最终科幻
Am29F016
16兆位（ 2,097,152 ×8位） CMOS 5.0伏只，
扇区擦除闪存
特色鲜明
s
5.0伏
±
用于读取和写入操作10 ％
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
兼容采用符合JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存
- 高级无意写保护
s
48针TSOP
s
44引脚SO
s
最少100,000次写/擦除周期
保证
s
高性能
- 最大70 ns访问时间
s
扇区擦除架构
统一的每64千字节扇区
- 任何部门的结合可以被删除。
还支持整片擦除
s
集团扇区保护
- 硬件方法禁用任意组合
行业团体的写入或擦除操作
（一个扇区组由4个相邻的扇区
每64千字节）
s
嵌入式擦除算法
- 自动预先计划和擦除芯片
或任何部门
s
嵌入式程序算法
- 自动在程序和VERI音响ES数据
指定的地址
s
数据轮询和切换位功能的
检测编程或擦除周期的
竣工
s
就绪/忙输出（ RY / BY ）
- 硬件的检测方法，程序或
擦除周期结束
s
擦除挂起/恢复
- 支持
读或编程
数据至A
行业不被擦除
s
低功耗
- 40 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
s
增强的电源管理，待机
模式
- <1
A
典型待机电流
- 从待机模式标准访问时间
s
硬件复位引脚
- 复位内部状态机读方式
概述
该Am29F016是16兆， 5.0伏，只有闪存
组织为2兆字节的每8位。在2兆字节
的数据被分割为64字节到32个扇区为柔性
擦除功能。的8位数据出现在DQ0 - DQ7的。
该Am29F016提供48引脚TSOP和44引脚SO
包。本设备被设计为被编程
在系统与标准系统5.0伏V
CC
供应量。
12.0伏V
PP
不需要程序或擦除
操作。该设备也可以在重新编程
标准EPROM编程器。
该标准Am29F016提供了70次访问
NS， NS 90 ， 120纳秒，和150纳秒，使高速
微处理器无需等待状态运行。对
消除总线争用，该设备具有独立的
芯片使能（CE ），写使能（WE ） ，并输出
启用（ OE ）控制。
该Am29F016完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
12.0伏Flash或EPROM器件。
该Am29F016通过执行亲编程
克的命令序列。这将调用嵌入
出版＃
18805
启：
D
Amendment/0
发行日期：
1997年4月
DED程序算法是一个内部算法
自动时间程序的脉冲宽度和
VERI科幻ES适当的细胞保证金。擦除由完成
执行擦除命令序列。这将在 -
voke嵌入式擦除算法这是一个跨
最终的算法，自动preprograms阵列
如果它尚未被执行之前编程
擦除操作。在擦除，设备会自动
次擦除脉冲宽度和VERI音响ES适当的细胞
利润率。
该器件还具有一个扇区擦除架构。
这允许对存储器扇区被擦除并重新
不影响的数据内容的目的
其他行业。一个扇区通常擦除和VERI网络版
在一秒钟内。该Am29F016被删除时，
从工厂运出。
该Am29F016器件还具有硬件部门
组保护。此功能将禁用这两个亲
克和擦除操作的八任意组合
行业组记忆。
一个扇区组由
四个相邻的扇区分为以下模式：
行业0-3 ， 4-7 ， 8-11 ， 12-15 ， 16-19 ， 20-23 ， 24-27 ，
和28-31 。
AMD已经实现了一个擦除挂起功能，
使用户将擦除搁置任何时期
时间来读取数据，或程序数据，一个扇区是
没有被擦除。因此，真正的背景擦除
可以实现的。
该器件具有一个5.0伏的电源能操作
ATION的读写功能。内部gen-
erated并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。低V
CC
非盟探测器
功率管在tomatically抑制写操作
位数。程序或擦除操作的结束是由所检测到的
RY / BY引脚， DQ7数据查询，或通过切换位I
（ DQ6 ）。一旦一个程序结束或擦除周期有
完成后，设备会自动重置为
readmode 。
该Am29F016也有一个硬件复位引脚。
当该引脚驱动任何嵌入低，执行
DED程序算法或嵌入式擦除算法
将被终止。内部状态机，然后将
被复位到读模式。 RESET引脚可
绑在系统复位电路。因此，如果一个系统
嵌入式程序算法的过程中发生复位
或嵌入式擦除算法，该设备将自动
matically复位到读模式。这将使
系统的微处理器能够读取开机连接固件
从FLASH存储器。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
highestl前夕lsofquality ， reliabilityandcost
有效性。该Am29F016内存电
同时擦除通过扇区内的所有位
福勒- Nordheim隧穿。该字节是亲
一次编程一个字节用的EPROM亲
编程热电子注入的机制。
灵活的扇区擦除架构
s
第三个64 KB的行业
s
八个扇区组其中每一个包括4个
相邻扇区中按以下的模式：扇区
0–3, 4
–
7, 8
–
11, 12
–
15, 16
–
19, 20
–
23, 24
–
27 ，并
28
–
31.
