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Am29LV004B
数据表
该Am29LV004B不提供用于新设计。请联系Spansion公司代表替代方案
纳茨。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。虽然文件
标有最初开发的规范的公司的名称,飞索将
继续提供这些产品的现有客户。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。未来将会发生日常的产品更新时, Appro公司和
更改将被记录在修订摘要。
订购零件编号的连续性
Spansion公司继续支持以“ AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购这些
产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
21522
调整
D
修订
5
发行日期
二〇〇六年十月十一日
本页面故意留下空白
数据表
Am29LV004B
4兆位( 512K的×8位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
该Am29LV004B不提供用于新设计。请联系Spansion公司代表候补。
特色鲜明
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取和写入操作
电池供电应用
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29LV004设备
高性能
- 存取时间快70纳秒
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
7 64 KB的行业
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
每个部门最少百万写周期保证
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 40针TSOP
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21522
启:
D
修订:
5
发行日期:
二〇〇六年十月十一日
数据表
概述
该Am29LV004B是4兆, 3.0伏,仅限于Flash
内存组织为524,288字节。该装置是
在一个40引脚TSOP封装。该字节宽的(x8 )
数据显示在DQ7 - DQ0 。仅此设备需要
一个单一的, 3.0伏的VCC电源进行读取,编程,
和擦除操作。标准EPROM编程器
也可用于编程和擦除设备。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29LV004 ,这是用制造的efits
0 。 5 μ M·P ,R 0权证S S小T E C H N 0 1 GY 。我N A D D I T I O N,T ^ h ê
Am29LV004B功能解锁绕道程序
而在系统部门保护/解除保护。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,并
120纳秒,允许高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线争
该设备有独立的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
预方案的阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
最高级别的质量,可靠性和成本效益。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时,通过福勒- Nordheim隧穿。该
数据是使用热电子注入编程。
4
Am29LV004B
2006年21522D5 10月11日,
数据表
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29LV004B设备总线操作................................ 9
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 20
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 20
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 20
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 20
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 21
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 21
图6.切换位算法............................................ ............ 21
表6.写操作状态............................................ ......... 22
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列.............................. 9
编程和擦除操作状态.................................... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ............ 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 10
输出禁止模式............................................... ............... 10
表2. Am29LV004BT热门引导块扇区地址表..... 11
表3. Am29LV004BB底部引导块,扇区地址表11
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
图7.最大负过冲波形...................... 23
图8.最大正过冲波形........................ 23
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ............................... 25
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 25
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
图11.测试设置............................................. ........................ 26
表7.测试规范............................................. .............. 26
自选模式................................................ ..................... 12
表4. Am29LV004B自选代码(高压法) .. 12
扇区保护/ unprotection的.............................................. 12
临时机构撤消............................................... ... 12
图1.在系统部门保护/撤消算法............... 13
图2.临时机构撤消操作........................... 14
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
图12.输入波形和测量水平................. 26
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
读操作................................................ .................... 27
图13.读操作时序............................................ 27
硬件数据保护............................................... ....... 14
低V
CC
写禁止................................................ .............. 14
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 14
逻辑禁止................................................ .......................... 14
上电写禁止............................................. ............... 14
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
读阵列数据............................................... ................. 14
复位命令................................................ ..................... 15
自选命令序列............................................ 15
字节编程命令序列....................................... 15
解锁绕道命令序列..................................... 15
图3.程序操作............................................. ............. 16
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 28
图14. RESET #时序............................................ .............. 28
擦除/编程操作.............................................. ....... 29
图15.编程操作时序.......................................... 30
图16.芯片/扇区擦除操作时序.......................... 31
图17.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。 32
图18.触发位计时(在嵌入式算法) ...... 32
