P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊处理的说明FBGA封装.................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1.设备总线操作，闪字模式， CIOf = V
IH
; . 10
表2.设备总线操作闪存字节模式， CIOf = V
SS
....11
表12. Am29DL640G命令定义.............................. 30
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 31
图6.数据＃投票算法........................................... ....... 31
RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................... 32
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 32
图7.切换位算法............................................ ............ 32
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 33
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 33
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 33
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 33
表13.写操作状态............................................ ....... 34
字/字节配置.............................................. .......... 11
对于读阵列数据要求................................... 12
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行.......................................... 12
自选功能................................................ ........... 12
同时读/写操作零延迟....... 12
待机模式................................................ ........................ 12
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表3. Am29DL640G部门架构.................................... 14
表4.银行地址............................................. ....................... 17
表5. SecSi扇区地址........................................... .... 17
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图8.最大负过冲波形...................... 35
图9.最大正过冲波形........................ 35
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
CMOS兼容................................................ .................. 36
SRAM DC和操作特性。 。 。 。 。 37
图10.我
CC1
电流与时间（显示主动和
自动休眠电流） .............................................. ............... 38
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 38
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
图12.测试设置............................................. ....................... 39
图13.输入波形和测量水平................. 39
部门/部门块保护和unprotection的.................. 18
表6. Am29DL640G引导扇区/扇区块的地址亲
tection / unprotection的............................................... ......................... 18
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
SRAM CE＃的时机............................................. ................... 40
图14.时序图交替
SRAM之间的Flash .............................................. .................. 40
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 18
表7. WP ＃ / ACC模式.......................................... .................... 19
临时机构撤消............................................... ... 19
图1.临时机构撤消操作........................... 19
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 20
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
闪存只读操作............................................. .... 41
图15.读操作时序............................................ ... 41
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 42
图16.复位时序............................................. .................. 42
SecSi （安全硅）行业
闪存地区............................................... ............. 21
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 22
字/字节配置（ CIOf ） ........................................... ... 43
图17. CIOf时序进行读操作................................ 43
图18. CIOf时序写操作................................ 43
硬件数据保护............................................... ....... 22
低V
CC
写禁止................................................ ........... 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ 22
逻辑禁止................................................ ...................... 22
上电写禁止............................................. ............ 22
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 22
表8. CFI查询标识字符串.......................................... 23
系统接口字符串............................................... .................... 23
表10.设备几何定义............................................ 24
表11.主要供应商特定的扩展查询...................... 25
擦除和编程操作.............................................. 44
图19.程序操作时序..........................................
图20.加速程序时序图..........................
图21.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图22.返回到后端的读/写周期时序......................
图23.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。
图24.触发位计时（在嵌入式算法） ......
图25. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
45
45
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48
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临时机构撤消............................................... ... 49
图26.临时机构撤消时序图.............. 49
图27.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 50
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
读阵列数据............................................... ................. 26
复位命令................................................ ..................... 26
自选命令序列............................................ 26
进入SecSi 部门/退出SecSi部门命令序列..
26
字节/字编程命令序列............................. 27
解锁绕道命令序列.................................. 27
图4.程序运行............................................. ............. 28
备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 51
图28.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 52
SRAM读周期............................................... ................... 53
图29. SRAM读周期，地址控制...................... 53
图30. SRAM读周期............................................ ............ 54
SRAM写周期............................................... ................... 55
图31. SRAM写周期-WE ＃控制................................ 55
图32. SRAM写周期- CE1 ＃ - 控制............................. 56
图33. SRAM写周期-UB ＃ s和LB ＃控制研究............... 57
芯片擦除命令序列........................................... 28
扇区擦除命令序列........................................ 28
擦除暂停/删除恢复命令........................... 29
图5.擦除操作............................................. .................. 29
闪存擦除和编程性能。 。 58
2002年10月22日
Am42DL640AG
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