特点
快速读取访问时间 - 70纳秒
低功耗CMOS操作
- 100 μA最大待机
- 30毫安最大活动在5 MHz
JEDEC标准封装
- 32引脚， 600万PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
5V
±
10 ％供应
高可靠性的CMOS技术
- 2000V的ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速编程算法 - 100微秒/字节（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
商用和工业温度范围
4-Megabit
（ 512K ×8 ）
OTP EPROM
AT27C040
描述
该AT27C040芯片是一款低功耗，高性能， 4,194,304位一次性亲
可编程只读了8位， 512K存储器（ OTP EPROM ） 。该
AT27C040需要在正常的读操作模式只有一个5V电源。任何
字节可在小于70纳秒来访问，省去了减速
伺候高性能的微处理器系统状态。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A18
O0 - O7
CE
OE
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
A11
A9
A8
A13
A14
A17
A18
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
07
06
05
04
03
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP顶视图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
07
06
05
04
03
GND
02
01
O0
A0
A1
A2
A3
PDIP顶视图
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
PLCC顶视图
A12
A15
A16
VPP
VCC
A18
A17
01
02
GND
03
04
05
06
14
15
16
17
18
19
20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
07
0189F–EPROM–4/03
1
Atmel的缩放CMOS技术提供低工作功耗和快速编程
明。功耗通常8毫安在主动模式和小于10
A
在待机状态
模式。
该AT27C040是行业的选择可用的标准JEDEC批准的一次性亲
可编程（ OTP ）塑料PDIP ， PLCC和TSOP封装。该器件具有两行
控制（ CE ， OE ）来消除在高速系统总线争用。
Atmel公司的AT27C040具有附加功能，以确保高品质和高效率的生产使用。
快速编程算法降低了编程的一部分，瓜拉尼所需的时间
T恤可靠的编程。编程时间通常仅为100
微秒/字节。
综合
产品识别码电子识别设备和制造商。此功能
所使用的工业标准编程设备选择合适的编程algo-
rithms和电压。
开关
注意事项
通过芯片使能引脚工作和待机状态之间的切换可能会产生转录
过性电压偏移。除非容纳由系统设计中，这些瞬变可
超出数据表的限制，导致设备不符合。至少，一个0.1
F
高
频率，低固有电感，陶瓷电容应被用于每个设备。这
电容应连接在V之间
CC
和接地装置的端子，由于靠近
到设备成为可能。此外，为了稳定在印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列， 4.7
F
大容量电解电容应该利用，再
连接V之间
CC
和接地端子。该电容应定位为
尽可能接近当电源被连接到所述阵列的点。
框图
2
AT27C040
0189F–EPROM–4/03
AT27C040
操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
X
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A18 = V
IL
V
PP
X
(1)
X
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
注意事项：
1.
2.
3.
4.
X可以是V
IL
或V
IH
.
请参阅编程特性
V
H
= 12.0 ± 0.5V.
两个识别符字节可以被选择。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0被触发
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字节和高（V
IH
）选择器件代码字节。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面............................................- 2.0V至+ 7.0V
电压与A9
对于地面.........................................- 2.0V至14.0 V
V
PP
与电源电压
对于地面..........................................- 2.0V至+ 14.0V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
3
0189F–EPROM–4/03
直流和交流工作条件的读操作
AT27C040-70
操作
温度（外壳）
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT27C040-90
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT27C040-12
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT27C040-15
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
DC和工作特性的读操作
符号
I
LI
I
LO
I
PP1(2)
I
SB
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
PP(1)
读/待机电流
V
CC1(1)
待机电流
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
2.4
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
-0.6
2.0
民
最大
±1
±5
10
100
1
30
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
1. V
CC
必须同时或V前申请
PP
，并同时或V后取出
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
.
