初步
概述
该Am29LV001B是1兆位， 3.0伏仅限于Flash
存储设备组织为131,072字节。该
Am29LV001B有一个引导扇区结构。
该器件采用32引脚PLCC和32引脚TSOP
包。该字节宽的（x8 ）数据出现在DQ7-
DQ0 。所有的读取，擦除和编程操作
仅使用一个电源来实现。该
装置还可以在标准EPROM编程
程序员。
标准Am29LV001B提供的45存取时间，
55 ，70，和90纳秒，从而允许高速microproces-
理器，而无需等待状态运行。为了消除总线
争，该设备已单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，
写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单电源供电
(2.7
V- 3.6V ），用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该Am29LV001B ，完全是命令集兼容
瓦特是H T ^ h ê
JEDEC S IN克乐 - P嗷嗷é RS UPP LY F拉SH
标准。
命令被写入命令稳压
存器采用标准的微处理器写时序。稳压
存器的内容作为输入到内部语句
机，它控制了擦除和编程税务局局长
cuitry 。写周期内部也锁存地址和
所需的编程数据和擦除操作
系统蒸发散。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过阅读DQ7 （数据＃
轮询）和DQ6 （切换）
状态位。
一个程序后，
或擦除周期已经完成，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定为指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时通过部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
Am29LV001B
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初步
概述
该Am29LV001B是1兆位， 3.0伏仅限于Flash
存储设备组织为131,072字节。该
Am29LV001B有一个引导扇区结构。
该器件采用32引脚PLCC和32引脚TSOP
包。该字节宽的（x8 ）数据出现在DQ7-
DQ0 。所有的读取，擦除和编程操作
仅使用一个电源来实现。该
装置还可以在标准EPROM编程
程序员。
标准Am29LV001B提供的45存取时间，
55 ，70，和90纳秒，从而允许高速microproces-
理器，而无需等待状态运行。为了消除总线
争，该设备已单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，
写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单电源供电
(2.7
V- 3.6V ），用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该Am29LV001B ，完全是命令集兼容
瓦特是H T ^ h ê
JEDEC S IN克乐 - P嗷嗷é RS UPP LY F拉SH
标准。
命令被写入命令稳压
存器采用标准的微处理器写时序。稳压
存器的内容作为输入到内部语句
机，它控制了擦除和编程税务局局长
cuitry 。写周期内部也锁存地址和
所需的编程数据和擦除操作
系统蒸发散。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过阅读DQ7 （数据＃
轮询）和DQ6 （切换）
状态位。
一个程序后，
或擦除周期已经完成，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定为指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时通过部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
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