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模拟电源
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺，以提供低
r
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机和无绳电话。
AM90N03-26P
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
m( )
26 @ V
GS
= 10V
30
40 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
88
a
D
1
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
TO- 220可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
G
1
S
1
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
符号
极限
单位
V
DS
漏源电压
30
V
栅源电压
V
GS
±20
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
a
b
a
a
o
T
C
= 25 C I
D
o
88
140
40
300
I
DM
I
S
o
T
C
= 25℃ P
D
A
A
W
o
连续源电流（二极管传导）
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
-55至175
C
T E
RMA RESIST NC RA
L
A E寿
S
PARAM
ETER
符号
BOL
M
的Axim结至上午
um
关环境
M
的Axim结到外壳
um
a
马克西姆米ü
u
尼特
62.5
0.5
o
R
θJA
R
θJC
C / W
o
C / W
笔记
a.
包装有限公司
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号：
DS-AM90N03-26_A
模拟电源
AM90N03-26P
规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
o
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
A
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
范围
单位
最小典型最大
1
±100
o
V
nA
uA
A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
1
25
120
26
40.0
30
1.1
20
8
10
7
200
10
30
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 2 A
I
S
= 2 A，V
GS
= 0 V
m
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 90 A
nC
V
DD
= 25 V ，R
L
= 25 , I
D
= 34 A,
V
根
= 10 V
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
模拟电源
（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，声明
或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。
如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有联合地产及其
管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师
即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用
索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。 APL是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
初步
出版订单号：
DS-AM90N03-26_A
模拟电源
AM90N03-26P
包装信息
3
初步
出版订单号：
DS-AM90N03-26_A
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