【模拟电源双N沟道逻辑电平MOSFET这些微型表面贴装MOSFET采用一高密度沟槽工艺，以提供低rDS】,IC型号AMCC924NE,AMCC924NE PDF资料,AMCC924NE经销商,ic,电子元器件-51电子网

模拟电源

双N沟道逻辑电平MOSFET

这些微型表面贴装MOSFET采用一

高密度沟槽工艺，以提供低

DS （ ON）

并且，以确保最小的功率损失和发热

耗散。典型的应用是DC- DC

转换器和电源管理在便携式和

电池供电的产品，如计算机，

打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳

电话。

低R

DS （ ON）

提供了更高的效率和

延长电池寿命

低热阻抗的铜引线框架

3×3 DFN封装可节省电路板空间

开关速度快

高性能沟道技术

AMCC924NE

产品概述

(V)

DS （ ON）

（欧姆）

0.012 @ V

= 4.5 V

0.014 @ V

= 2.5V

3×3 DFN

顶视图

N沟道

MOSFET

(A)

9.2

8.5

N沟道

MO SFET

ESD保护

2000V

绝对最大额定值（T

= 25°C除非另有说明）

参数

符号最大单位

漏源电压

栅源电压

±8

连续漏电流

漏电流脉冲

=25 C

=70 C

9.2

7.5

±40

1.5

1.0

-55到150

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25 C

=70 C

, T

英镑

工作结存储温度范围

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

符号

thJA

典型值

100

最大

120

吨< = 10秒

稳定状态

C / W

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

初步

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模拟电源

AMCC924NE

规格（T

= 25

C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

转发Tranconductance

二极管的正向电压

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

= V

, I

= 250微安

0.3

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

= 0 V, V

= ± 12 V

= 16 V, V

= 0 V

= 16 V, V

= 0 V ，T

= 55 C

= 5 V, V

= 4.5 V

= 4.5 V，I

= 2 A

= 2.5 V，I

= 2 A

= 10 V，I

= 2 A

= 2 A，V

= 0 V

0.89

±10

0.012

0.014

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

13.4

=10V, V

= 4.5V ，我

=2A

0.9

2.0

=10V, V

= 4.5V ，我

=1A ,

根

=10

笔记

脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％。

通过设计保证，不受生产测试。

模拟电源

（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，

陈述或对其产品是否适合任何特定用途的保证，也不APL承担任何法律责任所引起的

应用或使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接

或附带损失。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的

应用和实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户进行验证

应用程序由客户的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL产品

不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序

旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成一种情况，个人

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意外或未经授权的使用，即使此类索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。 APL是一种

机会均等/肯定行动雇主。

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