s
个别部门或多扇区擦除功能
s
行业组保护是用户自网络nable
SA31
SA30
SA29
SA28
64字节
64字节
64字节
64字节
1FFFFFh
1EFFFFh
1DFFFFh
1CFFFFh
1BFFFFh
1AFFFFh
19FFFFh
18FFFFh
17FFFFh
16FFFFh
15FFFFh
14FFFFh
13FFFFh
12FFFFh
11FFFFh
10FFFFh
1FFFFFh
1EFFFFh
1DFFFFh
1CFFFFh
1BFFFFh
1AFFFFh
09FFFFh
08FFFFh
07FFFFh
06FFFFh
05FFFFh
04FFFFh
03FFFFh
02FFFFh
01FFFFh
00FFFFh
000000h
扇形
组
7
32部门共
SA3
SA2
SA1
SA0
64字节
64字节
64字节
64字节
扇形
组
0
18805D-1
2
Am29F016
最终科幻
Am29F016
16兆位（ 2,097,152 ×8位） CMOS 5.0伏只，
扇区擦除闪存
特色鲜明
s
5.0伏
±
用于读取和写入操作10 ％
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
兼容采用符合JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存
- 高级无意写保护
s
48针TSOP
s
44引脚SO
s
最少100,000次写/擦除周期
保证
s
高性能
- 最大70 ns访问时间
s
扇区擦除架构
统一的每64千字节扇区
- 任何部门的结合可以被删除。
还支持整片擦除
s
集团扇区保护
- 硬件方法禁用任意组合
行业团体的写入或擦除操作
（一个扇区组由4个相邻的扇区
每64千字节）
s
嵌入式擦除算法
- 自动预先计划和擦除芯片
或任何部门
s
嵌入式程序算法
- 自动在程序和VERI音响ES数据
指定的地址
s
数据轮询和切换位功能的
检测编程或擦除周期的
竣工
s
就绪/忙输出（ RY / BY ）
- 硬件的检测方法，程序或
擦除周期结束
s
擦除挂起/恢复
- 支持
读或编程
数据至A
行业不被擦除
s
低功耗
- 40 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
s
增强的电源管理，待机
模式
- <1
A
典型待机电流
- 从待机模式标准访问时间
s
硬件复位引脚
- 复位内部状态机读方式
概述
该Am29F016是16兆， 5.0伏，只有闪存
组织为2兆字节的每8位。在2兆字节
的数据被分割为64字节到32个扇区为柔性
擦除功能。的8位数据出现在DQ0 - DQ7的。
该Am29F016提供48引脚TSOP和44引脚SO
包。本设备被设计为被编程
在系统与标准系统5.0伏V
CC
供应量。
12.0伏V
PP
不需要程序或擦除
操作。该设备也可以在重新编程
标准EPROM编程器。
该标准Am29F016提供了70次访问
NS， NS 90 ， 120纳秒，和150纳秒，使高速
微处理器无需等待状态运行。对
消除总线争用，该设备具有独立的
芯片使能（CE ），写使能（WE ） ，并输出
启用（ OE ）控制。
该Am29F016完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
12.0伏Flash或EPROM器件。
该Am29F016通过执行亲编程
克的命令序列。这将调用嵌入
出版＃
18805
启：
D
Amendment/0
发行日期：
1997年4月
