A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
对于读阵列数据要求................................... 11
页面模式读取............................................... ................. 11
写命令/命令序列............................ 11
写缓冲器................................................ ......................... 11
加快程序运行.......................................... 11
自选功能................................................ ........... 11
自动休眠模式............................................... ............ 12
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 12
表2. Am29LV640MT热门引导扇区结构.................. 12
表3. Am29LV640MB底部引导扇区结构............. 15
图9.切换位算法............................................ ............ 36
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 36
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 36
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 37
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 37
DQ1 ：写入到缓冲区中止.......................................... ........... 37
表12.写操作状态............................................ ....... 37
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图10.最大负过冲波形................... 38
图11.最大正向超调波形..................... 38
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
伪SRAM和DC
工作特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
38
39
40
41
图12.测试设置............................................. ....................... 41
表13.测试规范............................................. ............ 41
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
图13.输入波形和测量水平................. 41
行业组保护和unprotection的............................. 18
表4. Am29LV640MT顶部引导扇区保护..................... 18
表5. Am29LV640MB底部引导扇区保护................ 18
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
闪存只读操作............................................. .... 42
图14.读操作时序............................................ ... 42
图15.页读时序............................................ .......... 43
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 19
临时机构集团撤消....................................... 19
图1.临时机构集团撤消操作................ 19
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 20
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 44
图16.复位时序............................................. .................. 44
SecSi （安全硅）部门闪存区.......... 21
表6. SecSi行业目录............................................ .......... 21
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 22
擦除和编程操作.............................................. 45
图17.程序操作时序..........................................
图18.加速程序时序图..........................
图19.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图20.数据＃投票计时
（在嵌入式算法） ............................................. .........
图21.触发位计时（在嵌入式算法） ......
图22. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
46
46
47
48
49
49
硬件数据保护............................................... ....... 22
低VCC写禁止.............................................. ........... 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ 22
逻辑禁止................................................ ...................... 22
上电写禁止............................................. ............ 22
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 22
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
读阵列数据............................................... ................. 25
复位命令................................................ ..................... 26
自选命令序列............................................ 26
进入SecSi部门/退出SecSi部门命令序列.. 26
Word程序命令序列..................................... 26
解锁绕道命令序列.................................. 27
写缓冲区编程............................................... .... 27
加快程序................................................ ........... 28
图4.写缓冲器编程操作............................... 29
图5.程序操作............................................. ............. 30
临时机构撤消............................................... ... 50
图23.临时机构集团撤消时序图... 50
图24.类别组保护和撤消时序图.. 51
备用CE ＃控制的擦除和编程操作..... 52
图25.备用CE ＃控制的写入（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 53
伪SRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 54
电时间............................................... ........................ 54
读周期................................................ ............................. 54
图26.伪SRAM读周期，地址控制......... 54
图27.伪SRAM读周期........................................... 55
写周期................................................ ............................. 56
图28.伪SRAM写周期-WE ＃控制................... 56
图29.伪SRAM写周期- CE1 ＃ - 控制................ 57
程序挂起/恢复程序命令序列... 30
图6.程序挂起/恢复计划............................... 31
芯片擦除命令序列........................................... 31
扇区擦除命令序列........................................ 31
图7.擦除操作............................................. .................. 32
擦除暂停/删除恢复命令........................... 32
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 34
图8.数据＃轮询算法........................................... ........ 34
闪存擦除和编程性能。 。 58
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
BGA封装电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
TLB069-69球细间距球栅阵列（ FBGA ）
8 ×10毫米包装............................................. ................... 60
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 35
2003年11月5日
Am49LV6408M
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