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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第98页 > AM29LV400BT-70SC
Am29LV400B
4兆位( 512K的×8位/ 256千×16位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写入操作与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29LV400设备
s
高性能
- 全电压范围:存取时间快70纳秒
- 稳压电压范围:存取时间快
55纳秒
s
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
7 64K字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
7 32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每个部门最少百万写周期保证
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21523
启:
D
Amendment/+1
发行日期:
2000年11月8日
概述
该AM29LV400B是4兆, 3.0伏,仅限于Flash
内存组织为524,288字节或262,144字。
该器件采用48球FBGA封装, 44引脚SO和
48引脚TSOP封装。字级数据( X16 )
出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据
出现在DQ7 - DQ0 。此装置被设计成
仅使用一个3.0伏V在系统内编程
CC
供应量。无V
PP
需要写入或擦除操作
系统蒸发散。该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29LV400 ,这是用制造的efits
0 。 5 μ M·P ,R 0权证S S小T E C H N 0 1 GY 。我N A D D I T I O N,T ^ h ê
AM29LV400B功能解锁绕道程序
而在系统部门保护/解除保护。
该标准的设备提供的55 ,70, 90的存取时间
和120纳秒,使高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线争
该设备有独立的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的内部算法,可以自动
预方案的阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
最高级别的质量,可靠性和成本效益。
该装置电擦除一个扇区内的所有位simul-
通过taneously福勒- Nordheim隧穿。该数据是
用热电子注入编程。
2
Am29LV400B
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理指示细间距球栅
阵列( FBGA ) .............................................. .............................. 7
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. AM29LV400B设备总线操作................................ 9
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 21
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 22
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 22
图6.切换位算法............................................ ............ 22
表6.写操作状态............................................ ......... 23
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
图7.最大负过冲波形...................... 24
图8.最大正过冲波形........................ 24
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ............................... 26
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 26
字/字节配置.............................................. ............ 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列............................ 10
编程和擦除操作状态.................................... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 10
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2. Am29LV400BT热门引导扇区地址表............... 11
表3. Am29LV400BB底部引导扇区地址表......... 11
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
图11.测试设置............................................. ........................ 27
表7.测试规范............................................. .............. 27
图12.输入波形和测量水平................. 27
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
读操作................................................ .................... 28
图13.读操作时序............................................ 28
自选模式................................................ ..................... 12
表4. AM29LV400B自选代码(高压法) ..12
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 29
图14. RESET #时序............................................ .............. 29
扇区保护/ unprotection的.............................................. 12
图1.在系统部门保护/撤消算法.............. 13
字/字节配置( BYTE # ) ........................................ 30
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 30
图16. BYTE #时序写操作............................ 30
临时机构撤消............................................... ... 14
图2.临时机构撤消操作........................... 14
擦除/编程操作.............................................. ....... 31
图17.程序操作时序..........................................
图18.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
图22.临时机构撤消时序图..............
图23.部门保护/撤消时序图....................
图24.备用CE #控制的写操作时序......
32
33
34
34
35
35
36
38
硬件数据保护............................................... ....... 14
低V
CC
写禁止................................................ .............. 14
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 14
逻辑禁止................................................ .......................... 14
上电写禁止............................................. ............... 14
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
读阵列数据............................................... ................. 15
复位命令................................................ ..................... 15
自选命令序列............................................ 15
字/字节编程命令序列............................. 15
解锁绕道命令序列..................................... 16
图3.程序操作............................................. ............. 16
芯片擦除命令序列........................................... 16
扇区擦除命令序列........................................ 17
擦除暂停/删除恢复命令........................... 17
图4.擦除操作............................................. .................. 18
命令定义................................................ ............. 19
表5. AM29LV400B命令定义................................. 19
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 20
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 20
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 21
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 21
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 21
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 39
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
TS 048-48针标准TSOP .......................................... 40 ..
TSR048-48引脚的反向TSOP ........................................... 41
FBA048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
6 ×8 mm封装............................................. ..................... 42
SO 044-44引脚小外形封装............................... 43
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
版本A( 1998年1月) ............................................ ......... 44
版本B( 1998年7月) ............................................ ................ 44
版本B + 1 ( 1998年8月) .......................................... ......... 44
版本C( 1999年1月) ............................................ ......... 44
版本C + 1 ( 1999年7月2日) ........................................ ........... 44
版本D ( 1999年1月3日) .......................................... ....... 44
版本D + 1 ( 2000年11月8日) ........................................ 44
Am29LV400B
3
产品选择指南
系列型号
稳压电压范围: 3.0 - 3.6 V
速度选项
全电压范围: 2.7 - 3.6 V
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
55
55
30
70
70
70
30
90
90
90
35
120
120
120
50
55R
Am29LV400B
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15 ( A- 1 )
WE#
BYTE #
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A17
4
Am29LV400B
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
标准TSOP
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
A16
BYTE #
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
反向TSOP
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
Am29LV400B
5
Am29LV400B
数据表
RETIRED
产品
此产品已经退休,不适用于设计。对于新的和现有的设计,
S29AL004D取代AM29LV400B ,是厂家推荐的迁移路径。请参考
到S29AL004D数据表的规格和订购信息。可用性本文档中
换货保留仅供参考,历史的目的。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
21523
调整
D
修订
4
发行日期
2006年12月4日
这页有意留为空白。
数据表
Am29LV400B
4兆位( 512K的×8位/ 256千×16位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
此产品已经退休,不适用于设计。对于新的和现有的设计, S29AL004D取代AM29LV400B ,是厂家推荐的迁移路径。请
参考S29AL004D数据表规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写入操作与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29LV400设备
高性能
- 全电压范围:存取时间快70纳秒
- 稳压电压范围:存取时间快
55纳秒
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
7 64K字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
