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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第535页 > AM29F080B-55SC
Am29F080B
8兆位( 1一M× 8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
5.0 V
±
10 % ,单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F080设备
s
高性能
- 存取时间快55纳秒
s
低功耗
- 40 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
s
灵活的部门架构
- 每64千字节16部门制服
- 任何部门的结合可以被删除。
- 支持整片擦除
- 集团部门保护:
锁定机构团体的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门组
临时机构集团撤消允许代码
改变先前锁定行业
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
s
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 40针TSOP
- 44引脚SO
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除周期结束
s
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由,或程序数据,一个非擦除扇区,
然后恢复擦除操作
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 复位内部状态机读方式
s
命令序列的大容量存储优化
- 不需要解锁周期的具体地址
1
出版#
21503
启:
G
Amendment/+1
发行日期:
2002年1月3日
概述
该Am29F080B是8兆, 5.0伏,只有闪存存储器
储器组织为1,048,576字节。的8位数据
出现在DQ0 - DQ7 。该Am29F080B提供的
40引脚TSOP和44引脚SO封装。该装置是
设计了要被编程在系统的标准
系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不重新
需要准备编程或擦除操作。该设备可以
同时在标准EPROM编程器进行编程。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和
该Am29F080 ,将其制造的好处
采用0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的55 ,70, 90的访问时间,
120和150纳秒,从而允许高速微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线conten-
化,该设备已单独的芯片使能( CE # ),写
使能(WE # ) ,并且输出使能(OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,自动预
方案的阵列(如果它尚未被编程) BE-
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29F080B
2002年1月3日
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
表1. Am29F080B设备总线操作.................................. 8
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
图6.最大负过冲波形...................... 21
图7.最大负过冲波形...................... 21
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
TTL / NMOS兼容.............................................. ............ 22
CMOS兼容................................................ .................. 22
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
图8.测试设置............................................. .......................... 23
表2.测试规范............................................. .............. 23
对于读阵列数据要求..................................... 8
写命令/命令序列.............................. 8
编程和擦除操作状态...................................... 8
待机模式................................................ .......................... 9
RESET # :硬件复位引脚............................................ ..... 9
输出禁止模式............................................... ................. 9
表1. Am29F080B扇区地址表................................... 10
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
只读操作.............................................. ............... 24
图9.读操作时序............................................ ..... 24
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 25
图10. RESET #时序............................................ .............. 25
自选模式................................................ ..................... 10
表2. Am29F080B自选代码(高压法) .... 10
擦除和编程操作.............................................. 26
图11.编程操作时序.......................................... 27
图12.芯片/扇区擦除操作时序.......................... 28
图13.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。 29
图14.触发位计时(在嵌入式算法) ...... 29
图15. DQ2与DQ6 ........................................... ...................... 30
行业组保护/ unprotection的.................................... 11
表3.行业组地址............................................ ....... 11
临时机构集团撤消....................................... 11
图1.临时机构集团撤消操作................ 11
硬件数据保护............................................... ....... 12
低V
CC
写禁止................................................ ...................... 12
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 12
逻辑禁止................................................ .................................. 12
上电写禁止............................................. ....................... 12
临时机构撤消............................................... ... 30
图16.临时机构集团撤消时序图... 30
擦除和编程操作.............................................. 31
备用CE #控制的写操作............................................. ....... 31
图17.备用CE #控制的写操作时序...... 32
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
读阵列数据............................................... ................. 12
复位命令................................................ ..................... 12
自选命令序列............................................ 12
字节编程命令序列....................................... 13
图2.程序运行............................................. ............. 13
芯片擦除命令序列........................................... 13
扇区擦除命令序列........................................ 14
擦除暂停/删除恢复命令........................... 14
图3.擦除操作............................................. .................. 15
命令定义................................................ ............. 16
表4. Am29F080B命令定义.................................. 16
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 17
图4.数据#轮询算法........................................... ........ 17
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 18
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 18
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 18
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ .. 18
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 19
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 19
图5.切换位算法............................................ ............. 19
表5.写操作状态............................................ .......... 20
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 33
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
SO 044-44引脚小外形封装................................ 34
TS 040-40针标准薄型小尺寸封装......... 35
TSR040-40引脚的反向薄型小尺寸封装......... 36
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
版本A( 1997年7月) ............................................ ................ 37
版本B( 1998年1月) ............................................ ......... 37
版本C( 1998年1月) ............................................ ......... 37
版本D ( 1998年5月) ............................................ ............... 37
版本E ( 1999年1月) ............................................ ......... 37
版本E + 1 ( 1999年3月23日) ........................................ ...... 37
版本E + 2 ( 1999年4月9日) ........................................ ........... 37
版本F( 1999年11月15日) .......................................... .. 37
修订版F + 1 ( 2000年5月18日) ........................................ ......... 37
G版( 2000年12月4日) .......................................... ... 37
修订版G + 1 ( 2002年1月3日) ........................................ ..... 38
2002年1月3日
Am29F080B
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问, NS (T
CE
)
最大OE #访问, NS (T
OE
)
注意:
请参阅“ AC特性”一节以获取更多信息。
V
CC
= 5.0 V
±
5%
V
CC
= 5.0 V
±
10%
55
55
30
-55
-70
70
70
30
-90
90
90
40
-120
120
120
50
-150
150
150
75
Am29F080B
框图
DQ0–DQ7
V
CC
V
SS
RY / BY #
RESET#
状态
控制
命令
注册
行业SWITCHES
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE#
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A19
4
Am29F080B
2002年1月3日
连接图
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
CE#
V
CC
NC
RESET#
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
NC
NC
WE#
OE #
RY / BY #
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
SS
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
40引脚TSOP标准
NC
NC
WE#
OE #
RY / BY #
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
SS
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40引脚TSOP反转
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
