添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1598页 > AM29LV652D
Am29LV652D
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。对于新的设计, S29GL128N
取代Am29LV652D 。请参阅S29GL -N系列数据手册规范和
订购信息。可用性此文件被保留,以供参考和历史目的
只。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
24961
调整
E
修订
5
发行日期
2006年5月5日
这页有意留为空白。
数据表
Am29LV652D
128兆位( 16一M× 8位) CMOS 3.0伏只
统一部门快闪记忆体与VersatileIO控制
此产品已退休,不建议设计。对于新的设计, S29GL128N取代Am29LV652D 。请参阅S29GL -N系列的数据手册规范
tions和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
两个64兆比特( Am29LV065D )在一个单一的63球11
X 12毫米FBGA封装(注:特征会
为每个内部Am29LV065D描述)
两个芯片使能输入
- 每个CE#控件选择一个内部的
Am29LV065D设备
单电源工作
- 3.0到3.6伏读取,擦除和编程操作
VersatileIO控制
- 设备产生的输出电压和输入容忍
DQ上的I / O电压由该电压测定
V
IO
输入
高性能
- 存取时间快90纳秒
在0.23微米制程技术制造的
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息提供给系统,
使主机软件轻松进行重新配置
不同的闪存器件
超低功耗( 3.0 V典型值,
5兆赫)的一部分
- 9 mA典型有效的读电流
- 25 mA典型的擦除/编程电流
- 400 nA的典型待机模式电流
灵活的部门架构
- 两百年56 64 KB的行业
扇区保护
- 硬件方法锁定一个部门,以防止
该部门内部编程或擦除操作
- 扇区可以被锁定在系统或通过编程
设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动写
并验证在指定地址的数据
与JEDEC标准兼容
- 除了增加CE2 #的FBGA是引出线和
软件与单电源闪存兼容
- 高级无意写保护
每个部门最少百万擦除周期保证
63球FBGA封装
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,或
程序的数据,一个没有被擦除扇区,
然后恢复擦除操作
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序的软件或方法
擦除操作完成
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除周期结束
硬件复位输入( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
ACC输入
- 加速编程时间为更高的吞吐量
系统在生产过程中
编程和擦除性能(V
HH
没有施加到
在ACC输入)
- 字节编程时间: 5微秒典型
- 扇区擦除时间: 1.6 s典型的每个64字节
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
24961
启:
A
修订:
5
发行日期:
2006年5月5日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29LV652D是128兆, 3.0伏( 3.0 V至3.6
V)单电源闪存设备组织
如在单一的63球的FBGA 2 Am29LV065D骰子
封装。每个Am29LV065D是64兆, 3.0伏( 3.0
V到3.6 V )单电源闪存设备
组织为8,388,608字节。数据显示在
DQ0 - DQ7 。该设备被设计为被编程
在系统与标准系统3.0伏V
CC
支持
层。 12.0伏V
PP
不需要程序或擦除
操作。该Am29LV652D装有两个
CE# S为两个内部64间的灵活选择
MB的设备。该设备也可以在编程
标准EPROM编程器。
该Am29LV652D提供的90和120的访问时间
NS和63球FBGA封装提供。为了消除
内特总线争用的Am29LV652D设备包含
两个独立的芯片使能( CE #和CE2 # ) 。每个芯片
使能(CE #或CE2 # )被连接到仅一个的
两个骰子在Am29LV652D包。
到系
统,该装置是一样的两个独立的
Am29LV065D在同一块板上。在唯一的区别
EnCE的是,现在打包在一起,以重新
领袖的电路板空间。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
( 3.0 V至3.6 V ),用于读取和写入功能
系统蒸发散。内部产生,调节电压
所规定的程序和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。解锁旁路模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除,
自动装置倍擦除脉冲宽度
并验证正确的电池余量。
VersatileI / O
(V
IO
)控制允许主机系
统设置的电压电平,该装置产生
在其数据输出端和电压耐受在其数据
输入到相同的电压电平被置上
V
IO
。这使得该设备在3 V或5 V电源供电
根据需要的系统环境。对于电压等级
低于3 V ,与AMD的代表,了解更多IN-
形成。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY # ,由
阅读DQ7 (数据#查询) ,或DQ6 (切换)
台站
状态位。
经过编程或擦除周期完成后,
该设备已准备好读取阵列数据或接受AN-
其他命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
硬件RESET #
终止在任何操作
进度和复位内部状态机
读阵列数据。 RESET#可连接到系统
复位电路。系统复位将因此也重
该装置,使系统的微处理器,以
读取来自闪存设备引导固件。
该器件提供了一个
待机模式
作为节电
功能。一旦系统会将设备进
待机状态下的功耗大大降低。
加速计划( ACC )
功能允许
系统对器件编程以更快的速率。
当ACC被拉高至V
HH
,器件进入
解锁旁路模式,使得用户能够减少
必要的时候做的程序操作。此功能
意在系增加工厂产量
统的生产,但也可以使用在该领域如果DE-
sired 。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV652D
24961A5 2006年5月5日
D A T A
中文ê (E T)
目录
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
