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AP20P02H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
2.5V栅极驱动能力
▼
快速开关
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-20V
52mΩ
-18A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP20P02J ）可用于小尺寸应用。
克
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
- 20
± 12
-18
-14
-50
31.25
0.25
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.0
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
201225023
AP20P02H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。典型值。马克斯。单位
-20
-
-
-
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.03
-
-
52
85
-
-
-1
-25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-8A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-5A
-
-
-
15
-
-
-
13.5
2.1
1.6
12
20
45
27
1050
410
110
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-8A
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
= ± 12
I
D
=-8A
V
DS
=-16V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-10V
I
D
=-8A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-4.5V
R
D
=1.25Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-16V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
±100
nA
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=-1.2V
T
j
=25℃, I
S
= -10A ，V
GS
=0V
分钟。典型值。马克斯。单位
-
-
-
-
-
-
-10
-50
-1.2
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP20P02H/J
60
45
T
C
=25
o
C
-4.5V
T
C
=150
o
C
-4.5V
-4.0V
-4.0V
-I
D
，漏电流（ A）
40
-I
D
，漏电流（ A）
-3.5V
30
-3.5V
-3.0V
-3.0V
20
15
-2.5V
-2.5V
V
GS
= -2.0V
V
GS
= -2.0V
0
0
2
4
6
0
0
2.5
5
7.5
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
160
2
I
D
= -8A
T
c
=25
℃
120
1.4
I
D
= -8A
V
GS
= -4.5V
80
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
0.8
40
0
0
3
6
9
12
0.2
-50
0
50
100
150
-V
GS
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
AP20P02H/J
20
40
16
30
-I
D
，漏电流（ A）
12
P
D
(W)
8
4
0
25
50
75
100
o
20
10
0
125
150
0
30
60
90
o
120
150
T
c
，外壳温度（ C）
T
c
，外壳温度（ C）
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100
1
占空比= 0.5
100us
归热响应（R
thJC
)
0.2
-I
D
(A)
0.1
0.1
0.05
10
1ms
0.02
P
DM
t
0.01
T
单脉冲
10ms
T
C
=25 °C
单脉冲
1
0.1
1
10
100
100ms
DC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.1
1
-V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
AP20P02H/J
8
10000
I
D
= -8A
V
DS
= -16V
-V
GS
，门源电压（ V）
6
1000
f=1.0MHz
西塞
C（ pF）的
4
科斯
100
2
CRSS
0
0
5
10
15
20
10
1
7
13
19
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100
1.2
0.9
10
-I
S
(A)
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
-V
GS （ TH）
(V)
1.4
0.6
1
0.3
0
0.2
0.5
0.8
1.1
0
-50
0
50
100
150
-V
SD
(V)
T
j
，结温（
o
C)
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
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