a
特点
非常高直流精度
15 V最大失调电压
0.1 V / C的最大失调电压漂移
0.35 V P-P的最大电压噪声( 0.1 Hz至10 Hz }
8 V / V最小开环增益
130分贝最小共模抑制比
120分贝分钟PSRR
1 nA的最大输入偏置电流
AC性能
0.3 V / s的压摆率
0.9 MHz的闭环带宽
双版本: AD708
可在磁带和卷轴在按照
EIA- 481A标准
超低漂移运算放大器
AD707
连接图
TO- 99 (H )封装
零
8
7
+V
S
零
1
In
2
6
产量
+ IN
3
AD707
4
5
NC
–V
S
NC =无连接
注: PIN码4连
到案
塑料( N)和
CERDIP (Q )封装
空1
-IN 2
+ IN 3
8 NULL
7 +V
S
6输出
零
In
+ IN
–V
S
SOIC (R )封装
1
8
零
+V
S
产量
4
AD707
5
NC =无连接
NC
产品说明
–V
S
4
AD707
5 NC
该AD707是一款低成本,高精度运算放大器与国家OF-
最先进的性能,使得它非常适用于广泛的
精密应用。小于15的偏移电压的规格
V
在双极运算放大器的最佳和最大输入
偏置电流是1.0 NA 。上品是第一双极
单片运算放大器可提供的最大失调电压漂移
0.1
μV / ° C,
和偏置电流漂移和输入偏置电流漂移
在25 PA / ° C(最大值)同时指定。
该AD707的开环增益为8 V / μV最低,在整个
±
10 V输出范围内驱动一个1kΩ的负载时。最大输入
电压噪声为350纳伏P-P ( 0.1 Hz至10 Hz ) 。 CMRR和
PSRR是130分贝和120 dB(最小值) ,分别。
该AD707是在指定的商业版本,
工业和军用温度范围。它提供8引脚
小型塑封DIP ,小外形封装(SOIC ) ,气密性和CERDIP
密封TO- 99金属罐包装。芯片, MIL -STD- 883B ,
版本C和磁带&卷轴零件也可提供。
NC =无连接
应用要点
1. AD707的13 V / μV典型的开环增益和140分贝
典型的共模抑制比,使其非常适用于
精密仪器仪表应用。
2. AD707的精度使得更紧误差预算
可能以较低的成本。
3. AD707的低失调电压漂移和低噪声使
设计师放大非常小的信号,而无需牺牲
系统的整体性能。
4. AD707可以用在斩波放大器
必需的,但如果没有固有噪声和应用
问题。
5. AD707是一种改进的引脚对引脚替代
LT1001.
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
ADI公司, 1995年
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
传真: 617 / 326-8703
AD707–SPECIFICATIONS
( @ 25 ℃,
条件
输入失调电压
初始
与温度的关系
T
民
给T
最大
长期稳定性
调整范围
输入偏置电流
T
民
给T
最大
平均漂移
失调电流
平均漂移
输入电压噪声
0.1赫兹到10赫兹
F = 10赫兹
F = 100赫兹
F = 1千赫
0.1赫兹到10赫兹
F = 10赫兹
F = 100赫兹
F = 1千赫
V
CM
=
±
13 V
T
民
给T
最大
V
O
=
±
10 V
R
负载
≥
2 k
T
民
给T
最大
V
S
=
±
3 V至
±
18 V
T
民
给T
最大
V
CM
= 0 V
T
民
给T
最大
R2 = 20千欧(图19)
15V,除非另有说明)
AD707J/A
最小典型最大
30
0.3
50
0.3
±
4
1.0
2.0
15
0.5
2.0
2
90
1.0
100
AD707K/B
最小典型最大
10
0.1
15
0.3
±
4
0.5
1.5
15
0.3
1.0
1
25
0.3
45
单位
V
μV/°C
V
μV /月
mV
nA
nA
PA / ℃,
nA
nA
PA / ℃,
V
p-p
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
pA的P-P
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
dB
dB
V/V
V/V
dB
dB
兆赫
V / μs的
M
G
±
V
±
V
±
V
±
V
3
90
9.0
mA
mW
mW
2.5
4.0
40
2.0
4.0
40
2.0
4.0
40/40/40
1.5
2.0
25/25/35
0.23 0.6
10.3 28
10.0 13.0
9.6
11.0
14
0.32
0.14
0.12
120
120
3
3
110
110
0.4
0.12
24
140
140
13
13
130
130
0.9
0.3
100
200
14
13.0
12.5
13.0
60
2.5
75
7.5
3
90
9.0
35
0.9
0.27
0.18
130
120
5
3
115
110
0.4
0.12
45
0.23 0.6
10.3 18
10.0 12
9.6
11.0
14
0.32
0.14
0.12
140
140
13
13
130
130
0.9
0.3
200
300
14
13.0
12.5
13.0
60
2.5
75
7.5
30
0.8
0.23
0.17
输入电流噪声
共模
抑制比
开环增益
电源
抑制比
频率响应
闭环带宽
压摆率
输入阻抗
迪FF erential
共模
输出特性
电压
R
负载
≥
10 k
R
负载
≥
2 k
R
负载
≥
1 k
R
负载
≥
2 k
T
民
给T
最大
13.5
12.5