AC特征的读操作
AT27C040
-70
符号
t
ACC(3)
t
CE(2)
t
OE(2)(3)
t
DF(4)(5)
t
OH
注意：
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
条件
CE = OE
= V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
70
70
30
20
0
0
民
-90
最大
90
90
35
20
0
民
-12
最大
120
120
35
30
0
民
-15
最大
150
150
40
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
OE或CE高到输出浮法为准
第一次发生
从地址， CE或OE输出保持，
以先发生
1， 2，3 ， 4 ， 5 - 看到AC波形的读操作
4
AT27C040
0189F–EPROM–4/03
AT27C040
AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
定时测量参考是0.8V和2.0V 。 AC输入驱动电平是0.45V和2.4V ，除非另有说明。
OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
该参数仅取样，而不是100％测试。
输出的浮动被定义为点，当数据不再驱动。
输入测试波形和测量水平
输出测试负载
1.3V
(1N914)
产量
针
3.3K
CL
引脚电容
F = 1MHz时， T = 25℃
(1)
符号
C
IN
C
OUT
注意：
典型值
4
8
最大
8
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
1.典型值标称电源电压。该参数仅取样，而不是100％测试。
5
0189F–EPROM–4/03
特点
快速读取访问时间 - 70纳秒
低功耗CMOS操作
- 100 μA最大待机
- 30毫安最大活动在5 MHz
JEDEC标准封装
- 32引脚， 600万PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
5V
±
10 ％供应
高可靠性的CMOS技术
- 2000V的ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速编程算法 - 100微秒/字节（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
商用和工业温度范围
4-Megabit
（ 512K ×8 ）
OTP EPROM
AT27C040
描述
该AT27C040芯片是一款低功耗，高性能， 4,194,304位一次性亲
可编程只读了8位， 512K存储器（ OTP EPROM ） 。该
AT27C040需要在正常的读操作模式只有一个5V电源。任何
字节可在小于70纳秒来访问，省去了减速
伺候高性能的微处理器系统状态。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A18
O0 - O7
CE
OE
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
A11
A9
A8
A13
A14
A17
A18
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
07
06
05
04
03
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP顶视图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
07
06
05
04
03
GND
02
01
O0
A0
A1
A2
A3
PDIP顶视图
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
PLCC顶视图
A12
A15
A16
VPP
VCC
A18
A17
01
02
GND
03
04
05
06
14
15
16
17
18
19
20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
07
0189F–EPROM–4/03
1
Atmel的缩放CMOS技术提供低工作功耗和快速编程
明。功耗通常8毫安在主动模式和小于10
A
在待机状态
模式。
该AT27C040是行业的选择可用的标准JEDEC批准的一次性亲
可编程（ OTP ）塑料PDIP ， PLCC和TSOP封装。该器件具有两行
控制（ CE ， OE ）来消除在高速系统总线争用。
Atmel公司的AT27C040具有附加功能，以确保高品质和高效率的生产使用。
快速编程算法降低了编程的一部分，瓜拉尼所需的时间
T恤可靠的编程。编程时间通常仅为100
微秒/字节。
综合
产品识别码电子识别设备和制造商。此功能
所使用的工业标准编程设备选择合适的编程algo-
rithms和电压。
开关
注意事项
通过芯片使能引脚工作和待机状态之间的切换可能会产生转录
过性电压偏移。除非容纳由系统设计中，这些瞬变可
超出数据表的限制，导致设备不符合。至少，一个0.1
F
高
频率，低固有电感，陶瓷电容应被用于每个设备。这
电容应连接在V之间
CC
和接地装置的端子，由于靠近
到设备成为可能。此外，为了稳定在印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列， 4.7
F
大容量电解电容应该利用，再
连接V之间
CC
和接地端子。该电容应定位为
尽可能接近当电源被连接到所述阵列的点。
框图
2
AT27C040
0189F–EPROM–4/03
AT27C040
操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
X
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A18 = V
IL
V
PP
X
(1)
X
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
注意事项：
1.
2.
3.
4.
X可以是V
IL
或V
IH
.
请参阅编程特性
V
H
= 12.0 ± 0.5V.