目录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29LV652D设备总线操作................................ 9
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 31
图5.数据#轮询算法........................................... ....... 31
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 32
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 32
图6.切换位算法............................................ ............ 32
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 33
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 33
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 33
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 33
表11.写操作状态............................................ ....... 34
VersatileIO (V
IO
)控制................................................ 9 .......
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列............................ 10
加快程序运行.......................................... 10
自选功能................................................ ........... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 10
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2扇区地址表CE# ......................................... 0.11
表3扇区地址表CE2 # ........................................ 15
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图7.最大负过冲波形..................... 35
图8.最大正过冲波形....................... 35
DC特性
(用于两个Am29LV065设备)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 37
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 37
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图11.测试设置............................................. ....................... 38
表12.测试规范............................................. ............ 38
图12.输入波形和测量水平................. 38
自选模式................................................ ..................... 19
表4. Am29LV652D自动选择码, (高压法) 19
行业组保护和unprotection的............................. 20
表5.类别组保护/ unprotection的地址表..... 20
临时机构集团撤消....................................... 21
图1.临时机构集团撤消操作................ 21
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 22
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
只读操作.............................................. ............. 39
图13.读操作时序............................................ ... 39
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 40
图14.复位时序............................................. .................. 40
硬件数据保护............................................... ....... 23
低VCC写禁止.............................................. ........... 23
写脉冲“毛刺”保护............................................ 23
逻辑禁止................................................ ...................... 23
上电写禁止............................................. ............ 23
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 23
表6. CFI查询标识字符串.......................................... 23
系统接口字符串............................................... .................... 24
表8.设备几何定义............................................ 24 ..
表9.主要供应商特定的扩展查询........................ 25
擦除和编程操作.............................................. 41
图15.程序操作时序..........................................
图16.加速程序时序图..........................
