ADS7842
ADS
784
2
SBAS103B - 2000年9月 - 修订2002年5月
12位4通道并行输出采样
模拟数字转换器
特点
q
单电源： 2.7V至5V
q
4通道输入多路复用器
q
高达200kHz采样率
q
完整的12位并行接口
q
±
1LSB INL和DNL
q
无失码
q
72分贝SINAD
q
低功耗：为2mW
q
SSOP -28封装
描述
该ADS7842是一个完整的， 4通道， 12位模拟 -
数字转换器（ADC ） 。它包含一个12位， capacitor-
基础，逐次逼近寄存器（ SAR ） ADC与
一个采样和保持放大器，接口，用于微处理器
使用和并联，三态输出驱动器。该ADS7842是
以200kHz的采样率规定，而只有消散
为2mW的功率。参考电压可以从改变
为100mV到V
CC
具有相应的LSB分辨率从
24μV来为1.22mV 。该ADS7842测试下降到2.7V
操作。
低功耗，高速和机载多路化妆
该ADS7842非常适合电池供电的系统，如
便携，多通道的数据采集器和测量分析装备
换货。该ADS7842可在SSOP -28封装
，工作在-40 ° C至+ 85 ° C的温度范围内进行测试。
应用
q
q
q
q
q
数据采集
测试与测量
工业过程控制
医疗器械
实验室设备
A0
A1
特区
AIN0
AIN1
AIN2
华助会
AIN3
4-Channel
MUX
ADS7842
3-State
并行
数据总线
产量
锁存器
和
3-State
DRIVERS
CLK
忙
WR
CS
RD
比较
V
REF
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有2000 ，德州仪器
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封装/订购信息
最低
相对的
准确性
（ LSB ）
±2
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
产品
ADS7842E
SINAD
（ dB）的
68
PACKAGE -LEAD
SSOP-28
包
代号
(1)
DB
包
记号
ADS7842E
订购
数
ADS7842E
ADS7842E/1K
ADS7842EB
ADS7842EB/1K
运输
媒体， QUANTITY
轨， 48
磁带和卷轴1000
轨， 48
磁带和卷轴1000
＆ QUOT ;
ADS7842EB
＆ QUOT ;
±1
＆ QUOT ;
70
＆ QUOT ;
SSOP-28
＆ QUOT ;
DB
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
＆ QUOT ;
ADS7842EB
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
注： （ 1 ）有关最新规格和包装的信息，请访问我们的网站： www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
+V
CC
到GND ................................................ ........................ -0.3V到+ 6V
模拟输入到GND ............................................ -0.3 V至+ V
CC
+ 0.3V
数字输入到GND .............................................. ............. -0.3V到+ 6V
功耗................................................ .......................... 250mW的
最高结温............................................... ... + 150°C
工作温度范围........................................ -40 ° C至+ 85 ℃，
存储温度范围......................................... -65 ° C至+ 150℃
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
注： （ 1 ）强调上述“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。暴露在绝对最大
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
名字
AIN0
AIN1
AIN2
AIN3
V
REF
AGND
DB11
DB10
DB9
DB8
DB7
DB6
DB5
DGND
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0
RD
CS
描述
模拟输入通道0
模拟输入通道1
模拟量输入通道2
模拟输入通道3
参考电压输入。请参阅电气Characteris-
抽动表的范围。
模拟地
数据位11 （ MSB ）
数据位10
数据位9
数据位8
数据位7
数据位6
数据位5
数字地
数据位4
数据位3
数据位2
数据位1
数据位0 （ LSB ）
读取输入。低电平有效。读取的数据输出
结合CS 。
片选输入。低电平有效。的组合
CS为低电平和WR为低电平启动一个新的
转换并且输出的三态
模式。
写输入。低电平有效。启动一个新的转换
并选择通过地址输入A0模拟频道
和A1 ，与CS相结合。
BUSY变为低电平期间保持低电平
转换。当转换为BUSY上升
完整，并使并行输出。
外部时钟输入。在时钟速度确定
转化率通过方程f
CLK
= 16 f
样品
.