两个识别符字节可以被选择。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0被触发
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字节和高（V
IH
）选择器件代码字节。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面............................................- 2.0V至+ 7.0V
电压与A9
对于地面.........................................- 2.0V至14.0 V
V
PP
与电源电压
对于地面..........................................- 2.0V至+ 14.0V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
3
0189F–EPROM–4/03
直流和交流工作条件的读操作
AT27C040-70
操作
温度（外壳）
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT27C040-90
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT27C040-12
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT27C040-15
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
DC和工作特性的读操作
符号
I
LI
I
LO
I
PP1(2)
I
SB
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
PP(1)
读/待机电流
V
CC1(1)
待机电流
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
2.4
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
-0.6
2.0
民
最大
±1
±5
10
100
1
30
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
1. V
CC
必须同时或V前申请
PP
，并同时或V后取出
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
.
AC特征的读操作
AT27C040
-70
符号
t
ACC(3)
t
CE(2)
t
OE(2)(3)
t
DF(4)(5)
t
OH
注意：
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
条件
CE = OE
= V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
70
70
30
20
0
0
民
-90
最大
90
90
35
20
0
民
-12
最大
120
120
35
30
0
民
-15
最大
150
150
40
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
OE或CE高到输出浮法为准
第一次发生
从地址， CE或OE输出保持，
以先发生
1， 2，3 ， 4 ， 5 - 看到AC波形的读操作
4
AT27C040
0189F–EPROM–4/03
AT27C040
AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
定时测量参考是0.8V和2.0V 。 AC输入驱动电平是0.45V和2.4V ，除非另有说明。
OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
该参数仅取样，而不是100％测试。
输出的浮动被定义为点，当数据不再驱动。
输入测试波形和测量水平
输出测试负载
1.3V
(1N914)
产量
针
3.3K
CL
引脚电容
F = 1MHz时， T = 25℃
(1)
符号
C
IN
C
OUT
注意：
典型值
4
8
最大
8
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
1.典型值标称电源电压。该参数仅取样，而不是100％测试。
5
0189F–EPROM–4/03
特点
快速读取访问时间 - 70纳秒
低功耗CMOS操作
- 100 μA最大待机
- 30毫安最大活动在5 MHz
JEDEC标准封装
- 32引脚， 600万PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
5V
±
10 ％供应
高可靠性的CMOS技术
- 2000V的ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速编程算法 - 100微秒/字节（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
商用和工业温度范围
4-Megabit
（ 512K ×8 ）
OTP EPROM
AT27C040
描述
该AT27C040芯片是一款低功耗，高性能， 4,194,304位一次性亲
可编程只读了8位， 512K存储器（ OTP EPROM ） 。该
AT27C040需要在正常的读操作模式只有一个5V电源。任何
字节可在小于70纳秒来访问，省去了减速
伺候高性能的微处理器系统状态。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A18
O0 - O7
CE
OE
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
A11
A9
A8
A13
A14
A17
A18
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
07
06
05
04
03
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP顶视图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
07
06
05
04
03
GND
02
01
O0
A0
A1
A2
A3
PDIP顶视图
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
PLCC顶视图
A12
A15
A16
VPP
VCC
A18
A17
01
02
GND
03
04
05
06
14
15
16
17
18
19
20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
07
0189F–EPROM–4/03
1
Atmel的缩放CMOS技术提供低工作功耗和快速编程
明。功耗通常8毫安在主动模式和小于10
A
在待机状态
模式。
该AT27C040是行业的选择可用的标准JEDEC批准的一次性亲
可编程（ OTP ）塑料PDIP ， PLCC和TSOP封装。该器件具有两行
控制（ CE ， OE ）来消除在高速系统总线争用。
Atmel公司的AT27C040具有附加功能，以确保高品质和高效率的生产使用。
快速编程算法降低了编程的一部分，瓜拉尼所需的时间
T恤可靠的编程。编程时间通常仅为100
微秒/字节。
综合
产品识别码电子识别设备和制造商。此功能
所使用的工业标准编程设备选择合适的编程algo-
rithms和电压。
开关
注意事项
通过芯片使能引脚工作和待机状态之间的切换可能会产生转录
过性电压偏移。除非容纳由系统设计中，这些瞬变可
超出数据表的限制，导致设备不符合。至少，一个0.1
F
高
频率，低固有电感，陶瓷电容应被用于每个设备。这
电容应连接在V之间
CC
和接地装置的端子，由于靠近
到设备成为可能。此外，为了稳定在印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列， 4.7
F
大容量电解电容应该利用，再
连接V之间
CC
和接地端子。该电容应定位为
尽可能接近当电源被连接到所述阵列的点。
框图
2
AT27C040
0189F–EPROM–4/03
AT27C040
操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
X
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A18 = V
IL
V
PP
X
(1)
X
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
注意事项：
1.