图17.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图18.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图19.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
42
42
43
44
45
45
临时机构撤消............................................... ... 46
图21.临时机构集团撤消时序图... 46
图22.类别组保护和撤消时序图.. 47
图23.备用CE #控制的写
(擦除/编程)操作时序........................................... ... 49
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
读阵列数据............................................... ................. 25
复位命令................................................ ..................... 26
自选命令序列............................................ 26
字节编程命令序列....................................... 26
解锁绕道命令序列.................................. 26
图3.程序操作............................................. ............. 27
芯片擦除命令序列........................................... 27
扇区擦除命令序列........................................ 28
擦除暂停/删除恢复命令........................... 28
图4.擦除操作............................................. .................. 29
表10. Am29LV652D命令定义.............................. 30
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 50
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
输入/输出电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
FSA063-63球细间距球栅阵列( FBGA ) 11× 12毫米
包................................................. ................................. 51
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
2006年5月5日24961A5
Am29LV652D
3
Am29LV652D
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
24961
调整
A
修订
+4
发行日期
2004年10月29日
这页有意留为空白。
初步
Am29LV652D
128兆位( 16一M× 8位) CMOS 3.0伏只
统一部门快闪记忆体与VersatileIO控制
特色鲜明
两个64兆比特( Am29LV065D )在一个单一的63球11
X 12毫米FBGA封装(注:特征会
为每个内部Am29LV065D描述)
两个芯片使能输入
- 每个CE#控件选择一个内部的
Am29LV065D设备
单电源工作
- 3.0到3.6伏读取,擦除和编程操作
VersatileIO控制
- 设备产生的输出电压和输入容忍
DQ上的I / O电压由该电压测定
V
IO
输入
高性能
- 存取时间快90纳秒
在0.23微米制程技术制造的
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息提供给系统,
使主机软件轻松进行重新配置
不同的闪存器件
超低功耗( 3.0 V典型值,
5兆赫)的一部分
- 9 mA典型有效的读电流
- 25 mA典型的擦除/编程电流
- 400 nA的典型待机模式电流
灵活的部门架构
- 两百年56 64 KB的行业
扇区保护
- 硬件方法锁定一个部门,以防止
该部门内部编程或擦除操作
- 扇区可以被锁定在系统或通过编程
设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动写
并验证在指定地址的数据
与JEDEC标准兼容
- 除了增加CE2 #的FBGA是引出线和
软件与单电源闪存兼容
- 高级无意写保护
每个部门最少百万擦除周期保证
63球FBGA封装
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,或
程序的数据,一个没有被擦除扇区,
然后恢复擦除操作
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序的软件或方法
擦除操作完成
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除周期结束
硬件复位输入( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
ACC输入
- 加速编程时间为更高的吞吐量
系统在生产过程中
编程和擦除性能(V
HH
没有施加到
在ACC输入)
- 字节编程时间: 5微秒典型
- 扇区擦除时间: 1.6 s典型的每个64字节
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
24961
启:
A
Amendment/+4
发行日期:
2004年10月29日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
该Am29LV652D是128兆, 3.0伏( 3.0 V至3.6
V)单电源闪存设备组织
如在单一的63球的FBGA 2 Am29LV065D骰子
封装。每个Am29LV065D是64兆, 3.0伏
( 3.0 V至3.6 V)单电源闪存DE-
副组织为8,388,608字节。数据显示在
DQ0 - DQ7 。该设备被设计为被编程
在系统与标准系统3.0伏V
CC
支持
层。 12.0伏V
PP
不需要程序或
擦除操作。该Am29LV652D配备
2 CE# S表示两个接口之间灵活选择
最终64 Mb的设备。该装置还可以亲
编程标准EPROM编程器。
该Am29LV652D提供的90和120的访问时间
NS和63球FBGA封装提供。为了消除
内特总线争用的Am29LV652D设备包含
两个独立的芯片使能( CE #和CE2 # ) 。每个芯片
使能(CE #或CE2 # )被连接到仅一个的
两个骰子在Am29LV652D包。
到系
统,该装置是一样的两个独立的
Am29LV065D在同一块板上。在唯一的区别
EnCE的是,现在打包在一起,以重新
领袖的电路板空间。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
( 3.0 V至3.6 V ),用于读取和写入功能
系统蒸发散。内部产生,调节电压
所规定的程序和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。解锁旁路模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未亲
编程)执行擦除操作之前。能很好地协同
次擦除自动荷兰国际集团的擦除,所述装置
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
VersatileI / O
(V
IO
)控制允许主机系
统设置的电压电平,该装置产生
在其数据输出端和电压耐受在其数据
输入到相同的电压电平被置上
V
IO
。这使得该设备在3 V或5 V电源供电
根据需要的系统环境。对于电压等级
低于3 V ,与AMD的代表,了解更多IN-
形成。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY # ,由
阅读DQ7 (数据#查询) ,或DQ6 (切换)
台站
状态位。
经过编程或擦除周期完成后,
该设备已准备好读取阵列数据或接受AN-
其他命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
硬件RESET #
终止在任何操作
进度和复位内部状态机
读阵列数据。 RESET#可连接到系统
复位电路。系统复位将因此也重
该装置,使系统的微处理器,以
读取来自闪存设备引导固件。
该器件提供了一个
待机模式
作为节电
功能。一旦系统会将设备进
待机状态下的功耗大大降低。
加速计划( ACC )
功能允许
系统对器件编程以更快的速率。
当ACC被拉高至V
HH
,器件进入
解锁旁路模式,使得用户能够减少
必要的时候做的程序操作。此功能
意在系增加工厂产量
统的生产,但也可以使用在该领域如果DE-
sired 。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV652D
2004年10月29日
P L I M I N A R
目录
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29LV652D设备总线操作................................ 9
表10. Am29LV652D命令定义............................. 30
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 31
图5.数据#轮询算法........................................... ....... 31
