特点
单2.7V - 3.6V电源
串行外设接口（SPI ）兼容
- 支持SPI模式0和3
- 支持急流
手术
- 支持双输入程序和双输出读
很高的工作频率
- 100兆赫的急流
- 85兆赫的SPI
- 时钟到输出（T
V
的） 5 ns最大
灵活，优化的擦除架构代码+数据存储应用
- 统一4KB的块擦除
- 统一的32 KB的块擦除
- 统一的64 KB的块擦除
- 整片擦除
单个扇区保护与全球保护/撤消功能
- 128个扇区的64字节每
保护部门通过WP引脚硬件控制锁
部门锁定
- 使64字节扇区的任何组合永久只读
128字节的可编程OTP安全注册
灵活的编程
- 字节/页编程（ 1到256字节）
快速编程和擦除时间
- 1.0毫秒的典型页编程（ 256字节）的时间
- 50毫秒典型4KB的块擦除时间
- 250毫秒典型的32字节块擦除时间
- 400毫秒典型的64字节块擦除时间
编程和擦除暂停/恢复
自动检查和擦除/编程故障报告
软件控制的复位
JEDEC标准制造商和设备ID阅读方法
低功耗
- 5毫安读操作工作电流（典型值在20兆赫）
- 5 μA深度掉电电流（典型值）
耐力：100,000编程/擦除周期
数据保存时间：20年
符合工业温度范围内
行业标准的绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）封装选择
- 16引脚SOIC （ 300密耳宽）
- 8 - 联系非常薄型DFN （ 6毫米x 8毫米）
64-Megabit
2.7-volt
最低
SPI串行闪存
内存
AT25DF641
初步
请参阅适用勘误表
in
第18节。
1.描述
该AT25DF641是在宽的设计使用一个串行接口的闪存设备
各种大批量消费类应用程序中，程序代码是shad-
从闪存到欠执行嵌入式或外部RAM 。灵活
删除AT25DF641的架构，其擦除粒度小至4千字节，
使得它非常适合用于数据存储为好，省去了额外的数据存储
EEPROM器件。
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物理的部门划分和AT25DF641的擦除块的大小进行了优化，
满足当今的代码和数据存储应用的需要。通过优化的尺寸
物理扇区和擦除的块中，存储空间可以被更有效地使用。
因为某些代码模块和数据存储段必须驻留在自己的
自己的受保护行业，出现大扇形的浪费和未使用的存储空间
和大的块擦除闪存设备可以大大减小。这增加的内存
空间利用率允许额外的代码例程和数据存储段可同时加
仍然保持相同的总体器件密度。
该AT25DF641还提供了一个先进的方法，用于保护单个部门打击
错误的或恶意的编程和擦除操作。通过提供单独亲的能力
TECT和取消保护部门，一个系统可以解除对某个特定行业，以修改其内容，而
保持在存储器阵列的剩余扇区进行安全保护。这是在应用程序有用
系统蒸发散为程序代码打补丁或更新一个子程序或模块的基础上，或在
应用，数据存储段需要不运行的错误的风险改性
修改的程序代码段。除个别行业的保护capabili-
联系， AT25DF641采用了全球保护和全球撤消功能，使
整个存储器阵列可以被保护或未被保护的一次。这将减少开销
期间由于扇区制造过程不必是不受保护的一个接一个先前
初始编程。
采取代码和数据保护到新的水平，在AT25DF641采用了行业锁相
下来的机制，使个人64K字节扇区的任意组合被锁定
并成为永久只读。这解决了某些安全应用的需求了
需要闪存存储器阵列的部分，以被永久地保护，以防止恶意
在改变程序代码，数据模块，安全信息，或者加密/解密的尝试
算法，密钥和例程。该设备还包含一个专门的OTP （一次性亲
可编程）安全寄存器可用于用途，如唯一的设备
系列化，系统级的电子序列号（ ESN ）的存储，锁定密钥存储等
专为3伏系统中使用时， AT25DF641支持读取，程序，
擦除操作与2.7V至3.6V的电源电压范围。没有单独的电压所需的
编程和擦除。
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AT25DF641 [初步]
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AT25DF641 [初步]
2.引脚说明和引脚
表2-1 。
符号
引脚说明
名称和功能
片选：
断言CS引脚选择设备。当CS引脚置为无效，
该设备将被取消，通常被置于待机模式（不深的电源 -
关断模式） ，而SO引脚将处于高阻抗状态。当该装置是
取消选择，数据不会在SI引脚接受。
在CS引脚从高电平到低电平的转换才能启动的操作，以及低到高
结束的动作过渡是必需的。当结束一个内部自定时操作
