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初步
Am29LV008B
8兆位( 1一M× 8位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读
操作和写操作和用于与兼容性
高性能的3.3伏微处理器
s
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29LV008设备
s
高性能
- 全电压范围:存取时间快80纳秒
为快速存取时间:稳压电压范围 -
为70纳秒
s
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64 KB的行业
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每次最少百万写周期保证
扇形
s
封装选项
- 40针TSOP
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
21524
启:
B
Amendment/+1
发行日期:
1998年3月
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
该Am29LV008B是8兆, 3.0伏,仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节。该装置是
在一个40引脚TSOP封装。该字节宽的(x8 )
数据显示在DQ7 - DQ0 。仅此设备需要
一个单一的, 3.0伏V
CC
供应进行读取,编程,
和擦除操作。一个标准的EPROM亲
程序员也可以被用来编程和擦除的
装置。
该器件采用AMD的0.35微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和
该Am29LV008 ,将其制造的好处
采用0.5微米工艺技术。此外,该
Am29LV008B功能解锁绕道程序
而在系统部门保护/解除保护。
该标准的设备提供的70次,80次90次访问,
和120纳秒,使高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备擦除时通过执行擦除命令
序列。这将启动
嵌入式擦除
algo-
rithm -内部算法,自动前原
克阵列(如果它尚未被编程)之前
在执行擦除操作。在擦除时,设备
自动倍擦除脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时,通过一个部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
2
Am29LV008B
P L I M I N A R
产品选择指南
系列型号
速度选项
稳压电压范围: V
CC
=3.0–3.6 V
全电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
70
70
30
-70R
-80
80
80
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
Am29LV008B
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ7
WE#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A19
21524B-1
Am29LV008B
3
P L I M I N A R
连接图
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE#
RESET#
NC
RY / BY #
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
标准TSOP
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A17
V
SS
NC
A19
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
CC
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
A17
V
SS
NC
A19
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
CC
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
CE#
V
SS
CE#
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
反向TSOP
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE#
RESET#
NC
RY / BY #
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
21524B-2
4
Am29LV008B
P L I M I N A R
引脚配置
A0–A19
= 20个地址
DQ0 - DQ7 = 8的数据输入/输出
CE#
OE #
WE#
RESET#
RY / BY #
V
CC
=芯片使能
=输出使能
=写使能
=硬件复位引脚,低电平有效
=就绪/忙输出#
= 3.0伏,只有单电源供电
(见产品选择指南速度
选项和电源电压公差)
=设备接地
=引脚内部没有连接
逻辑符号
20
A0–A19
DQ0–DQ7
8
CE#
OE #
WE#
RESET#
RY / BY #
V
SS
NC
21524B-3
Am29LV008B
5
Am29LV008B
数据表
该Am29LV008B不提供用于新设计。请联系Spansion公司代表替代方案
纳茨。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。虽然文件
标有最初开发的规范的公司的名称,飞索将
继续提供这些产品的现有客户。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。未来将会发生日常的产品更新时, Appro公司和
更改将被记录在修订摘要。
订购零件编号的连续性
Spansion公司继续支持以“ AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购这些
产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
21524
调整
D
修订
6
发行日期
二〇〇六年十月十一日
这页有意留为空白。
数据表
Am29LV008B
8兆位( 1一M× 8位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
该Am29LV008B不提供用于新设计。请联系Spansion公司代表候补。
特色鲜明
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29LV008设备
高性能
- 全电压范围:存取时间快90纳秒
- 稳压电压范围:存取时间快
70纳秒
超低功耗(在5个典型值
兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64 KB的行业
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
每个部门最少百万写周期保证
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 40针TSOP
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21524
启:
D
修订:
6
发行日期:
二〇〇六年十月十一日
数据表
概述
该Am29LV008B是8兆, 3.0伏,仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节。该装置是
在一个40引脚TSOP封装。该字节宽的(x8 )
数据显示在DQ7 - DQ0 。只有这样的设备需要
单, 3.0伏的VCC电源进行读取,编程,
和擦除操作。标准EPROM编程器
也可用于编程和擦除设备。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29LV008 ,这是用制造的efits
0 。 5 μ M·P ,R 0权证S S小T E C H N 0 1 GY 。我N A D D I T I O N,T ^ h ê
Am29LV008B功能解锁绕道程序
而在系统部门保护/解除保护。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,并
120纳秒,允许高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线争
该设备有独立的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列(如果它已不
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
最高级别的质量,可靠性和成本效益。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时,通过福勒- Nordheim隧穿。该
数据是使用热电子注入编程。
4
Am29LV008B
2006年21524D6 10月11日,
数据表
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29LV008B设备总线操作................................ 9
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 22
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 22
表6.写操作状态............................................ ......... 23
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
图7.最大负过冲波形...................... 24
图8.最大正过冲波形........................ 24
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列.............................. 9
编程和擦除操作状态.................................... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 10
输出禁止模式............................................... ............... 10
表2. Am29LV008BT热门引导扇区地址表............... 11
表3. Am29LV008BB底部引导扇区地址表......... 11
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 26
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 26
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
图11.测试设置............................................. ........................ 27
表7.测试规范............................................. .............. 27
图12.输入波形和测量水平................. 27
自选模式................................................ ..................... 12
表4. Am29LV008B自动选择代码(高压法) ..12
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
读操作................................................ .................... 28
图13.读操作时序............................................ 28
扇区保护/ unprotection的.............................................. 12
图1.在系统部门保护/部门撤消算法... 13
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 29
图14. RESET #时序............................................ .............. 29
临时机构撤消............................................... ... 14
图2.临时机构撤消操作........................... 14
擦除/编程操作.............................................. ....... 30
图15.程序操作时序..........................................
