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模拟电源
AM30N20-400PCFM
N沟道200 -V （D -S ）的MOSFET
主要特点：
低R
DS （ ON）
沟槽技术
低热阻
开关速度快
典型应用：
PoE的供电设备
PoE的供电设备
电信DC / DC转换器
白光LED升压转换器
产品概述
r
DS （ ON）
(mΩ)
V
DS
(V)
400 @ V
GS
= 10V
200
450 @ V
GS
= 5.5V
I
D
(A)
9
8.5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
极限
V
DS
漏源电压
200
V
GS
栅源电压
±20
T
C
=25°C
I
D
连续漏电流
9
a
I
DM
50
漏电流脉冲
I
S
连续源电流（二极管传导）
50
T
C
=25°C
P
D
功耗
60
T
J
, T
英镑
-55至175
工作结存储温度范围
单位
V
A
A
W
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结到外壳
符号最大
R
θJA
62.5
R
θJC
2.5
单位
° C / W
笔记
a.
脉冲宽度有限的最高结温
初步=
1
出版订单号：
DS-AM30N20-400PCFM-1A
模拟电源
AM30N20-400PCFM
参数
门源阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
STATIC
V
DS
= V
GS
ID = 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55°C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9 A
V
GS
= 5.5 V，I
D
= 8.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
I
S
= 25 A，V
GS
= 0 V
动态
V
DS
= 100 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
民
1
典型值
最大
3.5
±10
1
25
400
450
单位
V
uA
uA
A
mΩ
S
V
34
20
0.95
15.8
4.2
4.4
10.8
17.6
32.2
30.2
807
81
38
nC
V
DD
= 100 V ，R
L
= 10 Ω , I
D
= 6 A,
V
根
= 10 V ，R
根
= 6 Ω
nS
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1MHz的
pF
笔记
一。脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
B 。通过设计保证，不受生产测试。
模拟电源（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，
表示
或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担由此产生的任何法律责任
任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同
在不同的应用和实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个验证
客户的客户应用的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL
产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成这样的局面
可能发生的人身伤害或死亡。如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，
买方应赔偿并持有联合地产及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用是无害的，
损失，费用和合理的律师费直接或间接引起的，造成人身伤害或死亡的任何索赔相关
与此类意外或未经授权的使用，即使此类索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。
APL是一个机会均等/肯定行动雇主。
初步=
2
出版订单号：
DS-AM30N20-400PCFM-1A
模拟电源
典型电气特性
0.7
RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）
0.6
0.5
4.5V
0.4
5.0V
0.3
5.5V, 6V,8V,10V
0.2
0.1
0
0
5
10
ID-漏电流（ A）
15
ID - 漏电流（ A）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
TJ = 25°C
AM30N20-400PCFM
4
6
VGS - 栅极至源极电压（V ）
1.导通电阻与漏电流
0.8
0.7
RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
2
4
6
8
VGS - 栅极至源极电压（V ）
10
0.01
0
100
TJ = 25°C
I
D
= 6A
IS - 源电流（ A）
10
2.传输特性
TJ = 25°C
1
0.1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
VSD - 源极到漏极电压（V ）
3.导通电阻与栅极至源极电压
15
10V,8V,6V,5.5V
12
ID - 漏电流（ A）
5.0V
电容（pF）
1000
1200
4.漏 - 源正向电压
F = 1MHz的
西塞
800
600
400
200
0
科斯
CRSS
9
4.5V
6
3
0
0
2
4
6
8
10
VDS - 漏极至源极电压（V ）
0
5
10
15
20
VDS漏 - 源极电压（ V）
5.输出特性
初步=
3
6.电容
出版订单号：
DS-AM30N20-400PCFM-1A
模拟电源
典型电气特性
10
VGS栅 - 源极电压（ V）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
QG - 总栅极电荷（ NC）
0.5
-50 -25
0
25
V
DS
= 100V
RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）
（归一化）
I
D
= 6A
2.5
AM30N20-400PCFM
2
1.5
1
50
75
100 125 150 175
TJ - 结温（ ° C）
7.栅极电荷
100
10我们
8.归一化导通电阻VS
结温
200
PEAKTRANSIENT功率（ W）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.001
0.1
10
1000
10
ID电流（A ）
100美
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1秒
10秒
100
美国证券交易委员会
DC
IDM
极限
有限
通过RDS
0.1
0.01
0.1
1
10
100
VDS漏极至源极电压（ V）
1000
T1时间（秒）
9.安全工作区
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10.单脉冲最大功率耗散
R
θJA
（吨） = R（T） + R
θJA
R
θJA
= 62.5
°C
/W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T1时间（秒）
1
10
100
1000
11.归热瞬态结到环境
初步=
4
出版订单号：
DS-AM30N20-400PCFM-1A
模拟电源
包装信息
AM30N20-400PCFM
初步=
5
出版订单号：
DS-AM30N20-400PCFM-1A
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AME8500CEFVAA18
AM29827APC
AAT3517IGV-3.50-B-B-T1
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