AMMC - 6425
18 - 28 GHz功率放大器
数据表
芯片尺寸： 2500 X 1750微米（ 100× 69密耳）
芯片尺寸公差： ± 10微米（ ± 0.4密耳）
芯片厚度： 100 ± 10微米（ 4 ± 0.4密耳）
垫尺寸： 100 x 100微米（ 4 ± 0.4密耳）
描述
The AMMC-6425 MMIC is a broadband 1W power amplifier
在该操作中的各种发射机，设计用于
frequency bands between 18GHz and 28GHz. This MMIC
为线性运算，其输出三阶优化
截点38dBm的（ OIP3 ） 。在27GHz提供
输出功率为30dBm （ P- 1分贝）和增益20dB的。该
装置具有输入和输出匹配电路，用于使用
在50 Ω环境。该AMMC - 6425还集成
温度补偿的RF功率检测电路
that enables power detection of 0.3V/W. DC bias is simple
and the device operates on widely available 5V for cur-
租房供应量（负电压仅需要VG） 。这是
制作一个PHEMT工艺具有出色的功率和
提高性能。为改进可靠性和湿气
保护，芯片钝化在有源区。
特点
宽的频率范围： 18 - 28 GHz的
高增益： 20分贝
电源： @ 27 GHz时， P- 1分贝= 30 dBm的
高线性度： OIP3 = 38dBm
集成的RF功率检波器
5.0伏-0.6伏， 900毫安操作
应用
微波无线电系统
卫星VSAT和DBS系统
LMDS &点对点微米长途
802.16 & 802.20的WiMax宽带无线接入
WLL和MMDS回路
商用级军事
可以通过AMMC - 6345驱动，整体提高
获得。
AMMC - 6425绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
V
g
I
d
P
in
T
ch
T
英镑
T
最大
参数/条件
正漏极电压
门电源电压
漏电流
CW输入功率
工作信道温度。
存储情况下的温度。
大会的最大温度。
(60 sec max)
单位
V
V
mA
DBM
° C
° C
° C
-65
-3
分钟。
马克斯。
7
0.5
1500
23
+150
+150
+300
注意：
1.操作超过这些条件的任何一个，可能会导致该设备造成永久性损坏。
注意：这些设备是ESD敏感。下面的注意事项强烈推荐。保证
该静电批准载体时使用的骰子从一个目的地运送到另一个。
个人的接地是在任何时候都操作这些设备的时候可以穿
AMMC - 6425直流规格/物理性能
[1]
符号
I
d
参数和测试条件
漏极供电电流
（在任何射频功率驱动器和温度）
(V
d
=5.0 V, V
g
为我设置
d
典型）
门电源工作电压
(I
D（ Q）
= 900 (mA))
热？电阻
[2]
（背面温度T
b
= 25°C)
单位
mA
分钟。
典型值。
900
马克斯。
1000
V
g
q
CH -B
V
° C / W
-0.85
-0.7
8.9
-0.55
注意事项：
1.环境操作温度T
A
=25°C unless otherwise noted.
2.通道到背面热阻（ θ
CH -B
) = 10°C/W at T
通道
(T
c
) = 107°C as measured using infrared microscopy. Thermal Resistance
在背面温度（T
b
) = 25°C calculated from measured data.
AMMC - 6425 RF规格
[3, 4, 5]
(T
A
= 25 ° C，V
d
= 5V ，我
D（ Q） =
900毫安，Z
o
=50
)
符号
收益
P
-1dB
P
-3dB
OIP3
RLIN
RLOUT
隔离
参数和测试条件
小信号增益
[4]
Output Power at 1dB Gain Compression
Output Power at 3dB Gain Compression
三阶截点;
Df=100MHz; Pin=-20dBm
输入回波损耗
[4]
输出回波损耗
[4]
分钟。反向隔离
单位
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
最低
16.5
27.5
典型
18.5
28.5
30
38
-15
-14
-45
最大
西格玛
0.5
0.25
0.20
0.72
0.79
0.54
1.20
注意事项：
3.小/大 - 信号晶圆形式为T测量数据
A
= 25°C.
