ACT- F512K8高速
4兆位单片闪存
电路科技
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
www.aeroflex.com
s
s
低功耗单片512K ×8 FLASH
TTL兼容输入和CMOS输出
访问时间60 ， 70 ， 90 ， 120和为150ns
+ 5V编程， 5V
±10%
供应
10万次擦除/编程
低待机电流
页编程操作和内部
程序控制时间
支持整片擦除
嵌入式擦除和编程算法
支持整片擦除
MIL -PRF- 38534标准可用电路
工业标准管脚引出线
包装 - 密封陶瓷
32铅， 1.6" X 0.6" X 0.20"双列直插式封装（ DIP ） ，
艾法斯代码＃ "P4"
q
32铅， 0.82" X 0.41" X 0.11"陶瓷扁平封装
（ FP ） ，艾法斯代码＃ ＆ QUOT ; F6 ＆ QUOT ;
q
32铅， 0.82" X 0.41" X 0.132"陶瓷扁平封装
（ FP铅形成的） ，艾法斯代码＃ ＆ QUOT ; F7 ＆ QUOT ;
q
s
部门架构
每个64K字节等于8扇区大小
q
行业的C的任意组合
可以与一个被擦除
命令序列。
q
s
s
商业，工业及军事
温度范围
DESC SMD待定
5962-96692 （P4 ， F6，F7 ）
框图 - DIP （ P4 ） &扁平封装（ F6 ， F7 ）
CE
WE
OE
A
0
– A
18
VSS
512Kx8
VCC
8
I / O
0-7
引脚说明
I / O
0-7
数据I / O
概述
在ACT - F512K8是高
速度快， 4兆位CMOS
单片
FL灰
模块
专为全温度
范围内的军事，空间，或高
可靠性的应用。
此装置是输入TTL和
输出CMOS兼容。该
命令寄存器写的是
使WE为逻辑低电平
(V
IL
），而CE是低和OE为
在逻辑高电平（V
IH
)
。阅读
由芯片完成启用
（ CE）和输出使能（ OE ）
逻辑上活跃的，看
图9.存取时间成绩
为60ns ， 70ns的，为90ns ， 120ns的和
为150ns最大为标准。
该
ACT–F512K8
is
可用的
IN A
选择
A
0–18
地址输入
WE
CE
OE
V
CC
V
SS
NC
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块 SCD1668 REV A 98年4月28日
概述，续
,
密封陶瓷封装;一
32铅0.82" X 0.41" X 0.11"扁平封装
双方形成或未成形的导线或32针
1.6 ＆ QUOT ; x.60 ＆ QUOT ; X.20 ＆ QUOT ; DIP封装的操作
在整个温度范围-55°C至
+125°C
和
军事
环境的
条件。
闪存存储器的组织结构
512Kx8
位，并设计成
在系统编程与标准
系统5.0V Vcc电源。一个12.0V V
PP
is
不需要用于写入或擦除操作。
该设备还可以与重编程
标准EPROM编程器（与
正确的插座） 。
标准的ACT- F512K8报价
为60ns和150ns的之间的存取时间，
允许
手术
of
快速
微处理器无需等待。对
消除总线争用，该设备具有
独立的芯片使能（ CE ） ，写使能
（WE）和输出使能（OE ）控制。该
ACT - F512K8的命令集兼容
符合JEDEC标准的1兆位的EEPROM 。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器
写时序。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，其
控制擦除和编程
电路。写周期也在内部锁存
所需要的地址和数据
编程和擦除操作。
读数据从器件中是类似
从12.0V Flash或EPROM读
设备。在ACT - F512K8编程
通过执行程序命令
序列。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部
算法，自动倍
编程脉冲宽度和验证正确
电池余量。典型地，每个扇区可
编程并在小于0.3核实
第二个。擦除由完成
执行擦除命令序列。
这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法
自动preprograms阵列， （如果
它尚未之前编程）
在执行擦除操作。中
擦除，设备会自动倍
擦除脉冲宽度和验证适当的细胞
利润率。
该装置通常被擦除并
在1.5秒内验证（如果已
完全预编程） 。
同时该设备拥有一个扇区擦除
架构。该部门模式允许
要擦除的存储器64K字节的块
和再编程，而不影响其他
块。在ACT - F512K8被删除时，
从工厂运出。
该器件采用5.0V单电源
用于读取和写入操作电源
功能。
lnternally
产生
和
提供了用于调节电压
编程和擦除操作。低V
CC
探测器
自动
抑制
写
操作上的功率损耗。年底
编程或擦除是通过检测数据
D7或通过触发位查询功能
D6 。一旦编程或擦除的结束
周期已经完成，该装置
内部复位到读模式。
每个管芯的所有位，或在所有的位
界的模具，通过将被删除
福勒 - Nordhiem隧道。字节
编程一个字节的时间进行热
电子注入。
一个DESC标准军事绘图
（ SMD ）数量待定。
艾法斯电路技术
2
SCD1668 REV A 98年4月28日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
z
绝对最大额定值
参数
情况下的工作温度
存储温度范围
电源电压范围
信号电压范围（任何引脚除A9 ）注1
最大焊接温度（ 10秒）
数据保留
耐力（写入/擦除周期）
A9电压为部门保护，注2
V
ID
符号
T
C
T
英镑
V
CC
V
G
范围
-55到+125
-65到+150
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
300
10
100000最低
-2.0至14.0
V
单位
°C
°C
V
V
°C
岁月
注意：输入1.最小直流电压或I / O引脚为-0.5V 。在电压转换，输入可以下冲V
SS
为-2.0V的时期
高达20ns的。在输入和I / O引脚最大直流电压为V
CC
+ 0.5V 。在电压转换，输入和I / O引脚