12.0
12.0
13.5
12.5
12.0
12.0
开环输出
阻力
电源
目前,静态
功耗,无负载
V
S
=
±
15 V
V
S
=
±
3 V
笔记
所有的最小和最大规格有保证。规格
粗体
所有生产经营单位在最后的电气测试进行测试。结果,从这些测试被用来
计算出厂质量水平。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
版本B
AD707
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
22 V
内部功耗
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
S
输出短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + V
S
和-V
S
存储温度范围(Q ,H ) 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
存储温度范围( N, R) 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
铅温度范围(焊接60秒) 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
笔记
1
条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。
2
8引脚塑料包装:
θ
JA
= 165 ° C /瓦; 8引脚CERDIP封装:
θ
JA
= 110 ° C /瓦;
8引脚小外形封装:
θ
JA
= 155 ° C /瓦; 8针接头包:
θ
JA
=
200°C/Watt.
绝对最大额定值
1
订购指南
模型
AD707AH
AD707AQ
AD707AR
AD707AR-REEL
AD707AR-REEL7
AD707BQ
AD707JN
AD707JR
AD707JR-REEL
AD707JR-REEL7
AD707KN
AD707KR
AD707KR-REEL
AD707KR-REEL7
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
包
描述
8引脚金属罐
8引脚陶瓷DIP
8引脚塑料SOIC
8引脚塑料SOIC
8引脚塑料SOIC
8引脚陶瓷DIP
8引脚塑料DIP
8引脚塑料SOIC
8引脚塑料SOIC
8引脚塑料SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚塑料SOIC
8引脚塑料SOIC
8引脚塑料SOIC
包
选项
H-08A
Q-8
SO-8
SO-8
SO-8
Q-8
N-8
SO-8
SO-8
SO-8
N-8
SO-8
SO-8
SO-8
金属化PHOTOGRAPH
尺寸以英寸(毫米)所示。
联系工厂最新的尺寸。
零
8
+V
S
7
6
V
OUT
0.059
(1.51)
4
–V
S
1
零
2
In
3
+ IN
0.110 (2.79)
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD707具有专用ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
版本B
–3–
AD707
16
14
开环增益 - V / μV
开环增益 - V / μV
12
10
8
6
4
2
0
–60 –40 –20
R
L
= 1k
V
OUT
=
±10V
16
14
开环增益 - V / μV
12
10
8
6
4
2
0 20 40 60 80 100 120 140
温度 -
°C
0
0
R
负载
= 1k
140
120
100
80
60
40
收益
20
10
0
5
10
15
20
电源电压 - V
25
0.01 0.1
1 10 100 1K 10K 100K的1M 10M
频率 - 赫兹
180
相
余量
=58°
R
L
= 2k
C
L
= 1000pF的
0
30
60
90
120
150
第一阶段 - 度
图10.开环增益与
温度
图11.开环增益与
电源电压
图12.开环增益和
相位与频率的关系
160
共模抑制比 - 分贝
140
120
100
80
60
40
20
0
0.1
输出电压 - V P-P
35
F
最大
= 3千赫
电源抑制 - 分贝
30
25
20
15
10
5
0
1k
R
L
= 2k
+25°C
V
S
=
±
15V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.001 0.01
0.1
1
10 100 1k
频率 - 赫兹
10k 100k
1
10
100
1k
10k
频率 - 赫兹
100k
1M
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
图13.共模
抑制与频率的关系
图14.大信号频率
响应
图15.电源抑制
与频率的关系
4
20mV/DIV
电源电流 - 毫安
20mV/DIV
3
+125°C
2
+25°C
1
–55°C
CH1
时间 - 为2μs / DIV
CH1
0
时间 - 为2μs / DIV
0
3
6
9
12
15
18
电源电压 -
±V
21
24
图16.电源电流与
电源电压
图17.小信号瞬态
响应;一
V
= +1, R
L
= 2 k
,
C
L
= 50 pF的
图18.小信号瞬态
响应;一
V
= +1, R
L
= 2 k
,
C
L
= 1000 pF的
版本B
–5–