诸如程序或擦除周期，该设备将不会进入待机模式，直到
操作完成。
串行时钟：
该引脚用于提供一个时钟的装置和用于控制所述
流数据和从该装置的。目前SI引脚上的命令，地址和数据输入
总是锁定在SCK的上升沿，而在SO引脚输出数据始终
同步输出SCK的下降沿。
串行输入（串行输入/输出） ：
SI引脚被用于将数据转移到器件中。
SI引脚用于所有的数据输入，包括命令和地址序列。上的数据
SI引脚总是锁定在SCK的上升沿。
随着双输出读阵列命令， SI引脚变为输出引脚（ SIO ），以允许
数据（在SO和SIO引脚）的两位可以同步输出在SCK的每个下降沿。对
保持一致性SPI命名，串口引脚将被引用为SI在整个
与例外的文件部分处理的双输出读阵列命令
在其中将被引用为SIO 。
只要设备存在取消SI引脚上的数据将被忽略（ CS是
无效） 。
串行输出（串行输入/输出） ：
SO引脚用于从所述数据移出
装置。在SO引脚上的数据总是同步输出SCK的下降沿。
随着双输入字节/页编程命令时， SO引脚成为输入引脚（ SOI ）
允许两个数据位（对SOI和SI引脚）上的每个上升沿被移入
SCK 。保持带有SPI命名法保持一致，在SOI销将被引用为SO
在全国各地设有除文档处理双输入字节/页的部分
在其中将被引用为SOI程序命令。
SO引脚会在每次取消选择器件的高阻抗状态（ CS是
无效） 。
写保护：
在WP引脚控制设备的硬件锁定功能。请
请参阅
“保护命令和功能”第21页
为保护更多详细信息
功能和WP引脚。
WP引脚在内部上拉，高，可能会悬空，如果硬件控制保护
将不被使用。但是，我们建议在WP引脚也可以从外部连接
到V
CC
只要有可能。
断言
状态
TYPE
CS
低
输入
SCK
-
输入
SI （SIO）
-
输入/输出
SO（ SOI）的
-
输出/输入
WP
低
输入
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表2-1 。
符号
引脚说明（续）
名称和功能
HOLD ：
HOLD引脚用于暂时没有暂停串行通信
取消或重置设备。而HOLD引脚置位，转换的SCK
引脚和数据通过SI引脚将被忽略，而SO引脚将处于高阻抗状态。
CS引脚必须被拉高， SCK引脚必须处于低状态，为了使保持
条件来启动。一个保持状态只能暂停串行通信和不具有
在内部自定时操作的影响，如编程或擦除周期。请参阅
第46页的“保留”
对于在保持操作的更多细节。
HOLD引脚内部上拉，高，可能会悬空，如果保持功能将不
使用。然而，我们建议将HOLD销也可以从外部连接到V
CC
只要有可能。
器件电源：
在V
CC
销是用来提供电源电压的装置。
在无效的V操作
CC
电压可能产生虚假的结果，不应该
企图。
地面：
用于电源的接地参考。接地应连接到所述
系统地。
断言
状态
TYPE
HOLD
低
输入
V
CC
-
动力
GND
-
动力
图2-1 。
8 - VDFN （顶视图）
CS
SO（ SOI）的
WP
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
图2-2 。
VCC
HOLD
SCK
SI （SIO）
16 - SOIC （顶视图）
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
SCK
SI （SIO）
NC
NC
NC
NC
GND
WP
HOLD
VCC
NC
NC
NC
NC
CS
SO（ SOI）的
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AT25DF641 [初步]
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AT25DF641 [初步]
3.框图
图3-1 。
框图
CS
控制和
保护逻辑
I / O缓冲器
和锁存器
SCK
SI （SIO）
SO（ SOI）的
接口
控制
和
逻辑
地址锁存
SRAM
数据缓冲区
y解码器
Y型GATING
WP
HOLD
X解码器
FL灰
内存
ARRAY
4.内存阵列
提供了最大的灵活性， AT25DF641的存储器阵列可在4列弗被擦除
粒度ELS包括整片擦除。此外，该阵列被划分成物理
其中，大小均匀，各部门各部门可以单独保护程序，并
擦除操作。的物理扇区的尺寸被用于代码和数据的存储优化
应用程序，从而允许代码和数据段驻留在他们自己的隔离区。该
存储器体系结构图说明了每个擦除电平的故障以及
每一个物理扇区的损坏。
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