【数据表特点闭锁证明2.5 pF的断源极电容12 pF的断漏极电容-0.6 pC的电荷注入低泄漏： 0】,IC型号ADG5236BRUZ-RL7,ADG5236BRUZ-RL7 PDF资料,ADG5236BRUZ-RL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

特点

闭锁证明

2.5 pF的断源极电容

12 pF的断漏极电容

-0.6 pC的电荷注入

低泄漏： 0.4 nA（最大值），在85°C

± 9 V至± 22 V双电源供电

9 V至40 V单电源供电

48 V电源最大额定值

在± 15 V ，± 20 V ， 12 V和36 V

到V

模拟信号范围

高电压闩锁防，

双SPDT开关

ADG5236

功能方框图

ADG5236

S1A

S1B

IN1

IN2

S2A

S2B

09769-001

09769-002

应用

自动测试设备

数据采集

仪器仪表

航空电子学

音频和视频切换

通信系统

开关所对于逻辑1输入。

图1. TSSOP封装

ADG5236

S1A

S1B

S2A

S2B

逻辑

IN1

IN2

开关所对于逻辑1输入。

图2. LFCSP封装

概述

该

ADG5236

是包含两个单片CMOS器件

独立可选的单刀/双掷（ SPDT ）

开关。提供EN输入的LFCSP封装允许或

禁用该设备。禁用时，所有通道关闭。每

开关导电性能相同，在两个方向上时，和

具有延伸到所述电源的输入信号范围。在关

条件下，信号电平的电源被阻止。两

开关展品突破前先切换使用行动

多路复用器应用。

超低电容和电荷注入这些开关的

使他们的数据采集和采样和理想的解决方案

持应用中，低毛刺和快速建立时间是必需的。

快速开关速度及高信号带宽一起做

该器件非常适合视频信号切换。

产品亮点

海沟隔离可防止闩锁。

电介质沟道分开的P和N沟道

晶体管从而防止闩锁，即使在恶劣的

过压条件。

超低电容和<1 pC的电荷注入。

双电源供电。

对于应用中的双极性模拟信号，所述

ADG5236

可从双电源供电高达± 22 V

单电源工作。

对于应用程序，当该模拟信号是单极的，该

ADG5236

可以从一个单一的轨道电源操作

高达40V。

3 V逻辑兼容数字输入。

INH

= 2.0 V, V

INL

= 0.8 V.

无V

逻辑电源要求。

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

ADG5236

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... .............. 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

± 15 V双电源............................................. .......................... 3

± 20 V双电源............................................. .......................... 4

12 V单电源.............................................. .......................... 5

36 V单电源.............................................. .......................... 6

每通道， SX或霉素............................. 7连续电流

数据表

绝对最大额定值............................................... ............. 8

ESD注意事项................................................ ................................... 8

引脚配置和功能描述............................ 9

真值表开关.............................................. ............... 9

典型性能特征........................................... 10

测试电路................................................ ..................................... 14

术语................................................. ................................... 16

沟槽隔离................................................ .............................. 17

应用信息................................................ .............. 18

外形尺寸................................................ ....................... 19

订购指南................................................ .......................... 19

