Am42BDS6408G

数据表

-XO \\ ????

7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG

0LFUR设备SNMP DQG ） XMLWVX ？ $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ？

LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ？ WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG

） XMLWVX ？

规格连续性

7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ？ $ Q \\

FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH

GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ？ ZKHUH VXSSRUWHG ？ ） XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ？

DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ？

订购零件编号的连续性

0美元“ DQG ） XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P' DQG 0 ％ 0' ？ 7R RUGHU

WKHVH SURGXFWV ？ SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ？

欲了解更多信息

3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ） XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ

PHPRU \\ VROXWLRQV ？

公开号

26087

调整

C

修订

0

发行日期

2002年11月1日

初步

Am42BDS6408G

堆叠式多芯片封装（ MCP ）闪存和SRAM

Am29BDS640G 64兆位（4M ×16位） CMOS 1.8伏只，同时操作

突发模式闪存和8兆位（ 512K的×16位），静态RAM

特色鲜明

MCP特点

■

1.65到1.95伏的电源电压

■

高性能

- 存取时间快70纳秒

■

功耗（典型值，C

L

= 30 pF的）

—

—

—

—

突发模式阅读： 10毫安

同时操作： 25毫安

编程/擦除： 15毫安

待机模式： 0.2 μA

■

包

- 93球FBGA

硬件特性

■

软件命令锁业

■

握手：通过RDY输出主监视器操作

■

硬件复位输入（ RESET ＃ ）

■

WP ＃输入

- 写保护（ WP ＃ ）功能保护扇区0 ， 1 （底部

引导）或扇区132和133 （顶部引导） ，而不管扇区

保护状态

■

工作温度

= -40 ° C至+ 85°C

FLASH内存功能

架构优势

■

单1.8伏读取，编程和擦除（ 1.65 1.95伏）

■

在0.17微米制程技术制造的

■

同时读/写操作

- 数据可以不断地从一家银行，而读

执行擦除/编程功能的其他银行

读取和写入操作之间的零延迟

- 四个银行的体系结构： 16兆/ 16兆/ 16兆/ 16兆

■

ACC输入：加速功能减少编程

时间;各界锁定时， ACC = V

IL

■

CMOS兼容输入， CMOS兼容输出

■

低V

CC

写禁止

软件特点

■

支持通用闪存接口（ CFI ）

■

软件指令集兼容JEDEC 42.4

标准

■

数据＃查询和翻转位

■

擦除挂起/恢复

- 暂停或恢复擦除操作在一个部门

读取数据，或程序数据，其它扇区

■

可编程突发接口

- 2模式的突发读操作

- 线性突发： 8 ， 16 ，和32个字与环绕

- 连续顺序突发

■

部门架构

- 8个8千字部门和126 32

千字行业

- 银行A和D分别含有4个8千字部门和

31 32 K字部门;银行B和C分别包含

32 32千字行业

- 八8K字引导扇区，四在地址上方

范围内，和四个在地址范围的底

■

解锁绕道程序命令

- 发出多个时，降低了总体规划的时间

程序的命令序列

■

每个部门最少百万擦除周期保证

■

20年的数据保存在125°C

SRAM特点

■

功耗

- 操作：2 mA典型

- 待机时： 0.2 μA典型

性能退化特征

■

读存取时间为54/40 MHz的

- 13.5 / 20 ns的突发访问时间@ 30 pF的，在工业

温度范围

- 70 ns的异步随机存取时间（ 30 pF的）

- 87.5 / 95 ns同步延迟

■

■

■

■

CE1S ＃和CE2s片选

使用CE1S ＃和CE2s关机功能

数据保持电源电压： 1.0 2.2伏

字节的数据控制： LB ＃ S（ DQ7 - DQ0 ） ， UB ＃ S（ DQ15 - DQ8 ）

本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息

旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作

产品，恕不另行通知。

出版＃

26087

启：

C

Amendment/0

发行日期：

2002年11月1日

请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。

P L I M I N A R

概述

该Am29BDS640G是64兆， 1.8伏只，请同时

neous读/写，突发模式闪存芯片，奥尔加

认列之为每个16位4,194,304字。本设备使用

一个V

CC

1.65 1.95 V至读取，编程和擦除

存储器阵列。 12.0伏V

ID

可用于更快的亲

克的性能，如果需要的。该装置还可以亲

编程标准EPROM编程器。

在54兆赫，该装置提供的13.5毫微秒的脉冲串接入

30 pF的87.5 ns的30 pF的延迟。在40兆赫，单片机

副为20 ns的30 pF的突发访问一个延迟

95 ns的30 pF的。在装置内的工业操作

温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。多芯片封装

年龄Am42BDS6408G提供了93球FBGA

封装。

同时读/写架构提供

simul-

taneous操作

通过将存储空间分成四个

银行。该装置可提高整个系统的性能

通过允许主机系统编程或擦除在一个银行

然后立即和同时从另一个读

银行，零延迟。这将释放系统从状态等待

荷兰国际集团为完成编程或擦除操作。

该装置被划分为列于下表中：

银行

A

31

B

C

D

4

8 K字

32

32

31

32 K字

32 K字

32 K字

32 K字

QUANTITY

4

SIZE

8 K字

该设备完全指令集的兼容

42.4 JEDEC单电源闪存标准。

COM-