7 32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
- 锁定一个部门,以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
- 扇区可以被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
每个部门最少百万写周期保证
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
- 铅(Pb) - 免费提供包装
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容
单电源闪存
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
出版#
21523
启:
D
Amendment/4
发行日期:
2006年12月4日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该AM29LV400B是4兆, 3.0伏,仅限于Flash
内存组织为524,288字节或262,144
话。该器件采用48球FBGA封装, 44引脚
SO和48引脚TSOP封装。在字宽数据
( X16 )出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据
出现在DQ7 - DQ0 。此装置被设计成
仅使用一个3.0伏V在系统内编程
CC
供应量。无V
PP
需要写入或擦除操作
系统蒸发散。该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.32微米制造亲
塞斯技术,并提供所有的功能和创造收益
适合的Am29LV400 ,将其用制备的
0 。 5 μ M·P ,R 0权证S S小T E C H N 0 1 GY 。我N A D D I T I O N,T ^ h ê
AM29LV400B功能解锁绕道程序
而在系统部门保护/解除保护。
该标准的设备提供的55 ,70, 90的存取时间
和120纳秒,使高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
预方案的阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除,
自动装置倍擦除脉冲宽度
并验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可以连接到
系统复位电路。系统复位将因此
还重置设备,使系统微处理器的
处理器读取Flash中的引导固件
内存。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
最高级别的质量,可靠性和成本效益。
该装置电擦除一个扇区内的所有位Si-所示
通过multaneously福勒- Nordheim隧穿。该数据是
用热电子注入编程。
2
Am29LV400B
2006年21523D4 12月4日,
D A T A
中文ê (E T)
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
特殊处理的说明( FBGA ) ...................................... 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. AM29LV400B设备总线操作...................................... 9
表6.写操作状态............................................ ............... 23
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
图7.最大负过冲波形............................. 24
图8.最大正过冲波形.............................. 24
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ...................................... 26
图10.典型I
CC1
与频率............................................... .... 26
字/字节配置.............................................. .................. 9
对于读阵列数据........................................... 9需求
写命令/命令序列.................................. 10
编程和擦除操作状态.......................................... 10
待机模式................................................ .............................. 10
自动休眠模式............................................... .................. 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ......... 10
输出禁止模式............................................... .................... 11
表2. Am29LV400BT热门引导扇区地址表..................... 11
表3. Am29LV400BB底部引导扇区地址表............... 11
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
图11.测试设置............................................. .............................. 27
表7.测试规范............................................. ..................... 27
图12.输入波形和测量水平........................ 27
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
读操作................................................ .......................... 28
图13.读操作时序............................................ ........ 28
硬件复位( RESET # ) ............................................ .............. 29
图14. RESET #时序............................................ ..................... 29
自选模式................................................ .......................... 12
表4. AM29LV400B自选代码(高压法) ........ 12
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... ... 30
图15. BYTE #时序进行读操作.................................. 30
图16. BYTE #时序写操作.................................. 30
扇区保护/ unprotection的.............................................. ...... 12
图1.在系统部门保护/撤消算法.................... 13
擦除/编程操作.............................................. ............ 31
图17.程序操作时序............................................ ....
图18.芯片/扇区擦除操作时序.................................
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) .......
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ............
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ............................
图22.临时机构撤消时序图.....................
图23.部门保护/撤消时序图...........................
图24.备用CE #控制的写操作时序.............
32
33
34
34
35
35
36
38
临时机构撤消............................................... ......... 14
图2.临时机构撤消操作................................. 14
硬件数据保护............................................... ............. 14
低V
CC
写禁止................................................ .................... 14
写脉冲“毛刺”保护............................................ ......... 14
逻辑禁止................................................ ............................... 14
上电写禁止............................................. .................... 14
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
读阵列数据............................................... ....................... 15
复位命令................................................ .......................... 15
自选命令序列............................................... ... 15
字/字节编程命令序列................................... 15
解锁绕道命令序列........................................... 16
图3.程序操作............................................. ................... 16
芯片擦除命令序列.............................................. ... 16
扇区擦除命令序列.............................................. 17
擦除暂停/删除恢复命令................................ 17
图4.擦除操作............................................. ........................ 18
表5. AM29LV400B命令定义....................................... 19
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
DQ7 :数据#投票............................................. ......................... 20
图5.数据#轮询算法........................................... .............. 20
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ........................ 21
DQ6 :切换位I ............................................. ............................. 21
DQ2 :触发位II ............................................. ............................ 21
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ........ 21
DQ5 :超过时序限制............................................. ......... 22
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................ 22
图6.切换位算法............................................ ................... 22
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 39
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
BGA球电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
TS 048-48针标准TSOP .......................................... ....... 41
TSR048-48引脚的反向TSOP ........................................... ...... 42
FBA048-48球细间距球栅阵列( FBGA )
6 ×8 mm封装............................................. ........................... 43
SO 044-44引脚小外形封装..................................... 44
版本A( 1998年1月) ............................................ ............... 45
版本B( 1998年7月) ............................................ ..................... 45
版本B + 1 ( 1998年8月) .......................................... .............. 45
版本C( 1999年1月) ............................................ ............... 45
版本C + 1 ( 1999年7月2日) ........................................ ................. 45
版本D ( 1999年1月3日) .......................................... ............. 45
版本D + 1 ( 2000年11月8日) ........................................ ....... 45
版本D + 2 ( 2003年10月30日) ........................................ ........ 45
版本D + 3 (二〇〇五年十二月一十三日) ........................................ ..... 45
修订D4 ( 2006年12月4日) .......................................... ....... 45
2006年12月4日21523D4
Am29LV400B
3
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