过冲至V
CC
+ 2.0V进行达20毫微秒。
注2.最小直流输入电压A9为-0.5V 。在电压转换， A9可能下冲V
SS
到-2.0V最高为20ns的周期。
上A9的最大直流输入电压为+ 12.5V可能过冲，以14.0V进行达20ns的。
正常工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
Tc
V
ID
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度（军事）
A9电压部门保护
最低
+4.5
+2.0
-0.5
-55
11.5
最大
+5.5
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
12.5
单位
V
V
V
°C
V
电容
(V
IN
= 0V ， F = 1MHz的，TC = 25 ° C）
符号
C
AD
C
OE
C
WE
C
CE
C
I
/
O
参数
A
0
– A
18
电容
OE电容
写使能电容
芯片使能电容
I / O0 - I / O7电容
最大
15
15
15
15
15
单位
pF
pF
pF
pF
pF
参数的保证，但未经测试
直流特性 - CMOS兼容
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，TC = -55 ° C至+ 125°C ，除非另有说明）
参数
输入漏电流
输出漏电流
主动工作电源电流为读（ 1 ）
主动工作电源电流为编程或擦除（ 2 ）
工作待机电源电流
输出低电压
输出高电压
低电源锁定输出电压（ 4 ）
符号
I
LI
条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= GND到V
CC
CE = V
IL
,
OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
CE = V
IL
,
OE = V
IH
V
CC
= 5.5V ，CE = V
IH
中，f = 5MHz时，
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5V
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5V
0.85× V
CC
3.2
速度60 ，70， 90 ， 120 &为150ns
最低
最大
10
10
50
60
1.6
0.45
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
I
LOX
32 V
CC
= 5.5V, V
IN
= GND到V
CC
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
V
OL
V
OH
V
LKO
注意： 1中列出的电流Icc电流包括直流工作电流和频率依赖分量（在6兆赫） 。频率
组分通常是小于2mA /兆赫，使用OE在V
IN
.
注2.电流Icc积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
注3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V时，除非另有说明。
注4：参数通过设计保证，但未经测试。
艾法斯电路技术
3
SCD1668 REV A 98年4月28日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
交流特性 - 只读操作
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，TC = -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从地址， CE或OE变化输出保持，以先到为准
注1：由设计保证，但未经测试
符号
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
60
60
60
30
20
20
0
–60
70
70
70
35
20
20
0
–70
90
90
90
35
20
20
0
–90
–120
120
120
120
50
30
30
0
–150
150
150
150
55
35
35
JEDEC Stand'd最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC特征 - 写/擦除/编程操作，我们控制
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，TC = -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
芯片使能建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间
典型值= 16微秒
扇区擦除时间
阅读恢复时间之前写
VCC建立时间
芯片编程时间
芯片擦除时间
t
万好万家
3
符号
t
AVAC
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHWL
t
万好万家
1
t
万好万家
2
t
GHWL
t
VCE
0
50
50
120
t
WC
t
CE
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
60
0
40
0
40
0
45
20
–60
70
0
45
0
45
0
45
20
–70
90
0
45
0
45
0
45
20
–90
–120
120
0
50
0
50
0
50
20
–150
150
0
50
0
50
0
50
20
JEDEC Stand'd最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
s
50
120
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
14 TYP 14 TYP 14 TYP 14 TYP 14 TYP
30
0
50
50
120
30
0
50
50
120
30
0
50
50
120
