周长。应在地面平
自由可能危及电或任何残留的
机械连接。
The location of the RF bond pads is shown in Figure 12.
请注意，所有的RF输入和输出端口是在一个地面
信号配置。
RF连接应尽可能短，以合理
最小化由于不希望的性能下降
串联电感。一个单一的连接线通常是足够的
for signal connections, however double bonding with 0.7
密耳的金线或采用金网片[2]推荐
为获得最佳性能，尤其是在高端附近
频带。
热超声楔焊是电线首选方法
附着到所述键合焊盘。金网可贴
using a 2 mil round tracking tool and a tool force of ap-
proximately 22 grams and a ultrasonic power of roughly
55 dB for a duration of 76 +/- 8 mS. The guided wedge at
an untrasonic power level of 64 dB can be used for 0.7 mil
线。推荐使用丝焊台温度
150 +/- 2C.
需注意不要超过绝对马克西
妈妈评分为组件的温度和时间。
The chip is 100um thick and should be handled with care.
这MMIC暴露空气桥的顶面和
应的边缘或与自定义夹头被处理
（不要拿起与模具中心真空中的死亡）。
这MMIC也是静电敏感和ESD预防措施
应注意。
注意事项：
[1]建议ABLEBOND 84-1 LM1银环氧树脂。
[2] Buckbee - 米尔斯公司，圣保罗，明尼苏达州， 800-262-3824
其中...
V
REF
是处的电压
DET
_
R
口，
V
DET
是电压
年龄在
DET
_
O
端口，并
V
OFS
是零输入功率
偏移电压。有三种方法来计算：
1.
V
OFS
每个检测器之前可被测量的测量
换货（删除或关闭电源
和测量） 。此方法给出了由于错误而
temperature drift of less than 0.01dB/50°C.
2.
V
OFS
可以在一个单一的基准温度进行测量。
The drift error will be less than 0.25dB.
3.
V
OFS
可以被表征在不同温度和
存储在查找表中，或者它可以在两个被测量
温度和线性拟合来计算在任何
温度。这个方法给出了一个错误靠近
method #1.
所述RF端口被AC耦合在RF输入到第一级
和最后级的RF输出。没有理由有线的
因为地面的连接需要均采用镀
贯通孔向所述装置的背面。
QQ：2880707522 复制
