最终科幻
Am27C64
64千位（ 8,192 ×8位） CMOS EPROM
特色鲜明
s
快速访问时间
—
45纳秒
s
低功耗
—
20
A
典型的CMOS待机电流
s
JEDEC批准的引脚排列
s
采用+5 V单电源
s
±10%
电源容限可
s
100 ％ Flashrite
TM
程序设计
- 1秒典型的编程时间
先进
微
器件
s
闩锁保护的100毫安-1 V至
V
CC
+ 1 V
s
高噪声抗扰度
s
丰富的功能，简单的接口
- CMOS和TTL输入/输出
兼容性
- 两线控制功能
s
标准的28引脚DIP ， PDIP和32引脚PLCC
套餐
概述
该Am27C64是一个64千位的紫外线可擦编程
序的只读存储器。它是作为8K字经
每个字8位，采用单+ 5V电源，具有
静态待机模式，并具有快速单地址
位置编程。产品在win-提供
dowed陶瓷DIP封装以及塑料1
一次可编程（OTP ） PDIP和PLCC封装。
通常情况下，任何字节可在小于45纳秒来访问，
允许与高性能microproces-操作
感器，没有任何等待状态。该Am27C64报价
独立的输出使能（ OE ）和芯片使能（ CE ）
控制，从而消除了总线争用中的多
公交微处理器系统。
AMD的CMOS工艺技术提供了高速，
低功耗，高抗干扰能力。典型的功率变
消耗只有80毫瓦在主动模式下，和100
W
in
待机模式。
所有的信号是TTL电平，包括编程显
良。位的位置可以单独编程的，以块为
或随机的。该Am27C64支持AMD的Flashrite
规划算法（ 100
s
脉冲）产生一个
以1秒的典型编程时间。
框图
V
CC
V
SS
V
PP
数据输出
DQ0–DQ7
OE
CE
PGM
OUTPUT ENABLE
芯片使能
和
PROG逻辑
Y
解码器
产量
缓冲器
Y
门
A0–A12
地址
输入
X
解码器
65,538
位单元
矩阵
11419D-1
2-10
出版＃
11419
启示录
D
发行日期：
1995年5月
修订
/0
AMD
订购信息
UV EPROM产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。订单号（有效组合）
通过组合形成：
AM27C64
-45
D
C
B
随机处理
空白=标准处理
B =老化测试
温度范围
C =商业（ 0
°
C至+70
°
C)
I =工业级（ -40
°
C至+ 85
°
C)
E =扩展商业（ -55
°
C至+ 125
°
C)
套餐类型
D = 28引脚陶瓷DIP （ CDV028 ）
速度选项
见产品选型指南和有效组合
设备号
Am27C64
64千位（ 8,192 ×8位）的CMOS UV EPROM
有效组合
AM27C64-45
DC ， DCB ， DI ， DIB
AM27C64-55
AM27C64-70
AM27C64-90
DC ， DCB ， DI ，
AM27C64-120
DIB ，DE的DEB
AM27C64-150
AM27C64-200
DC ， DCB ， DI ， DIB
AM27C64-255
有效组合
有效组合列表配置计划是
在成交量支持此设备。咨询某一地址
CAL AMD销售办事处，以确认具体的可用性
有效组合，并检查新发布
组合。
2-12
Am27C64
AMD
订购信息
OTP产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。订单号（有效组合）
通过组合形成：
AM27C64
-55
P
C
随机处理
空白=标准处理
温度范围
C =商业（ 0
°
C至+70
°
C)
I =工业级（ -40 ° C至+ 85°C ）
E =扩展商业（ -55 ° C至+ 125°C ）
套餐类型
P = 28引脚塑料DIP （ PD 028 ）
J = 32引脚矩形塑料有引线芯片
载体（ PL 032 ）
速度选项
见产品选型指南和有效组合
设备号
Am27C64
64千位（ 8,192 ×8位）的CMOS OTP EPROM
有效组合
AM27C64-55
AM27C64-70
AM27C64-90
AM27C64-120
AM27C64-150
AM27C64-200
AM27C64-255
JC ，PC
JI ， PI
有效组合
有效组合列表配置计划是
在成交量支持此设备。咨询某一地址
CAL AMD销售办事处，以确认具体的可用性
有效组合，并检查新发布
组合。
Am27C64
