Am70PDL127BDH/Am70PDL129BDH
数据表
2003年7月
下列文件规定，现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，并且将记录在
文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现，
和变化，都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
30536
调整
A
修订
+3
发行日期
2003年11月25日
超前信息
Am70PDL127BDH/Am70PDL129BDH
堆叠多芯片封装（ MCP / XIP ）快闪记忆体，
数据存储的MirrorBit闪存， PSRAM和（ XIP ）
2× 64兆比特（8M ×16位） CMOS 3.0伏只页面模式闪存数据存储
128兆位（8M ×16位） CMOS 3.0伏只，同时操作闪存和
32兆位（2M ×16位） CMOS伪静态RAM与页面模式
特色鲜明
MCP特点
■
由Am29PDL127H / Am29PDL129H ， 32 MB
PSRAM和两个Am29LV640M 。
■
2.7至3.3伏的电源电压
■
高性能（ XIP ）
- 存取时间快65纳秒的初始/ 25 ns的页面
■
SecSi
TM
（安全硅）扇形区域
- 最多可以访问128个字，通过一个命令序列
- 最多64个工厂锁定的话
- 最多64个客户，可锁定的话
■
在一个设备中底部和顶部的引导块
■
在0.13微米制程技术制造的
■
20年的数据保存在125°C
■
每个部门最少百万擦除周期保证
■
高性能（数据存储）
- 存取时间快110 ns的初始/ 30 ns的页面
■
包
- 93球FBGA
■
工作温度
= -40 ° C至+ 85°C
性能特点
■
高性能
- 页面访问时间快25纳秒
- 随机存取时间快65纳秒
闪存功能（ XIP ）
AM29PDL127H/AM29PDL129H
架构优势
■
128 Mbit的页面模式设备
- 8字页面大小：快速页面读取访问随机
在页面内的位置
■
功耗（在10 MHz时的典型值）
- 45毫安有效的读电流
- 25毫安编程/擦除电流
- 1 μA典型待机模式电流
软件特点
■
软件命令集与JEDEC兼容42.4
标准
- 向下兼容Am29F和Am29LV家庭
■
双芯片使能输入（ PDL129只）
- 两个CE＃输入控制选择内存各占一半
空间
■
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.3伏读取，擦除和编程
对于电池供电的应用操作
■
CFI （通用闪存接口）投诉
- 提供特定于设备的信息发送到系统中，从而允许
主机软件可以轻松地重新配置不同的闪存器件
■
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 从写零延迟切换到读操作
■
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，允许读取或程序
在同一家银行的其他部门的操作
■
解锁绕道程序命令
- 发出多个时，降低了总体规划的时间
程序的命令序列
■
FlexBank架构
- 4个独立的银行，拥有最多两个同步操作
每个器件
PDL127 ：
—
—
—
—
—
—
—
—
A银行： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
B组： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
银行C： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
银行D： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
银行1A ： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
银行1B ： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
银行2A ： 16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
银行2B ： 48兆位（ 32千瓦×96 ）
硬件特性
■
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序或擦除硬件方法
周期结束
PDL129 ：
■
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件方法来将设备重置读取数组数据
■
WP ＃ / ACC （写保护/加速）输入
- 在V
IL
，第一和最后两个4K的硬件级保护
一句话部门。
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 在V
HH
提供加速编程工厂
环境
出版＃
30536
启：
A
修订
+3
发行日期：
2003年11月25日
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
FLASH内存功能（数据存储）
AM29LV640M架构优势
■
单电源工作
- 3 V读取，擦除和编程操作
■
VersatileI / O 控制
- 设备产生的数据的输出电压，并且能够忍耐
在DQ输入/输出数据的输入电压
通过在V的电压来确定
IO
销;操作
从1.65到3.6 V
■
在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
■
SecSi （安全硅）扇形区域
- 128字/ 256字节扇区永久的，安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号，通过一个可访问
命令序列
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
■
灵活的部门架构
- 一百28 32千字行业
■
与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存，以及优越的疏忽
写保护
■
每个扇区最低100,000次擦除周期保证
■
20年的数据保存在125°C
性能特点
■
高性能
- 110 ns访问时间