4. 100 ％晶圆RF测试完成后，在频率为18 ， 23和28 GHz的。基于1500年部分样本统计
5，产品规格从测量一个50 Ω的测试环境中得来。放大器的性能方面可以通过改善
更窄的带宽，通过应用额外的共轭，线性或动力匹配。
LSL
LSL
LSL
1. 1 1. 18 18. 19 19. 0 0. 1
8
9
8
9
争取在23 GHz的
P- 1分贝在18 GHz的
P- 1分贝在28 GHz的
Typical distribution of Small Signal Gain and Output Power @P-1dB. Based on 1500 part sampled over several pro-
duction地段。
AMMC - 6425典型性能（T
A
= 25 ° C，V
d
= 5.0 V，I
D
= 900毫安，Z
in
= Z
OUT
= 50
)
注意：这些测量是在50Ω的测试环境。在放大器性能的方面可以得到改善
在一个更窄的带宽，通过应用额外的共轭，线性或动力匹配。
0
S1[dB]
0
S1[dB]
0
-
0
S1[dB]
1
10
0
S11[dB]
S 13 （分贝）
P-1
PAE
0
P-1 [ dBm的] ， PAE （％）
0
频率[ GHz的]
0
-0
回波损耗（分贝）
-10
-1
-0
-
S1 ？ [分贝]
-0
0
1
1
0
频率[ GHz的]
0
-0
-0
1
10
1
18
0
频率[ GHz的]
8
0
图1.典型增益和反向间隔离
化
图2.典型的回波损耗（输入和
输出）
图3.典型输出功率（ @ P- 1分贝）
和PAE
1
1
10
噪声（分贝）
伊办？ [ dBm的]
8
0
1
0
8
0
8
18
0
频率[ GHz的]
8
0
0
1
18
0
FREQ [千兆赫]
8
噘嘴[ dBm的] ， PAE [ ％ ]
0
0
1
10
0
-10
噘
PAE
Id
100
100
1000
800
00
00
00
0
-
0
10
销[ dBm的]
1
0
图4.典型噪声系数
图5.典型输出3
rd
为了跨
概念的Pt 。
图6.典型输出功率， PAE和
总漏电流与输入端电源
24GHz
0
~+0C
~-0C
~+8C
0
-
-
~+0C
~-0C
~+8C
0
~+0C
~-0C
~+8C
S 13 [分贝]
-1
-1
S' 1 [ dB]的
S11[dB]
-10
-10
1
10
-0
-0
-
10
1
0
频率[ GHz的]
0
-
10
1
0
频率[ GHz的]
0
0
10
1
0
频率[ GHz的]
0
图7.典型的S11超温
图8.典型的S22超温
图9.典型的增益随温度
ID [马]
偏置和操作
推荐的静态直流偏置条件OP-
timum效率，性能和可靠性为Vd = 5
volts with Vg set for Id=900 mA. Minor improvements in
性能可能取决于该应用程序。
The drain bias voltage range is 3 to 5.5V. A single DC gate
电源连接至Vg意愿偏所有增益级。静音
可以通过设置Vg的和/或Vg到完成
夹断电压Vp 。
可选的输出功率检波器网络也
提供的。所述的Det -价之间的差分电压
和DET-焊盘可以与RF功率相关联
新兴从RF输出端口。所检测的电压
由下式给出：
V
=
(
REF
V
DET
)
V
OFS
V
组装技术
在MMIC芯片的背面是RF接地。对于微带
应用的芯片应该被直接连接到
使用electri-接地平面（如电路载体或散热器）
cally conductive epoxy [1]
为了获得最佳性能，在MMIC的上部应该是
升至高度相同的电路周围
它。这可以通过安装一个金盘来完成
金属垫片下（相同的长度和宽度，在MMIC ）
这是正确的厚度的芯片，使芯片
和相同的高度，相邻的电路。的量
环氧树脂用于芯片和/或垫片附件应
恰好足以提供围绕底部的薄鱼片
芯片或垫片的周长。应在地面平
自由可能危及电或任何残留的
机械连接。
其中...
V
REF
是处的电压
DET
_
R
口，
V
DET
是一个电压
在
DET
_
O
端口，并
V
OFS
在零输入功率偏移中的RF键合焊盘的位置示于图12 。
请注意，所有的RF输入和输出端口是在一个地面
电压。有三种方法来计算：
信号配置。
1.
V
OFS
每个检测器之前可被测量的测量
换货（删除或关闭电源RF连接应尽可能短，以合理
和测量） 。这种方法可以让因减少因不良的性能下降错误
串联电感。一个单一的连接线通常是足够的
temperature drift of less than 0.01dB/50°C.
for signal connections, however double bonding with 0.7
2.
V
OFS
可以在一个单一的基准温度进行测量。密耳的金线或采用金网片[2]推荐
The drift error will be less than 0.25dB.
为获得最佳性能，尤其是在高端附近
V
OFS
可以被表征在不同温度和频带。
3.
存储在查找表中，或者它可以在两个被测量
热超声楔焊是电线首选方法
温度和线性拟合来计算在任何
附着到所述键合焊盘。金网可贴
温度。这个方法给出了一个错误靠近
using a 2 mil round tracking tool and a tool force of ap-
method #1.
proximately 22 grams and a ultrasonic power of roughly
所述RF端口被AC耦合在RF输入到第一台55分贝的76 ±8毫秒的持续时间。在引导楔形
和最后级的RF输出。没有接地有线都可以用于0.7密耳64分贝的untrasonic功率电平
必要的，因为地面的连接都是用镀金金属丝。推荐使用丝焊台温度
贯通孔向所述装置的背面。
150 +/- 2C.
需注意不要超过绝对马克西
妈妈评分为组件的温度和时间。
The chip is 100um thick and should be handled with care.
这MMIC暴露空气桥的顶面和
应的边缘或与自定义夹头被处理
（不要拿起与模具中心真空中的死亡）。
这MMIC也是静电敏感和ESD预防措施
应注意。
注意事项：
[1]建议ABLEBOND 84-1 LM1银环氧树脂。
[2] Buckbee - 米尔斯公司，圣保罗，明尼苏达州， 800-262-3824
QQ：2880707522 复制