图16.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图17.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图18.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图19. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
31
32
33
33
34
硬件数据保护............................................... ....... 14
低V
CC
写禁止................................................ .............. 14
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 14
逻辑禁止................................................ .......................... 14
上电写禁止............................................. ............... 14
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
读阵列数据............................................... ................. 15
复位命令................................................ ..................... 15
自选命令序列............................................ 15
字节编程命令序列....................................... 15
解锁绕道命令序列..................................... 16
图3.程序操作............................................. ............. 16
临时机构撤消............................................... ... 34
图20.临时机构撤消时序图.............. 34
图21.部门保护/撤消时序图.................... 35
备用CE #控制的擦除/编程操作............ 36
图22.备用CE #控制的写操作时序...... 37
芯片擦除命令序列........................................... 16
扇区擦除命令序列........................................ 17
擦除暂停/删除恢复命令........................... 17
图4.擦除操作............................................. .................. 18
命令定义................................................ ............. 19
表5. Am29LV008B命令定义................................. 19
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 20
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 20
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 21
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 21
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 21
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ .. 21
图6.切换位算法............................................ ............. 22
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 38
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
TS 040-40针标准TSOP .......................................... .. 39
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
版本A( 1997年10月) ............................................ ......... 40
版本B( 1998年1月) ............................................ ......... 40
版本B + 1 ( 1998年3月) .......................................... .......... 40
版本C( 1999年1月) ............................................ ......... 40
版本D ( 1999年11月19日) .......................................... 。 40
版本D + 1 ( 2000年8月14日) ........................................ ..... 40
版本D + 2 ( 2000年11月10日) ....................................... 40
版本D + 3 ( 2004年6月11日) ........................................ ........ 40
修订D4 ( 2006年2月21日) .......................................... 40 ..
修订版D5 ( 2006年9月12日) ........................................ 40
二〇〇六年十月十一日21524D6
Am29LV008B
5
初步
Am29LV008B
8兆位( 1一M× 8位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读
操作和写操作和用于与兼容性
高性能的3.3伏微处理器
s
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29LV008设备
s
高性能
- 全电压范围:存取时间快80纳秒
为快速存取时间:稳压电压范围 -
为70纳秒
s
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64 KB的行业
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每次最少百万写周期保证
扇形
s
封装选项
- 40针TSOP
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
21524
启:
B
Amendment/+1
发行日期:
1998年3月
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
该Am29LV008B是8兆, 3.0伏,仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节。该装置是
在一个40引脚TSOP封装。该字节宽的(x8 )
数据显示在DQ7 - DQ0 。仅此设备需要
一个单一的, 3.0伏V
CC
供应进行读取,编程,
和擦除操作。一个标准的EPROM亲
程序员也可以被用来编程和擦除的
装置。
该器件采用AMD的0.35微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和
该Am29LV008 ,将其制造的好处
采用0.5微米工艺技术。此外,该
Am29LV008B功能解锁绕道程序
而在系统部门保护/解除保护。
该标准的设备提供的70次,80次90次访问,
和120纳秒,使高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备擦除时通过执行擦除命令
序列。这将启动
嵌入式擦除
algo-
rithm -内部算法,自动前原
克阵列(如果它尚未被编程)之前
在执行擦除操作。在擦除时,设备
自动倍擦除脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时,通过一个部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
2
Am29LV008B
P L I M I N A R
产品选择指南
系列型号
速度选项
稳压电压范围: V
CC
=3.0–3.6 V
全电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
70
70
30
-70R
-80
80
80
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
Am29LV008B
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ7
WE#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A19
21524B-1
Am29LV008B
3
P L I M I N A R
连接图
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE#
RESET#
NC
RY / BY #
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
标准TSOP
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A17
V
SS
NC
A19
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
CC
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
A17
V
SS
NC
A19
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
CC
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
CE#
V
SS
CE#
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
反向TSOP
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE#
RESET#
NC
RY / BY #
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
21524B-2
4
Am29LV008B
P L I M I N A R
引脚配置
A0–A19
= 20个地址
DQ0 - DQ7 = 8的数据输入/输出
CE#
OE #
WE#
RESET#
RY / BY #
V
CC
=芯片使能
=输出使能
=写使能
=硬件复位引脚,低电平有效
=就绪/忙输出#
= 3.0伏,只有单电源供电
(见产品选择指南速度
选项和电源电压公差)
=设备接地
=引脚内部没有连接
逻辑符号
20
A0–A19
DQ0–DQ7
8
CE#
OE #
WE#
RESET#
RY / BY #
V
SS
NC
21524B-3
Am29LV008B
5
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    -
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现货,原厂原装假一罚十!
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联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
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