2.
3.
4.
X可以是V
IL
或V
IH
.
请参阅编程特性
V
H
= 12.0 ± 0.5V.
两个识别符字节可以被选择。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0被触发
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字节和高（V
IH
）选择器件代码字节。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面............................................- 2.0V至+ 7.0V
电压与A9
对于地面.........................................- 2.0V至14.0 V
V
PP
与电源电压
对于地面..........................................- 2.0V至+ 14.0V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
3
0189F–EPROM–4/03
直流和交流工作条件的读操作
AT27C040-70
操作
温度（外壳）
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT27C040-90
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT27C040-12
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT27C040-15
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
DC和工作特性的读操作
符号
I
LI
I
LO
I
PP1(2)
I
SB
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
PP(1)
读/待机电流
V
CC1(1)
待机电流
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
2.4
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
-0.6
2.0
民
最大
±1
±5
10
100
1
30
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
1. V
CC
必须同时或V前申请
PP
，并同时或V后取出
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
.
AC特征的读操作
AT27C040
-70
符号
t
ACC(3)
t
CE(2)
t
OE(2)(3)
t
DF(4)(5)
t
OH
注意：
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
条件
CE = OE
= V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
70
70
30
20
0
0
民
-90
最大
90
90
35
20
0
民
-12
最大
120
120
35
30
0
民
-15
最大
150
150
40
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
OE或CE高到输出浮法为准
第一次发生
从地址， CE或OE输出保持，
以先发生
1， 2，3 ， 4 ， 5 - 看到AC波形的读操作
4
AT27C040
0189F–EPROM–4/03
AT27C040
AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
定时测量参考是0.8V和2.0V 。 AC输入驱动电平是0.45V和2.4V ，除非另有说明。
OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
该参数仅取样，而不是100％测试。
输出的浮动被定义为点，当数据不再驱动。
输入测试波形和测量水平
输出测试负载
1.3V
(1N914)
产量
针
3.3K
CL
引脚电容
F = 1MHz时， T = 25℃
(1)
符号
C
IN
C
OUT
注意：
典型值
4
8
最大
8
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
1.典型值标称电源电压。该参数仅取样，而不是100％测试。
5
0189F–EPROM–4/03
特点
快速读取访问时间 - 70纳秒
低功耗CMOS操作
- 100 μA最大待机
- 30毫安最大活动在5 MHz
JEDEC标准封装
- 32引脚， 600万PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
5V
±
10 ％供应
高可靠性的CMOS技术
- 2000V的ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速编程算法 - 100微秒/字节（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
商用和工业温度范围
4-Megabit
（ 512K ×8 ）
OTP EPROM
AT27C040
描述
该AT27C040芯片是一款低功耗，高性能， 4,194,304位一次性亲
可编程只读了8位， 512K存储器（ OTP EPROM ） 。该
AT27C040需要在正常的读操作模式只有一个5V电源。任何
字节可在小于70纳秒来访问，省去了减速
伺候高性能的微处理器系统状态。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A18
O0 - O7
CE
OE
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
A11
A9
A8
A13
A14
A17
A18
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
07
06
05
04
03
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP顶视图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
07
06
05
04
03
GND
02
01
O0
A0
A1
A2
A3
PDIP顶视图
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
PLCC顶视图
A12
A15
A16
VPP
VCC