- 30 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 22 μs的典型有效的写缓冲器字编程
时间： 16字写缓冲整体降低
编程时间多字的更新
- 读4字的页面缓冲区
- 16字写缓冲
■
低功耗（ 3.0 V典型值， 5
兆赫）
- 30毫安典型的读操作工作电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
软件&硬件功能
■
软件特点
- 程序暂停&简历：读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历：读/程序等
擦除操作之前，扇区结束
- 数据＃轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
- CFI （通用闪存接口）兼容：允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
■
硬件特性
- 部门组保护：硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消： V
ID
的-level方法
在锁定行业不断变化的代码
- WP ＃ / ACC输入：
写保护输入端（ WP ＃ ）保护第一个或最后一个扇区
不管扇区保护设置
ACC （高电压）加速编程时间
系统在生产过程中更高的吞吐量
- 硬件复位输入（ RESET ＃ ）复位装置
—
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）表示程序或
擦除周期结束
PSRAM产品特点
■
功耗
- 工作：最大40mA
- 待机： 70 μA最大
- 深度掉电待机： 5 μA
■
CE1S ＃和CE2ps片选
■
使用CE1S ＃和CE2ps关机功能
■
数据保持电源电压： 2.7 3.3伏
■
字节的数据控制： LB ＃ S（ DQ7 - DQ0 ） ， UB ＃ S（ DQ15 - DQ8 ）
■
8字的页面模式访问
2
Am70PDL127BDH/Am70PDL129BDH
2003年11月25日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述（ PDL129 ）
该Am29PDL129H是128兆， 3.0伏只页面模式
和同时读取/写入闪存设备奥尔加
认列之为8 Mwords 。所述字宽的数据（ x16的）出现在
DQ15 - DQ0 。此装置可在系统或在被编程
标准EPROM编程器。 12.0 V V
PP
不要求
为写或擦除操作。
该器件提供了25和30 ns的快速页面访问时间，
与对应的65和85 ns的随机存取时间，
分别为，允许高速微处理器也能操作
吃无等待状态。为了消除总线争用的DE-
副设有独立的芯片使能（ CE ＃ F1 ， CE ＃ F2 ） ，写使能
（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。双芯片使
允许访问的128兆比特的MEM的2 64 Mbit的分区
ORY空间。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-
投入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序的COM
命令序列。解锁旁路模式有助于更快
通过要求只有两个写周期，以亲编程时间
克的数据，而不是四个。设备擦除发生了execut-
荷兰国际集团擦除命令序列。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成通过阅读DQ7 （数据＃投票）和
DQ6 （切换）
状态位。
经过编程或擦除周期有
已完成，设备已准备好读取阵列数据或AC-
CEPT另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区是
擦除和重新编程，而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。硬件扇区保护功能
禁用这两个程序在任何组合擦除操作
化的内存部门。这可以在系统来实现，或
通过编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。如果一个
读取从SecSi部门区域（一次性亲需要
克面积）后的擦除暂停，则用户必须使用
适当的命令序列以进入和退出该区域。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间，所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
AMD的闪存技术相结合多年的闪存
制造经验，生产的最高水平
质量，可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
与同时读/写操作
零延迟
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储器空间划分为4
银行，它可以被认为是四个独立的存储器
阵列就某些操作有关。 DE-的
副可通过使一个改善系统的整体性能
主机系统编程或擦除一家银行，然后被立即
ately并同时从另一家银行的读取零
等待时间（有两个同时操作工作在任何
一度） 。这从等待释放系统
节目结束或擦除操作，大大不仅改善
荷兰国际集团的系统性能。
该装置可被安排在底部和顶部的扇区
配置。该银行安排如下：
芯片使能配置
CE ＃ F1控制
银行1A
48兆位（ 32千瓦×96 ）
银行1B
16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
CE ＃ F2控制
银行2A
16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
银行2B
48兆位（ 32千瓦×96 ）
页面模式功能
页大小是8个字。经过最初的页面访问accom-
plished ，页面模式能提供快速的读取访问
速度该页面中的随机位置。
标准闪存产品特点
该设备需要
单3.0伏电源
(2.7 V
至3.3 V ），用于读取和写入功能。内部gener-
提供了用于在程序ated和稳压电压
和擦除操作。
2003年11月25日
Am70PDL127BDH/Am70PDL129BDH
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