CE#
V
CC
NC
RESET#
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
NC
RESET#
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
NC
NC
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
V
SS
1
2
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5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
SO
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
CC
CE#
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
NC
NC
NC
NC
WE#
OE #
RY / BY #
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
2002年1月3日
Am29F080B
5
Am29F080B
数据表
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
21503
调整
G
修订
5
发行日期
2006年11月1日
这页有意留为空白。
数据表
Am29F080B
8兆位( 1一M× 8位)
CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体
特色鲜明
5.0 V
±
10 % ,单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F080设备
高性能
- 存取时间快55纳秒
低功耗
- 40 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型待机电流(标准访问
时间到活动模式)
灵活的部门架构
- 每64千字节16部门制服
- 任何部门的结合可以被删除。
- 支持整片擦除
- 集团部门保护:
锁定机构团体的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门组
临时机构集团撤消允许代码
改变先前锁定行业
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
每次最少百万编程/擦除周期
担保业
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 40针TSOP
- 44引脚SO
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除周期结束
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
- 挂起一个扇区擦除操作来读取数据
由,或程序数据,一个非擦除扇区,
然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 复位内部状态机读方式
命令序列的大容量存储优化
- 不需要解锁周期的具体地址
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21503
启:
G
修订:
5
发行日期:
2006年11月1日
数据表
概述
该Am29F080B是8兆, 5.0伏,只有闪存存储器
储器组织为1,048,576字节。的8位数据
出现在DQ0 - DQ7 。该Am29F080B提供的
40引脚TSOP和44引脚SO封装。该装置是
设计了要被编程在系统的标准
系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不重新
需要准备编程或擦除操作。该设备可以
同时在标准EPROM编程器进行编程。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29F080 ,这是用制造的efits
0.5微米工艺技术。
该标准的设备提供的55 ,70, 90的访问时间,
和120纳秒,允许高速微处理器才能工作
中心提供全方位无等待状态。为了消除总线争用,
该设备有独立的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# ) ,并且输出使能(OE # )控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机
模式。
功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29F080B
21503G5 2006年11月1日
数据表
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
表1. Am29F080B设备总线操作.................................. 8
图6.最大负过冲波形...................... 21
图7.最大负过冲波形...................... 21
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
TTL / NMOS兼容.............................................. ............ 22
CMOS兼容................................................ .................. 22
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
图8.测试设置............................................. .......................... 23
表2.测试规范............................................. .............. 23
对于读阵列数据要求..................................... 8
写命令/命令序列.............................. 8
编程和擦除操作状态...................................... 8
待机模式................................................ .......................... 9
RESET # :硬件复位引脚............................................ ..... 9
输出禁止模式............................................... ................. 9
表1. Am29F080B扇区地址表................................... 10
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
只读操作.............................................. ............... 24
图9.读操作时序............................................ ..... 24
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 25
图10. RESET #时序............................................ .............. 25
自选模式................................................ ..................... 10
表2. Am29F080B自选代码(高压法) .... 10
擦除和编程操作.............................................. 26
图11.编程操作时序.......................................... 27
图12.芯片/扇区擦除操作时序.......................... 28
图13.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。 29
图14.触发位计时(在嵌入式算法) ...... 29
图15. DQ2与DQ6 ........................................... ...................... 30
行业组保护/ unprotection的.................................... 11
表3.行业组地址............................................ ....... 11
临时机构集团撤消....................................... 11
图1.临时机构集团撤消操作................ 11
硬件数据保护............................................... ....... 12
低V
CC
写禁止................................................ ...................... 12
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 12
逻辑禁止................................................ .................................. 12
上电写禁止............................................. ....................... 12
临时机构撤消............................................... ... 30
图16.临时机构集团撤消时序图... 30
擦除和编程操作.............................................. 31
备用CE #控制的写操作............................................. ....... 31
图17.备用CE #控制的写操作时序...... 32
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
读阵列数据............................................... ................. 12
复位命令................................................ ..................... 12
自选命令序列............................................ 12
字节编程命令序列....................................... 13
图2.程序运行............................................. ............. 13
芯片擦除命令序列........................................... 13
扇区擦除命令序列........................................ 14
擦除暂停/删除恢复命令........................... 14
图3.擦除操作............................................. .................. 15
命令定义................................................ ............. 16
表4. Am29F080B命令定义.................................. 16
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 17
图4.数据#轮询算法........................................... ........ 17
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 18
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 18
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 18
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ .. 18
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 19
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 19
图5.切换位算法............................................ ............. 19
表5.写操作状态............................................ .......... 20
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 33
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
SO 044-44引脚小外形封装................................ 34
TS 040-40针标准薄型小尺寸封装......... 35
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
版本A( 1997年7月) ............................................ ................ 36
版本B( 1998年1月) ............................................ ......... 36
版本C( 1998年1月) ............................................ ......... 36
版本D ( 1998年5月) ............................................ ............... 36
版本E ( 1999年1月) ............................................ ......... 36
版本E + 1 ( 1999年3月23日) ........................................ ...... 36
版本E + 2 ( 1999年4月9日) ........................................ ........... 36
版本F( 1999年11月15日) .......................................... .. 36
修订版F + 1 ( 2000年5月18日) ........................................ ......... 36
G版( 2000年12月4日) .......................................... ... 36
修订版G + 1 ( 2002年1月3日) ........................................ ..... 37
修订版G + 2 ( 2004年6月14日) ........................................ ........ 37
修订G3 ( 2005年12月22日) ......................................... 37
修订G4 ( 2006年5月19日) .......................................... ......... 37
修订G5 ( 2006年11月1日) .......................................... 37
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
2006年11月1日21503G5
Am29F080B
3
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