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 32
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 32
图6.切换位算法............................................ ............ 32
VersatileIO
(V
IO
)控制................................................ 9 .......
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列............................ 10
加快程序运行.......................................... 10
自选功能................................................ ........... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 10
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2扇区地址表CE# ......................................... 0.11
表3扇区地址表CE2 # ........................................ 15
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 33
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 33
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 33
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 33
表11.写操作状态............................................ ....... 34
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图7.最大负过冲波形..................... 35
图8.最大正过冲波形....................... 35
直流特性(二Am29LV065设备)
36
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 37
图10.典型I
CC1
与频率............................................ 37
图11.测试设置............................................. ....................... 38
表12.测试规范............................................. ............ 38
图12.输入波形和测量水平................. 38
自选模式................................................ ..................... 19
表4. Am29LV652D自动选择码, (高压法) 19
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
行业组保护和unprotection的............................. 20
表5.类别组保护/ unprotection的地址表..... 20
临时机构集团撤消....................................... 21
图1.临时机构集团撤消操作................ 21
图2.在系统集团部门保护/撤消算法... 22
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
只读操作.............................................. ............. 39
图13.读操作时序............................................ ... 39
硬件数据保护............................................... ....... 23
低VCC写禁止.............................................. ........... 23
写脉冲“毛刺”保护............................................ 23
逻辑禁止................................................ ...................... 23
上电写禁止............................................. ............ 23
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 23
表6. CFI查询标识字符串..........................................
系统接口字符串............................................... ....................
表8.设备几何定义............................................ ..
表9.主要供应商特定的扩展查询........................
23
24
24
25
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 40
图14.复位时序............................................. .................. 40
擦除和编程操作.............................................. 41
图15.程序操作时序..........................................
图16.加速程序时序图..........................
图17.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图18.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图19.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
42
42
43
44
45
45
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
读阵列数据............................................... ................. 25
复位命令................................................ ..................... 26
自选命令序列............................................ 26
字节编程命令序列....................................... 26
解锁绕道命令序列.................................. 26
图3.程序操作............................................. ............. 27
临时机构撤消............................................... ... 46
图21.临时机构集团撤消时序图... 46
图22.类别组保护和撤消时序图.. 47
图23.备用CE #控制的写
(擦除/编程)操作时序........................................... ... 49
芯片擦除命令序列........................................... 27
扇区擦除命令序列........................................ 28
擦除暂停/删除恢复命令........................... 28
图4.擦除操作............................................. .................. 29
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 50
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 51
FSA063-63球细间距球栅阵列( FBGA ) 11× 12毫米
包................................................. ................................. 51
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
2004年10月29日
Am29LV652D
3
查看更多AM29LV652DPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AM29LV652D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AM29LV652D
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8480
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多AM29LV652D供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!