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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1455页 > ADG749BKSZ-R2
数据表
特点
1.8 V至5.5 V单电源供电
5 Ω (最大值)导通电阻
0.75 Ω (典型值)的导通电阻平坦度
汽车级温度范围: -40 ° C至+ 125°C
-3 dB带宽> 200兆赫
轨到轨工作
6引脚SC70封装
快速开关时间
t
ON
= 12 ns的
t
关闭
= 6纳秒
典型功耗( < 0.01 μW )
TTL / CMOS兼容
CMOS 1.8 V至5.5 V , 2.5 Ω
2 : 1多路复用器/单刀双掷开关,SC70封装
ADG749
功能框图
ADG749
S2
D
S1
IN
开关如图所示为
逻辑1输入
02075-001
图1 。
应用
电池供电系统
通信系统
采样保持系统
音频信号路由
视频切换
机械式舌簧继电器更换
概述
该ADG749是一款单芯片CMOS单刀双掷开关。此开关
是设计上的亚微米工艺,提供低功率
功耗,高开关速度,低导通电阻,
和低泄漏电流。
该ADG749可以从1.8 V至一个单电源范围内工作
5.5 V ,因此非常适合于电池供电的仪器使用
与新一代的模拟DAC和ADC
设备公司
该ADG749的各开关导电性能相同,在两个
方向时。该ADG749展品突破前先
开关动作。
因为高级亚微米工艺, -3分贝带宽
大于200兆赫,可实现的。
该ADG749是采用6引脚SC70封装。
7.
8.
产品亮点
1.
1.8 V至5.5 V单电源供电。该ADG749
提供高的性能,包括低导通电阻和
快速的切换时间,并且被完全指定,并保证
3 V和5 V电源轨。
非常低R
ON
( 5 Ω最大为5 V和10 Ω最大
在3 V ) 。在1.8 V工作电压,R
ON
是在通常为40 Ω
温度范围。
汽车级温度范围: -40 ° C至+ 125°C 。
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
) ( 0.75 Ω典型值) 。
-3 dB带宽> 200兆赫。
低功耗。 CMOS结构确保了低
功耗。
快速吨
ON
/t
关闭
.
微小的, 6引脚SC70封装。
2.
3.
4.
5.
6.
版本C
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责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
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获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
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一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
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www.analog.com
传真: 781.461.3113 2001-2011 ADI公司保留所有权利。
ADG749
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
数据表
术语................................................. ...................................... 7
典型性能特征.............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 10
应用信息................................................ .............. 11
ADG749电源电压............................................... ........... 11
在响应与频率............................................. ......... 11
关断隔离................................................ ................................ 11
外形尺寸................................................ ....................... 12
订购指南................................................ .......................... 12
修订历史
12月11日 - 修订版。 B到C版
从漏电流参数,表1中删除尾注1 。 3
从漏电流参数,表2中删除尾注1 。 4
10月9日 - 修订版。 A到版本B
更新格式................................................ ..................通用
添加无铅信息表3 ..........................................五
添加表4 ............................................... ..................................... 6
更新的外形尺寸............................................... ........ 12
更改订购指南.............................................. ............ 12
7月2日 - 修订版。 0到版本A.
更改功能............................................... ........................... 1
补充产品亮点.............................................. ...... 1
更改规格............................................... ................. 2
编辑绝对最大额定值............................................. 4
更改术语............................................... ................... 4
编辑订购指南.............................................. .................... 4
增加了新的TPC 4和5 ............................................ .................... 5
加入TPC 10 ............................................... .................................... 6
测试电路6 ,图7和8换成......................................... ........... 7
更新KS - 6封装图............................................ ......... 9
1/01 -版本0 :初始版
版本C | 12页2
数据表
特定网络阳离子
V
DD
= 5 V± 10 %和GND = 0 V ;牛逼
A
= -40 ° C至+ 125°C ,除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道( ΔR
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
t
ON
t
关闭
突破前先延时,T
D
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
1
ADG749
25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
2.5
5
6
0.1
0.8
7
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
见图13
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
见图14
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 4.5 V;
参见图15
0.8
1.5
0.75
1.2
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
±0.35
±0.35
1
5
2.4
0.8
0.005
±0.1
1
V
IN
= V
INL
或V
INH
7
12
3
6
8
1
67
87
62
82
200
7
27
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图16
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图16
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的,
V
S1
= V
S2
= 3 V ;参见图17
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图18
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图19
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;参见图20
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
0.001
1.0
μA (典型值)
μA(最大值)
通过设计保证,不受生产测试。
版本C |第12页3
ADG749
V
DD
= 3V ±10%和GND = 0V ;牛逼
A
= -40 ° C至+ 125°C ,除非另有说明
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道( ΔR
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
源关闭泄漏(关)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
t
ON
t
关闭
突破前先延时,
t
D
1
关断隔离
–67
–87
–62
–82
200
7
27
ns(最小值)
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
1
数据表
25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
= (典型值)
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
测试条件/评论
6
7
10
0.1
0.8
2.5
12
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
见图13
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
见图14
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 3 V;
参见图15
0.8
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
±0.35
±0.35
2.0
0.8
1
5
0.005
±0.1
10
15
4
8
8
V
IN
= V
INL
或V
INH
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;参见图16
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;参见图16
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2 V ;参见图17
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图18
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图19
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;参见图20
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
1
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
0.001
1.0
μA (典型值)
μA(最大值)
通过设计保证,不受生产测试。
版本C |第12页4
数据表
绝对最大额定值
T
A
= 25_C除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到GND
模拟量,数字量输入
1
峰值电流,S或D
连续电流,S或D
工作温度范围
工业(B版)
存储温度范围
结温
SC70封装,电源
耗散
θ
JA
热阻抗
θ
JC
热阻抗
焊接温度,焊接
气相(60秒)
红外( 15秒)
无铅回流焊
峰值温度
在峰值温度的时间
1
ADG749
评级
-0.3 V至+7 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或30 mA时,
以先到为准科幻RST
百毫安(脉冲为1毫秒, 10 %
占空比最大)
30毫安
-40 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
315毫瓦
332°C/W
120°C/W
215°C
220°C
260(+0/–5)°C
10秒40秒
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
只有一个绝对最大额定值可在任何适用
一度。
ESD警告
过电压IN ,S或D由内部二极管钳位。电流应
限于给出的最大额定值。
版本C |第12页5
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