要求主要写入到命令寄存器使用标准

微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-

投入到内部状态机控制的擦除和

编程电路。写周期也在内部锁存器AD-

所需的编程和擦除礼服和数据

操作。读数据从装置的类似于阅读 -

荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。

该

擦除暂停/删除恢复

功能使

用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据

从或程序没有被选择的数据相关，任何扇区

擦除。真实背景擦除因此可以实现。

该

硬件RESET ＃引脚

终止在任何操作

进步和内部状态机复位到读

阵列的数据。在RESET ＃引脚可以连接到系统复位

电路。系统复位将因此还重新设置设备，

使系统微处理器读取启动时固件内

洁具从闪存设备。

主机系统可以检测是否编程或擦除OP-

关合作完成使用设备状态位DQ7

（数据＃投票）和DQ6 / DQ2 （触发位） 。一个程序后，

或擦除周期已经自动完成，设备

返回到读出阵列的数据。

该

扇区擦除架构

允许存储扇区是

擦除和重新编程，而不影响数据CON-

其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时

从工厂运出。

硬件数据保护

措施包括低V

CC

DE-

tector自动禁止写操作期间

电源转换。该器件还提供了两种类型的数据

在保护区一级。该

部门锁定/解锁的COM

命令序列

禁用或重新启用这两个方案，并

在任何扇区擦除操作。当在V

IL

,

WP ＃

锁节

器0和1（底部引导设备）或扇区132和133

（上引导设备） 。

该器件提供两种省电功能。当AD-

连衣裙一直稳定一段指定的时间，所述量

器件进入

自动休眠模式。

该系统可

同时将设备插入

待机模式。

功率变

消耗是在两种模式下大大降低。

AMD的闪存技术，结合多年的闪存

制造经验，生产的最高水平

质量，可靠性和成本效益。该器件electri-

通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行

福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程

热电子注入。

该设备采用芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ） ，

地址有效（ AVD ＃）和输出使能（ OE ＃ ）控制

异步读，写操作。对于突发操作

系统蒸发散，该装置还需要准备好（ RDY ）和

时钟（CLK） 。这种实现可轻松实现与

最小的胶合逻辑以广泛的微处理器/微

控制器，用于高性能的读操作。

突发读取模式功能使系统设计人员使用灵活

两者均在接口设备。用户可以预设

脉冲串的长度和包裹通过相同的内存空间，或

读在连续模式中的闪存阵列。

时钟极性功能提供系统设计师一个

选择的时钟边沿，无论是上升或下降。在AC-

略去时钟边沿启动突发访问，并确定

当数据将被输出。

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Am42BDS6408G

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目录

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五

闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

快闪记忆体同步运行图7

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8

特殊包装处理说明.................................... 8

引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10

MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

表1.设备总线操作............................................ ......... 12

复位命令................................................ ..................... 25

自选命令序列............................................ 26

表13.设备ID ............................................. ......................... 26

程序命令序列............................................... 26

解锁绕道命令序列.................................. 27

图2.擦除操作............................................. ................. 27

芯片擦除命令序列........................................... 27

扇区擦除命令序列........................................ 28

擦除暂停/删除恢复命令........................... 28

图3.程序操作............................................. ............ 29

命令定义................................................ ............. 30

表14.命令定义............................................. ....... 30

闪存设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

异步读取要求

运营（非连拍） ............................................ ................ 13

为同步（突发）读操作........ 13的要求

8,16和32字的线性突发与周围环绕......... 13

表2.突发地址组............................................ ........... 13

Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31

DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 31

图4.数据＃轮询算法........................................... ....... 31

RDY ：准备............................................... ............................. 32

DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 32

图5.切换位算法............................................ ............ 32

突发模式配置寄存器........................................ 14

减少等待状态握手选项.............................. 14

同时读/写操作零延迟....... 14

写命令/命令序列............................ 14

加快程序运行.......................................... 14

自选功能................................................ ........... 15

待机模式................................................ ........................ 15

自动休眠模式............................................... ............ 15

RESET ＃ ：硬件复位输入............................................ 15

输出禁止模式............................................... ............... 15

硬件数据保护............................................... ....... 15

写保护（ WP ＃ ） ............................................ ................. 16

低V

CC

写禁止................................................ ........... 16

写脉冲“毛刺”保护............................................ 16

逻辑禁止................................................ ...................... 16

上电写禁止............................................. ............ 16

通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 16

表3. CFI查询标识字符串.......................................... 16

系统接口字符串............................................... .................... 17

表5.设备几何定义............................................ .. 17

表6.主要供应商特定的扩展查询........................ 18

表7.扇区地址表............................................ ............ 19

DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 32

表15. DQ6和DQ2主治........................................... ... 33

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 33

DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 33

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 34

表16.写操作状态............................................ ....... 34

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35

图6.最大负过冲波形...................... 35

图7.最大正过冲波形........................ 35

工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

SRAM DC和操作特性。 。 。 。 。

测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

35

36

37

38

图8.测试设置............................................. .......................... 38

表17.测试规范............................................. ............ 38

关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38

图9.输入波形和测量水平................... 38

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39

SRAM CE＃的时机............................................. ................... 39

图10.时序图交替

与SRAM和Flash .............................................. ............... 39

Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23

读阵列数据............................................... ................. 23

设置的突发模式配置寄存器命令序列23

图1.同步/异步状态图.................... 23

同步/突发读.............................................. .......... 40

图11. CLK同步突发模式读

（上升沿主动CLK ） ............................................. .............................

图12. CLK同步突发模式读

（下降沿有效时钟） ............................................. ........................

图13.同步突发模式读....................................

图14. 8字突发直线与周围环绕.........................

图15.突发与RDY设置一个周期数据之前.................

图16.减少等待状态握手突发模式读

偶数地址开始............................................. .............

图17.减少等待状态握手突发模式读

在奇数地址开始............................................. ...............

41

42

43

43

44

45

46

阅读模式设置............................................... ............... 23

可编程的等待状态配置............................. 23

表8.可编程的等待状态设置................................... 24

握手选项................................................ ............ 24

表9.初始接入代码............................................ .............. 24

标准的握手动作....................................... 24

表10.等待状态为标准握手........................... 24

突发读取模式下配置.......................................... 24

表11.突发读取模式设置........................................... ... 25

异步读取................................................ ............... 47

图18.异步模式读取带有锁存地址.... 47

图19.异步模式读取............................................ 48

图20.复位时序............................................. .................. 49

突发有效时钟边沿配置................................ 25

RDY配置................................................ ............... 25

配置寄存器................................................ ............ 25

表12.突发模式配置寄存器................................. 25

擦除/编程操作.............................................. ....... 50

图21.异步编程操作时序.................. 51

图22.备用异步程序操作时序... 52

图23.同步程序操作时序.................... 53

部门锁定/解锁命令序列.............................. 25

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图24.备用同步程序操作时序..... 54

图25.芯片/扇区擦除命令序列....................... 55

图26.加速解锁绕道编程时序......... 56

图27.数据＃投票计时（在嵌入式算法） ... 57

图28.触发位计时（在嵌入式算法） ......... 57

图29.同步数据轮询时序/触发位时序。 58

图30.延时与口岸................................... 59

图31.延迟与口岸

进入编程/擦除银行............................................. ................... 60

图32.示例等待状态插入（标准

握手设备） .............................. ....................... 61

图33.返回到回读/写周期时序....................... 62

闪闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

闪存数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

SRAM数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

68

68

68

69

图39. CE1 ＃ ●可控制数据保留模式....................... 69

图40. CE2s控制数据保留模式......................... 69

SRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63

读周期................................................ ............................. 63

图34. SRAM读周期，地址控制....................... 63

图35. SRAM读周期............................................ ............. 64

写周期................................................ ............................. 65

图36. SRAM写周期-WE ＃控制................................. 65

图37. SRAM写周期- CE1 ＃ - 控制.............................. 66

图38. SRAM写周期-UB ＃ s和LB ＃ - 控制................ 67

闪存擦除和编程性能。 。 68

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70

FLB093-93球细间距栅阵列8× 11.6毫米............. 70

修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 71

版本A（ 2002年2月27日） .......................................... .... 71

表9 ，初始登录密码............................................ .. 71

自选命令序列......................................... 71

RDY ：准备............................................... .......................... 71

绝对最大额定值，工作范围.................. 71

闪存直流特性............................................... ...... 71

SRAM直流特性............................................... .... 71

同步突发读取表............................................ 71

图21 ，图23 ............................................. ............... 71

图22 ，图24 ............................................. ............... 71

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