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Am49PDL640AG
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
30049
调整
A
修订
+5
发行日期
2003年11月20日
这页有意留为空白。
初步
Am49PDL640AG
堆叠式多芯片封装( MCP )闪存和SRAM
64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只,同时操作闪存和
16兆位( 1一M× 16位)伪静态RAM
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.1伏的电源电压
高性能
- 存取时间快70纳秒的初始/ 25 ns的后续
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
软件命令集与JEDEC兼容42.4
标准
- 向下兼容Am29F和Am29LV家庭
- 73球FBGA
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C
CFI (通用闪存接口)投诉
- 提供特定于设备的信息发送到系统中,从而允许
主机软件可以轻松地重新配置不同的闪存器件
FLASH内存功能
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的另一家银行。
读取和写入操作之间的零延迟
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,允许读取或程序
在同一家银行的其他部门的操作
解锁绕道程序命令
- 发出多个时,降低了总体规划的时间
程序的命令序列
Flex的Bank架构
- 4个独立的银行,拥有最多两个同步操作
每个器件
- 银行 - 答: 8兆位( 4千瓦×8以及32KW ×15 )
- 银行B: 24兆位( 32千瓦×48 )
- 银行C: 24兆位( 32千瓦×48 )
- 银行D: 8兆位( 4千瓦×8和32千瓦×15 )
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 硬件检测方法编程或擦除周期
竣工
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件重置内部状态机的方法
读模式
在0.17微米制程技术制造的
SecSi (安全硅)行业:额外256字节扇区
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;可验证
作为工厂通过锁定功能自动选择。 ExpressFlash
选项使整个行业可以供
工厂数据保护
客户可锁定:
部门是一次性可编程的。一旦
扇区已被锁定,数据不能被改变。
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能保护扇区0 , 1 , 140 ,和
141 ,无论行业的保护状态
- 加速度( ACC )功能,加快项目进度
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定组合
个别部门和行业组织,以防止程序或
该部门擦除操作
- 扇区可以被锁定并且在V解锁的系统内
CC
水平
零功耗工作
- 先进的电源管理电路降低功耗
在非活动期间消耗几乎为零。
引导扇区
- 在同一装置顶部和底部引导扇区
密码扇区保护
- 一个成熟的行业保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或使用该部门擦除操作
用户定义的64位的密码
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单电源兼容
闪存标准
伪SRAM特点
功耗
- 操作:30 mA(最大值)
- 待机时: 100 μA最大
- 深度掉电电流: 10 μA
性能特点
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 4微秒/字典型的利用加速功能
超低功耗(典型值)
- 23毫安有效的读电流
- 15毫安编程/擦除电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
CE1S #和CE2s片选
使用CE1S #和CE2s关机功能
数据保持电源电压: 2.7 3.1伏
字节的数据控制: LB # S( DQ7 - DQ0 ) , UB # S( DQ15 - DQ8 )
多PSRAM厂商提供
每个扇区保证至少1百万次写周期
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 03年11月20日
出版#
30049
启:
A
Amendment/+5
发行日期:
2003年11月20日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
Am29PDL640G特点
该Am29PDL640G是64兆, 3.0伏只页面模式
和同时读取/写入闪存设备奥尔加
认列之为4 Mwords 。该器件采用73球
细间距BGA封装。字级数据( X16 ) AP-
梨在DQ15 - DQ0 。此设备可被编程
在系统或标准EPROM编程器。 12.0 V
V
PP
不需要用于写入或擦除操作。
该器件提供了25页的快速访问时间,30和45
纳秒,以65对应的随机存取时间,70, 85 ,
和90纳秒,分别允许高速microproces-
理器,而无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-
投入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序的COM
命令序列。解锁旁路模式有助于更快
通过要求只有两个写周期,以亲编程时间
克的数据,而不是四个。设备擦除发生了execut-
荷兰国际集团擦除命令序列。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成通过阅读DQ7 (数据#投票)和
DQ6 (切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
已完成,设备已准备好读取阵列数据或AC-
CEPT另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。硬件扇区保护功能
禁用这两个程序在任何组合擦除操作
化的内存部门。这可以在系统来实现,或
通过编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。如果一个
读取从SecSi部门区域(一次性亲需要
克面积)后的擦除暂停,则用户必须使用
适当的命令序列以进入和退出该区域。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间,所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备进入待机模式。功率变
消耗是在这两个模式下大大降低。
AMD的闪存技术相结合多年的闪存
制造经验,生产的最高水平
质量,可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
与同时读/写操作
零延迟
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储器空间划分为4
银行,它可以被认为是四个独立的存储器
阵列就某些操作有关。 DE-的
副可通过使一个改善系统的整体性能
主机系统编程或擦除一家银行,然后被立即
ately并同时从另一家银行的读取零
等待时间(有两个同时操作工作在任何
一度) 。这从等待释放系统
节目结束或擦除操作,大大不仅改善
荷兰国际集团的系统性能。
该装置可被安排在底部和顶部的扇区
配置。该银行安排如下:
银行
A
B
C
D
扇区
8兆位( 4千瓦×8和32千瓦×15 )
24兆位( 32千瓦×48 )
24兆位( 32千瓦×48 )
8兆位( 4千瓦×8和32千瓦×15 )
页面模式功能
该设备是AC时间,输入/输出,并包
相容
IBLE有4兆位x16的页面模式掩膜ROM 。
页面大小
是8个字。
后初始页面访问完成时,页面模式OP-
关合作提供的任意位置快速读取访问速度
内的页面。
标准闪存产品特点
该设备需要
单3.0伏电源
(2.7 V
3.1 V)的读写功能。内部gener-
提供了用于在程序ated和稳压电压
和擦除操作。
2
Am49PDL640AG
2003年11月20日
P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
PSRAM框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.................................... 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
随机读取(非页读) ........................................ 11
页面模式读取............................................... ................. 11
表2页选择............................................. .......................... 11
Word程序命令序列...................................... 28
解锁绕道命令序列.................................. 28
图4.程序运行............................................. ............ 29
芯片擦除命令序列........................................... 29
扇区擦除命令序列........................................ 29
擦除暂停/删除恢复命令........................... 30
图5.擦除操作............................................. ................. 30
同时操作................................................ ......... 11
表3.银行选择............................................. .......................... 11
写命令/命令序列............................ 11
加快程序运行.......................................... 12
自选功能................................................ ........... 12
自动休眠模式............................................... ............ 12
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 13