A18
A17
01
02
GND
03
04
05
06
14
15
16
17
18
19
20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
07
0189F–EPROM–4/03
1
Atmel的缩放CMOS技术提供低工作功耗和快速编程
明。功耗通常8毫安在主动模式和小于10
A
在待机状态
模式。
该AT27C040是行业的选择可用的标准JEDEC批准的一次性亲
可编程（ OTP ）塑料PDIP ， PLCC和TSOP封装。该器件具有两行
控制（ CE ， OE ）来消除在高速系统总线争用。
Atmel公司的AT27C040具有附加功能，以确保高品质和高效率的生产使用。
快速编程算法降低了编程的一部分，瓜拉尼所需的时间
T恤可靠的编程。编程时间通常仅为100
微秒/字节。
综合
产品识别码电子识别设备和制造商。此功能
所使用的工业标准编程设备选择合适的编程algo-
rithms和电压。
开关
注意事项
通过芯片使能引脚工作和待机状态之间的切换可能会产生转录
过性电压偏移。除非容纳由系统设计中，这些瞬变可
超出数据表的限制，导致设备不符合。至少，一个0.1
F
高
频率，低固有电感，陶瓷电容应被用于每个设备。这
电容应连接在V之间
CC
和接地装置的端子，由于靠近
到设备成为可能。此外，为了稳定在印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列， 4.7
F
大容量电解电容应该利用，再
连接V之间
CC
和接地端子。该电容应定位为
尽可能接近当电源被连接到所述阵列的点。
框图
2
AT27C040
0189F–EPROM–4/03
AT27C040
操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
X
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A18 = V
IL
V
PP
X
(1)
X
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
注意事项：
1.
2.
3.
4.
X可以是V
IL
或V
IH
.
请参阅编程特性
V
H
= 12.0 ± 0.5V.
两个识别符字节可以被选择。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0被触发
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字节和高（V
IH
）选择器件代码字节。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面............................................- 2.0V至+ 7.0V
电压与A9
对于地面.........................................- 2.0V至14.0 V
V
PP
与电源电压
对于地面..........................................- 2.0V至+ 14.0V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
3
0189F–EPROM–4/03
直流和交流工作条件的读操作
AT27C040-70
操作
温度（外壳）
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT27C040-90
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT27C040-12
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT27C040-15
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
DC和工作特性的读操作
符号
I
LI
I
LO
I
PP1(2)
I
SB
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
PP(1)
读/待机电流
V
CC1(1)
待机电流
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
2.4
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
-0.6
2.0
民
最大
±1
±5
10
100
1
30
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
1. V
CC
必须同时或V前申请
PP
，并同时或V后取出
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
.
AC特征的读操作
AT27C040
-70
符号
t
ACC(3)
t
CE(2)
t
OE(2)(3)
t
DF(4)(5)
t
OH
注意：
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
条件
CE = OE
= V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
70
70
30
20
0
0
民
-90
最大
90
90
35
20
0
民
-12
最大
120
120
35
30
0
民
-15
最大
150
150
40
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
OE或CE高到输出浮法为准
第一次发生
从地址， CE或OE输出保持，
以先发生
1， 2，3 ， 4 ， 5 - 看到AC波形的读操作
4
AT27C040
0189F–EPROM–4/03
AT27C040
AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
定时测量参考是0.8V和2.0V 。 AC输入驱动电平是0.45V和2.4V ，除非另有说明。
OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
该参数仅取样，而不是100％测试。
输出的浮动被定义为点，当数据不再驱动。
输入测试波形和测量水平
输出测试负载
1.3V
(1N914)
产量
针
3.3K
CL
引脚电容
F = 1MHz时， T = 25℃
(1)
符号
C
IN
C
OUT
注意：
典型值
4
8
最大
8
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
1.典型值标称电源电压。该参数仅取样，而不是100％测试。
5
0189F–EPROM–4/03