修订历史

4月12日 - 修订版。 0到版本A

更新的外形尺寸............................................... ........ 19

更改订购指南.............................................. ............ 19

7月11日 - 修订版0 ：初始版

版本A |第20页2

数据表

特定网络阳离子

± 15 V双电源供电

= +15 V ± 10%, V

=发-15V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻匹配

通道之间， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

（上），我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

过渡时间，t

过渡

关闭

突破前先延时，T

电荷注入，Q

INJ

关断隔离

通道到通道的串扰

-3 dB带宽

插入损耗

（关闭）

（开），C

（上）

2.0

0.8

0.002

±0.1

150

230

170

215

160

185

0.6

266

2.5

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

到V

160

200

1.4

0.01

0.1

0.01

0.1

0.02

0.2

250

280

ADG5236

单位

V最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

测试条件/评论

= -10 V，I

= -1毫安，参见图25

= +13.5 V, V

= 13.5 V

= -10 V，I

= -1毫安

= -10 V，I

= -1毫安

= +16.5 V, V

= 16.5 V

= ±10 V, V

10 V ，见图27

= ±10 V, V

10 V ，见图27

= V

= ± 10 V ，见图24

0.2

0.4

1.2

= V

GND

或V

280

265

205

315

300

225

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ，见图30

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ，见图32

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ，见图32

= 300 , C

= 35 pF的

= V

= 10 V ，见图31

= 0 V ，R

= 0 , C

= 1 nF的，

见图33

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz时，

见图28

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz时，

见图26

= 50 , C

= 5 pF的，见图29

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz时，

见图29

= 0 V ， F = 1兆赫

版本A |第20页3

ADG5236

参数

电源要求

数据表

25°C

0.001

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

单位

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V MIN / V最大

测试条件/评论

= +16.5 V, V

= 16.5 V

数字输入= 0 V或V

GND = 0 V

±9/±22

通过设计保证;不受生产测试。

± 20 V双电源供电

= +20 V ± 10%, V

= -20 V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻匹配

通道之间， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

（上），我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

过渡时间，t

过渡

关闭

突破前先延时，T

电荷注入，Q

INJ

关断隔离

通道到通道的串扰

-3 dB带宽

插入损耗

25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

到V

140

160

1.3

0.01

0.1

0.01

0.1

0.02

0.2

200

230

单位

V最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

dB典型值

测试条件/评论

= -15 V，I

= -1毫安，参见图25

= +18 V, V

= 18 V

= -15 V，I

= -1毫安

= -15 V，I

= -1毫安

= +22 V, V

= 22 V

= ±15 V, V

15 V ，见图27

= ±15 V, V

15 V ，见图27

= V

= ± 15 V ，见图24

0.2

0.4

1.2

2.0

0.8

0.002

±0.1

150

210

150

190

155

180

0.6

266

版本A |第20页4

= V

GND

或V

260

235

200

290

267

215

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ，见图30

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ，见图32

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ，见图32

= 300 , C

= 35 pF的

= V

= 10 V ，见图31

= 0 V ，R

= 0 , C

= 1 nF的，看

图33

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz时，

见图28

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz时，

见图26

= 50 , C

= 5 pF的，见图29

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz时，

见图29

数据表

参数

（关闭）

（开），C

（上）

电源要求

ADG5236

25°C

2.5

0.001

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

单位

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V MIN / V最大

测试条件/评论

= 0 V ， F = 1兆赫

= +22 V, V

= 22 V

数字输入= 0 V或V

GND = 0 V

110

±9/±22

通过设计保证;不受生产测试。

12 V单电源供电

= 12 V ± 10%, V

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表3中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

0 V至V

350

500

145

280

0.01

0.1

0.01

0.1

0.02

0.2

0.4

610

700

单位

V最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

测试条件/评论

导通电阻匹配

通道之间， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

= 0 V至10 V，I

= -1毫安，见

图25

= 10.8 V, V

= 0 V

= 0 V至10 V，I

= -1毫安

335

370

= 0 V至10 V，I

= -1毫安

= 13.2 V, V

= 0 V

= 1 V/10 V, V

= 10 V/1 V,

参见图27

= 1 V/10 V, V

= 10 V/1 V,

参见图27

= V

= 1 V / 10 V ，见图24

流掉泄漏，我

（关闭）

0.4

1.2

渠道渗漏，我

（上），我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

过渡时间，t

过渡

关闭

突破前先延时，T

电荷注入，Q

INJ

2.0

0.8

0.002

±0.1

220

390

275

380

160

195

145

0.6

= V

GND

或V

430

440

225

490

510

245

= 300 , C

= 35 pF的

= 8 V ，见图30

= 300 , C

= 35 pF的

= 8 V ，见图32

= 300 , C

= 35 pF的

= 8 V ，见图32

= 300 , C

= 35 pF的

= V

= 8 V ，见图31

= 6 V ，R

= 0 , C

= 1 nF的，看

图33

版本A |第20页5