图19. DQ2与DQ6 ........................................... ...................... 33
临时机构撤消............................................... ... 33
图20.临时机构撤消时序图.............. 33
图21.部门保护/撤消时序图.................... 34
备用CE #控制的擦除/编程操作............ 35
图22.备用CE #控制的写操作时序...... 36
芯片擦除命令序列........................................... 16
扇区擦除命令序列........................................ 16
擦除暂停/删除恢复命令........................... 17
图4.擦除操作............................................. .................. 17
命令定义................................................ ............. 18
表5. Am29LV004B命令定义................................. 18
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 19
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 19
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 37
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
TS 040-40针标准TSOP .......................................... .. 38
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
2006年21522D5 10月11日,
Am29LV004B
5
超前信息
Am29LV004B
4兆位( 512K的×8位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围: 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
在制造0.35
m
工艺技术
- 兼容0.5
m
Am29LV004设备
s
高性能
- 全电压范围:存取时间快80纳秒
为快速存取时间:稳压电压范围 -
为70纳秒
s
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
7 64 KB的行业
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每次最少百万写周期保证
扇形
s
封装选项
- 40针TSOP
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
21522
启:
A
Amendment/0
发行日期:
1998年1月
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29LV004B是4兆, 3.0伏,仅限于Flash
内存组织为524,288字节。该装置是
在一个40引脚TSOP封装。该字节宽的(x8 )
数据显示在DQ7 - DQ0 。仅此设备需要
一个单一的, 3.0伏V
CC
供应进行读取,编程,
和擦除操作。一个标准的EPROM亲
程序员也可以被用来编程和擦除的
装置。
该器件采用AMD的0.35制造
m
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29LV004 ,这是用制造的efits
0 . 5
M·P R 0权证S S小T E C H N 0 1 GY 。我N A D D I T I O N,T ^ h ê
Am29LV004B功能解锁绕道程序
而在系统部门保护/解除保护。
该标准的设备提供的70次,80次90次访问,
和120纳秒,使高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线争
该设备有独立的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备擦除时通过执行擦除命令
序列。这将启动
嵌入式擦除
algo-
rithm -内部算法,自动前原
克阵列(如果它尚未被编程)之前
在执行擦除操作。在擦除时,设备
自动倍擦除脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定为指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时,通过一个部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
2
Am29LV004B
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
产品选择指南
系列型号
速度选项
稳压电压范围: V
CC
=3.0–3.6 V
全电压范围: V
CC
= 2.7–3.6 V
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
70
70
30
-70R
-80
80
80
30
-90
90
90
35
-120
120
120
50
Am29LV004B
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ7
WE#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A18
21522A-1
Am29LV004B
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
连接图
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE#
RESET#
NC
RY / BY #
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
标准TSOP
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A17
V
SS
NC
NC
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
CC
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE #
V
SS
CE#
A0
A17
V
SS
NC
NC
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
CC
NC
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
CE#
V
SS
CE#
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
反向TSOP
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE#
RESET#
NC
RY / BY #
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
21522A-2
4
Am29LV004B
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
引脚配置
A0–A18
= 19地址
DQ0 - DQ7 = 8的数据输入/输出
CE#
OE #
WE#
RESET#
RY / BY #
V
CC
=芯片使能
=输出使能
=写使能
=硬件复位引脚,低电平有效
=就绪/忙输出#
= 3.0伏,只有单电源供电
(见产品选择指南速度
选项和电源电压公差)
=设备接地
=引脚内部没有连接
逻辑符号
19
A0–A18
DQ0–DQ7
8
CE#
OE #
WE#
RESET#
RY / BY #
V
SS
NC
21522A-3
Am29LV004B
5
Am29LV004B
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
21522
调整
D
修订
+1
发行日期
二零零零年十一月十三日
Am29LV004B
4兆位( 512K的×8位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取和写入操作
电池供电应用
s
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29LV004设备
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
7 64 KB的行业
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
每个部门最少百万写周期保证
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 40针TSOP
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21522
启:
D
Amendment/+1
发行日期:
二零零零年十一月十三日
概述
该Am29LV004B是4兆, 3.0伏,仅限于Flash
内存组织为524,288字节。该装置是
在一个40引脚TSOP封装。该字节宽的(x8 )
数据显示在DQ7 - DQ0 。仅此设备需要
一个单一的, 3.0伏的VCC电源进行读取,编程,
和擦除操作。标准EPROM编程器
也可用于编程和擦除设备。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29LV004 ,这是用制造的efits
0 。 5 μ M·P ,R 0权证S S小T E C H N 0 1 GY 。我N A D D I T I O N,T ^ h ê
Am29LV004B功能解锁绕道程序
而在系统部门保护/解除保护。
该标准的设备提供的70 , 90的访问时间,并
120纳秒,允许高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线争
该设备有独立的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
预方案的阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
最高级别的质量,可靠性和成本效益。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时,通过福勒- Nordheim隧穿。该
数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV004B
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