地址输入。选择的四个模拟输入1
渠道与CS和WR组合。该
地址输入锁存的上升沿
无论是RD或WR 。
A1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
频道精选
AIN0
AIN1
AIN2
AIN3
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯仪器
ments建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤，因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
引脚配置
21
顶视图
SSOP
AIN0
AIN1
AIN2
AIN3
V
REF
AGND
DB11
DB10
DB9
1
2
3
4
5
6
7
8
8
ADS7842E
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
ANA
V
DIG
A1
A0
CLK
忙
WR
25, 26
A0, A1
24
CLK
23
忙
22
WR
CS
RD
DB0
DB1
DB2
DB3
DB4
27
28
V
DIG
V
ANA
DB8 10
DB7 11
12 DB6
DB5 13
DGND 14
数字电源输入。名义上+ 5V 。
模拟电源输入。名义上+ 5V 。
2
ADS7842
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SBAS103B
电气特性： + 5V
在T
A
= -40 ° C至+ 85°C ， + V
CC
= +5V, V
REF
= + 5V ，女
样品
= 200kHz的，并且f
CLK
= 16 f
样品
= 3.2MHz的，除非另有说明。
ADS7842E
参数
决议
模拟量输入
满量程输入范围
电容
漏电流
系统性能
无失码
积分非线性误差
微分线性误差
偏移误差
偏移误差匹配
增益误差
增益误差匹配
噪音
电源抑制
采样动态
转换时间
采集时间
吞吐率
多路复用器的建立时间
孔径延迟
孔径抖动
动态特性
总谐波失真
(2)
信号与（噪声+失真）
无杂散动态范围
通道到通道隔离
参考输入
范围
阻力
输入电流
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
=
=
=
=
5Vp-p
5Vp-p
5Vp-p
5Vp-p
at
at
at
at
10kHz
10kHz
10kHz
50kHz
0
25
±1
12
±0.8
0.15
0.1
30
70
±2
±3
1.0
±4
1.0
±0.5
±1
±1
±3
条件
民
典型值
最大
12
V
REF
民
ADS7842EB
典型值
最大
单位
位
V
pF
A
位
最低位
(1)
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
μVRMS
dB
CLK周期
CLK周期
千赫
ns
ns
ps
dB
dB
dB
dB
V
G
A
A
A
12
3
200
500
30
100
–78
71
79
120
–72
70
76
–80
72
81
–76
68
72
0.1
DCLK静
f
样品
= 12.5kHz信
DCLK静
5
40
2.5
0.001
CMOS
| I
IH
|
≤
+5A
| I
IL
|
≤
+5A
I
OH
= –250A
I
OL
= 250A
3.0
–0.3
3.5
直接二进制
0.2
指定的性能
f
样品
= 12.5kHz信
掉电模式
(3)
， CS = + V
CC
4.75
550
300
+V
CC
100
3
数字输入/输出
逻辑系列
逻辑电平
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
数据格式
外部时钟
电源要求
+V
CC
静态电流
5.5
+0.8
0.4
V
V
V
V
兆赫
V
A
A
A
mW
°C
3.2
5.25
900
3
4.5
功耗
温度范围
指定的性能
同样规格的ADS7842E 。
–40
+85
注： （ 1 ） LSB表示最低有效位。随着V
REF
等于+ 5.0V ， 1 LSB是为1.22mV 。 （ 2 ）测试频率的前五次谐波。 （ 3 ）掉电模式
在转换结束时WR ，CS和BUSY条件都得到了满足。请参见本数据手册的表三。
ADS7842
SBAS103B
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3
电气特性： + 2.7V
在T
A
= -40 ° C至+ 85°C ， + V
CC
= +2.7V, V
REF
= + 2.5V ，女
样品
= 125kHz的，并且f
CLK
= 16 f
样品
= 2MHz的，除非另有说明。
ADS7842E
参数
决议
模拟量输入
满量程输入范围
电容
漏电流
系统性能
无失码
积分非线性误差
微分线性误差
偏移误差
偏移误差匹配
增益误差
增益误差匹配
噪音
电源抑制
采样动态
转换时间
采集时间
吞吐率
多路复用器的建立时间
孔径延迟
孔径抖动
动态特性
总谐波失真
(2)
信号与（噪声+失真）
无杂散动态范围
通道到通道隔离
参考输入
范围
阻力
输入电流
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
=
=
=
=
2.5Vp-p
2.5Vp-p
2.5Vp-p
2.5Vp-p
at
at
at
at
10kHz
10kHz
10kHz
50kHz
0
25
±1
12
±0.8
0.15
0.1
30
70
±2
±5
1.0
±4
1.0
±0.5
±1
±1
±3
条件
民
典型值
最大
12
V
REF
民
ADS7842EB
典型值
最大
单位
位
V
pF
A
位
最低位
(1)
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
μVRMS
dB
CLK周期
CLK周期
千赫
ns
ns
ps
dB
dB
dB
dB
V
G
A
A
A
12
3
125
500
30
100
–77
71
78
100
–70
70
76
–79
72
80
–74
68
72
0.1
DCLK静
f
样品
= 12.5kHz信
DCLK静
5
13
2.5
0.001
CMOS
| I
IH
|
≤
+5A
| I
IL
|
≤
+5A
I
OH
= –250A
I
OL
= 250A
+V
CC
0.7
–0.3
+V
CC
0.8
直接二进制
0.2
指定的性能
f
样品
= 12.5kHz信
掉电模式
(3)
， CS = + V
CC
2.7
280
220
+V
CC
40
3
数字输入/输出
逻辑系列
逻辑电平
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
数据格式
外部时钟
电源要求
+V
CC
静态电流
5.5
+0.8
0.4
V
V
V
V
兆赫
V
A
A
A
mW
°C
2
3.6
650
3
1.8
功耗
温度范围
指定的性能
同样规格的ADS7842E 。
–40
+85
注： （ 1 ） LSB表示最低有效位。随着V
REF
等于+ 2.5V ， 1 LSB为610mV 。 （ 2 ）测试频率的前五次谐波。 （ 3 ）掉电模式
在转换结束时WR ，CS和BUSY条件都得到了满足。请参见本数据手册的表三。
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