表4. Am29PDL640G部门架构................................. 13
表5.银行地址............................................. ....................... 14
表6. SecSi
TM
SectorSecure扇区地址......................... 14
表7. Am29PDL640G引导扇区/扇区块的地址亲
tection / unprotection的............................................... ......................... 15
密码程序命令............................................... 。 30
密码验证命令............................................... ..... 31
密码保护模式锁定位程序命令.. 31
持久扇区保护模式锁定位程序的COM
普通话................................................. ...................................... 31
SecSi扇区保护位程序命令.................... 31
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 31
DYB写命令............................................... .............. 31
密码解锁指令............................................... ... 32
PPB程序命令............................................... ......... 32
所有PPB擦除命令.............................................. .......... 32
DYB写命令............................................... .............. 32
PPB锁定位设置命令............................................. ...... 32
PPB状态命令............................................... ............. 32
PPB锁定位状态命令............................................. 32
扇区保护状态命令....................................... 32
表13.内存阵列命令定义............................. 33
表14.扇区保护命令定义........................ 34
扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
持久扇区保护............................................... .... 16
持久保护位( PPB ) ............................................ 16
持久保护位锁定( PPB锁) .......................... 16
动态保护位( DYB ) ............................................ 16
表8.扇区保护计划............................................ ... 17
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 35
图6.数据#投票算法........................................... ....... 35
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 36
图7.切换位算法............................................ ............ 36
持久扇区保护模式锁定位................... 17
密码保护模式............................................... ...... 17
密码和密码模式锁定位........................ 18
64位密码.............................................. ..................... 18
写保护( WP # ) ............................................ .................... 18
持久保护位锁定.............................................. 18
高压扇区保护.............................................. 19
图1.在系统扇区保护/
部门unprotection的算法............................................... ....... 20
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 37
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 37
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 37
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 37
表15.写操作状态............................................ ....... 38
PSRAM关机。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
图8.状态图............................................. .................... 39
表16.待机模式特点....................................... 39
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
图9.最大负过冲波形...................... 40
图10.最大正向超调波形...................... 40
临时机构撤消............................................... ... 21
图2.临时机构撤消操作........................... 21
SecSi (安全硅)行业
SectorFlash内存区域............................................... .. 21
SecSi扇区保护位.............................................. ... 22
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 22
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
图11.测试设置............................................. ....................... 43
图12.输入波形和测量水平................. 43
硬件数据保护............................................... ....... 23
低VCC写禁止.............................................. ........... 23
写脉冲“毛刺”保护............................................ 23
逻辑禁止................................................ ...................... 23
上电写禁止............................................. ............ 23
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 23
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
读阵列数据............................................... ................. 27
复位命令................................................ ..................... 27
自选命令序列............................................ 27
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 28
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
PSRAM CE#的时机............................................. ................. 44
图13.时序图交替
与PSRAM到Flash .............................................. ................ 44
只读操作.............................................. ............. 45
图14.读操作时序............................................ ... 45
图15.页读操作时序...................................... 46
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 47
图16.复位时序............................................. .................. 47
擦除和编程操作.............................................. 48
图17.编程操作时序.......................................... 49
图18.加速程序时序图.......................... 49
图19.芯片/扇区擦除操作时序.......................... 50
2003年11月20日
Am49PDL640AG
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