表1. Am29LV004B设备总线操作................................ 8
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 19
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 20
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 20
图6.切换位算法............................................ ............ 20
表6.写操作状态............................................ ......... 21
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
图7.最大负过冲波形...................... 22
图8.最大正过冲波形........................ 22
对于读阵列数据要求..................................... 8
写命令/命令序列.............................. 8
编程和擦除操作状态...................................... 9
待机模式................................................ .......................... 9
自动休眠模式............................................... .............. 9
RESET # :硬件复位引脚............................................ ..... 9
输出禁止模式............................................... ................. 9
表2. Am29LV004BT热门引导块扇区地址表..... 10
表3. Am29LV004BB底部引导块,扇区地址表10
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ............................... 24
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 24
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
图11.测试设置............................................. ........................ 25
表7.测试规范............................................. .............. 25
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
图12.输入波形和测量水平................. 25
自选模式................................................ ..................... 11
表4. Am29LV004B自选代码(高压法) .. 11
扇区保护/ unprotection的.............................................. 11
临时机构撤消............................................... ... 11
图1.在系统部门保护/撤消算法............... 12
图2.临时机构撤消操作........................... 13
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
读操作................................................ .................... 26
图13.读操作时序............................................ 26
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 27
图14. RESET #时序............................................ .............. 27
硬件数据保护............................................... ....... 13
低V
CC
写禁止................................................ .............. 13
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 13
逻辑禁止................................................ .......................... 13
上电写禁止............................................. ............... 13
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
读阵列数据............................................... ................. 13
复位命令................................................ ..................... 14
自选命令序列............................................ 14
字节编程命令序列....................................... 14
解锁绕道命令序列..................................... 14
图3.程序操作............................................. ............. 15
擦除/编程操作.............................................. ....... 28
图15.编程操作时序.......................................... 29
图16.芯片/扇区擦除操作时序.......................... 30
图17.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。 31
图18.触发位计时(在嵌入式算法) ...... 31
图19. DQ2与DQ6 ........................................... ...................... 32
临时机构撤消............................................... ... 32
图20.临时机构撤消时序图.............. 32
图21.部门保护/撤消时序图.................... 33
备用CE #控制的擦除/编程操作............ 34
图22.备用CE #控制的写操作时序...... 35
芯片擦除命令序列........................................... 15
扇区擦除命令序列........................................ 15
擦除暂停/删除恢复命令........................... 16
图4.擦除操作............................................. .................. 16
命令定义................................................ ............. 17
表5. Am29LV004B命令定义................................. 17
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 18
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 18
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 19
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 19
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 19
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 36
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
TS 040-40针标准TSOP .......................................... .. 37
TSR040-40引脚的反向TSOP ........................................... 38
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
版本A( 1998年1月) ............................................ ......... 39
版本B( 1998年6月) ............................................ .............. 39
版本C( 1999年1月) ............................................ ......... 39
版本D ( 1999年11月18日) .......................................... 39
版本D + 1 ( 2000年11月13日) ....................................... 39
Am29LV004B
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
-70
70
70
30
Am29LV004B
-90
90
90
35
-120
120
120
50
注意:
请参阅“ AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ7
WE#
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A18
4
Am29LV004B
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