30
0
50
30
AC特征 - 写/擦除/编程操作，CE控制
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，TC = -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
写使能设置时间
芯片使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
字节编程的时间
扇区擦除时间
阅读恢复时间
芯片编程时间
芯片擦除时间
t
万好万家
3
符号
t
AVAC
t
WLE
L
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
万好万家
1
t
万好万家
2
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
60
0
40
0
40
0
45
20
–60
70
0
45
0
45
0
45
20
–70
90
0
45
0
45
0
45
20
–90
–120
120
0
50
0
50
0
50
20
–150
150
0
55
0
55
0
55
20
JEDEC Stand'd最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
50
120
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
14 TYP 14 TYP 14 TYP 14 TYP 14 TYP
30
0
50
120
0
50
120
30
0
50
120
30
0
50
120
30
0
30
t
GHEL
艾法斯电路技术
4
SCD1668 REV A 98年4月28日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
设备操作
在ACT- F512K8整体由一，四
兆位闪存设备。对ACT - F512K8的编程
通过执行程序来实现指令
序列。该程序的算法，这是一个内部
算法，自动倍程序的脉冲宽度
并验证正确的电池状态。扇区可以是亲
gramed并在不到1秒的验证。擦除是
通过执行擦除命令来完成
序列。擦除算法，这是内部的，自动
matically preprograms数组，如果它已不亲
在执行擦除操作之前gramed 。中
擦除，设备会自动倍擦除脉冲
宽度和验证正确的电池状态。整个MEM-
储器通常被擦除并在1.5秒内验证（如果
预先编程） 。该部门模式允许64K字节
内存块进行擦除和重新编程与 -
从影响其他模块。
写
设备擦除和编程是通过完成
命令寄存器。该寄存器的内容
作为输入到内部状态机。国家
机的输出决定了设备的功能。
命令寄存器本身不占有addres-
紫貂内存位置。该寄存器是一个用来锁存
存储命令，以及地址和数据Infor公司
息需要执行的命令。命令
寄存器被写入通过使WE为逻辑低电平
(V
IL
） ，而CE为低， OE是在V
IH
。地址是
锁存WE的下降沿或CE ，取其hap-
笔后。数据被锁存，在WE的上升沿
或CE以先到为准。标准的微处理器
写定时被使用。请参见AC程序Character-
istics和波形，图3，图8和图13 。
命令德网络nitions
总线操作
读
对ACT - F512K8具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，在所述输出，以获得数据
放。芯片使能（ CE ）是功率控制和应
用于设备的选择。输出使能（ OE ）是
输出控制，并应被用于栅极的数据到
芯片的输出引脚选择。图7示出了交流电
读时序波形。
设备操作由写入特定选择
地址和数据序列到命令寄存器。
表3中定义了这些寄存器的命令序列。
读/复位命令
通过写入的启动的读或复位操作
读/复位命令序列到命令寄存器
之三。微处理器读取周期检索数组数据
的存储器。该器件保持启用，直到读
命令寄存器的内容被改变。
设备会自动开机，在读/复位
状态。在这种情况下，不要求一个命令序列
读取数据。标准的微处理器读周期会
检索数组数据。
设备会自动
电时，在读/复位状态。在这种情况下，一个COM
命令序列不需要读取数据。标准
微处理器读周期将获取数组数据。这
默认值可以确保的，不会有虚假变更
电源转换过程中出现的内存内容。
请参阅AC阅读特点和图7
在特定的定时参数。
输出禁用
在逻辑高电平与输出使能（V
IH
） ，输出
从设备被禁用。输出引脚被放置在一个
高阻抗状态。
待机模式
在ACT- F512K8待机模式下功耗小于6.5
毫安。在待机模式下，输出是在高
阻抗状态，独立于OE输入。如果
擦除或编程时，在设备被取消
设备将吸引有功电流，直到操作的COM
pleted 。
字节编程
对器件进行编程的一个字节一个字节的基础。亲
编程是一个四总线周期操作。有两种
"unlock"写周期。这些随后程序
表2 - 扇区地址表
表1 - 巴士运营
手术
读
待机
输出禁用
写
ENABLE行业
保护
VERIFY行业
保护
艾法斯电路技术
CE OE WE A0 A1 A9
L
H
L
L
L
L
L
X
H
H
V
ID
L
H
X
H
L
L
H
A
0
A
1
A
9
X
X
X
X
X
X
I / O
DOUT
高Z
高Z
D
IN
X
CODE
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
A16 A15
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A14
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H - 03FFFh
04000h - 07FFFh
08000H - 0BFFFh
0C000h - 地址0FFFFh
10000H - 13FFFh
14000h - 17FFFh
18000H - 1BFFFh
1C000h - 1FFFFH
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
A
0
A
1
A
9
X
L
X
H
V
ID
V
ID
SA5
SA6
SA7
5
SCD1668 REV A 98年4月28日
QQ：2880707522 复制