2-13
AMD
功能说明
擦除Am27C64
为了明确自己的编程CON-的所有位置
帐篷，有必要的Am27C64暴露到
紫外光源。的15瓦秒/平方厘米的剂量
2
is
需要彻底删除的Am27C64 。该剂量
可以通过暴露于紫外线灯频得到
°
2537波长A- 12000的强度
μW /厘米
2
为15至20分钟。该Am27C64应该直接
下和大约1英寸距离源和所有筛选条件
应该从UV光源事先去除
要擦除。
需要注意的是Am27C64和类似重要的是
设备将具有波长的光源擦除
°
小于4000 A.虽然擦除时间将
°
长得比紫外光源在2537 A，曝光
以日光灯和阳光终将删除
Am27C64和暴露于它们应当防止向
实现最大的系统可靠性。如果在这样的使用
环境，包窗口应覆盖
由不透明的标签或物质。
PGM
输入与V
PP
= 12.75 V
±
0.25 V和
CE
过低都会
程序Am27C64 。一个高级别
CE
抑制输入
从其他Am27C64设备被编程。
程序校验
校验应该在编程的位进行到
确定他们是正确编程。该
验证应与进行
OE
和
CE
在V
IL
,
PGM
在V
IH ，
和V
PP
12.5 V和13.0 V之间
自动选择模式
自动选择模式允许读出一个二进制的
从EPROM ，将确定其制造商代码
和类型。此模式适用于通过编程使用
设备，用于自动匹配的目的
该设备与它的相应的编程
规划算法。此模式是官能的
25°C
±
所需5 ° C的环境温度范围
编程时Am27C64 。
以激活此模式中，编程设备
必须强制12.0 V
±
0.5 V上的地址线A9
Am27C64 。两个标识符字节可接着进行测序
从切换地址线A0器件输出从
V
IL
到V
IH
。所有其他地址线必须在V举行
IL
能很好地协同
荷兰国际集团自动选择模式。
字节0 （A
0
= V
IL
）表示的制造商代码，并
字节1 （A
0
= V
IH
） ，该设备的代码。对于Am27C64 ，
这两个标识符字节的模式选择定
表。所有标识符的制造商和设备代码
将拥有奇校验，与MSB （ DQ7 ）定义为
奇偶校验位。
编程Am27C64
交货时或每个擦除的Am27C64后
拥有所有65,536位“一”或HIGH的状态。个“0 ”
通过程序装入Am27C64
的编程。
在进入编程模式时， 12.75 V
±
0.25 V施加于V
PP
销，
CE
是V
IL
和
PGM
is
在V
IL
.
用于编程，要被编程的数据被应用于
8位并行数据输出管脚。
该Flashrite算法减少编程时间
使用100
s
编程脉冲，并通过给每个
为是必要的，以便只处理尽可能多的脉冲
可靠的程序中的数据。之后的每个脉冲被施加到
一个给定的地址，在该地址中的数据进行验证。如果
该数据不验证，额外的脉冲，直到给出
它验证或达到最大值。这个过程是
通过对每个地址重复，同时测序
Am27C64 。该算法的这部分做的
V
CC
= 6.25 V ，以保证每一个EPROM位亲
编程到SUF网络ciently高阈值电压。后
最后的地址完成时，整个EPROM MEM-
储器是在V验证
CC
= V
PP
= 5.25 V.
请参阅第6编程溢流表
和特点。
读取模式
该Am27C64具有两个控制功能，这两者
必须在逻辑SATIS音响编，以便获得在所述数据
输出。芯片使能（ CE ）是功率控制和
应该用于设备的选择。输出使能（ OE ）
是输出控制，并应被用于栅极的数据
输出引脚，独立的设备选择。 AS-i
花费许多那个地址是稳定的，地址存取时间
(t
加
）等于从延迟
CE
输出（T
CE
） 。数据
可在输出端吨
OE
的下降沿之后
OE ，
假设
CE
一直不高和地址
一直保持稳定至少TACC脚趾。
待机模式
该Am27C64具有CMOS待机模式，重新
duces最大V
CC
至目前100
A.
它被放置在
CMOS待机时
CE
是V
CC
±
0.3五，
Am27C64还具有一个TTL待机模式可降低
最大V
CC
1.0 mA的电流。它被放置在
TTL待机时
CE
是V
IH
。当在待机状态下，
输出处于高阻抗状态，独立
的
OE
输入。
禁止程序
多Am27C64在与昼夜温差并行编程
同的数据也很容易实现。以外
CE，
平行Am27C64的都喜欢投入可能是共同的。
一个TTL低层次的编程脉冲应用到Am27C64
2-14
Am27C64
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