DED程序算法是一个内部算法
自动时间程序的脉冲宽度和
VERI科幻ES适当的细胞保证金。擦除由完成
执行擦除命令序列。这将在 -
voke嵌入式擦除算法这是一个跨
最终的算法，自动preprograms阵列
如果它尚未被执行之前编程
擦除操作。在擦除，设备会自动
次擦除脉冲宽度和VERI音响ES适当的细胞
利润率。
该器件还具有一个扇区擦除架构。
这允许对存储器扇区被擦除并重新
不影响的数据内容的目的
其他行业。一个扇区通常擦除和VERI网络版
在一秒钟内。该Am29F016被删除时，
从工厂运出。
该Am29F016器件还具有硬件部门
组保护。此功能将禁用这两个亲
克和擦除操作的八任意组合
行业组记忆。
一个扇区组由
四个相邻的扇区分为以下模式：
行业0-3 ， 4-7 ， 8-11 ， 12-15 ， 16-19 ， 20-23 ， 24-27 ，
和28-31 。
AMD已经实现了一个擦除挂起功能，
使用户将擦除搁置任何时期
时间来读取数据，或程序数据，一个扇区是
没有被擦除。因此，真正的背景擦除
可以实现的。
该器件具有一个5.0伏的电源能操作
ATION的读写功能。内部gen-
erated并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。低V
CC
非盟探测器
功率管在tomatically抑制写操作
位数。程序或擦除操作的结束是由所检测到的
RY / BY引脚， DQ7数据查询，或通过切换位I
（ DQ6 ）。一旦一个程序结束或擦除周期有
完成后，设备会自动重置为
readmode 。
该Am29F016也有一个硬件复位引脚。
当该引脚驱动任何嵌入低，执行
DED程序算法或嵌入式擦除算法
将被终止。内部状态机，然后将
被复位到读模式。 RESET引脚可
绑在系统复位电路。因此，如果一个系统
嵌入式程序算法的过程中发生复位
或嵌入式擦除算法，该设备将自动
matically复位到读模式。这将使
系统的微处理器能够读取开机连接固件
从FLASH存储器。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
highestl前夕lsofquality ， reliabilityandcost
有效性。该Am29F016内存电
同时擦除通过扇区内的所有位
福勒- Nordheim隧穿。该字节是亲
一次编程一个字节用的EPROM亲
编程热电子注入的机制。
灵活的扇区擦除架构
s
第三个64 KB的行业
s
八个扇区组其中每一个包括4个
相邻扇区中按以下的模式：扇区
0–3, 4
–
7, 8
–
11, 12
–
15, 16
–
19, 20
–
23, 24
–
27 ，并
28
–
31.
s
个别部门或多扇区擦除功能
s
行业组保护是用户自网络nable
SA31
SA30
SA29
SA28
64字节
64字节
64字节
64字节
1FFFFFh
1EFFFFh
1DFFFFh
1CFFFFh
1BFFFFh
1AFFFFh
19FFFFh
18FFFFh
17FFFFh
16FFFFh
15FFFFh
14FFFFh
13FFFFh
12FFFFh
11FFFFh
10FFFFh
1FFFFFh
1EFFFFh
1DFFFFh
1CFFFFh
1BFFFFh
1AFFFFh
09FFFFh
08FFFFh
07FFFFh
06FFFFh
05FFFFh
04FFFFh
03FFFFh
02FFFFh
01FFFFh
00FFFFh
000000h
扇形
组
7
32部门共
SA3
SA2
SA1
SA0
64字节
64字节
64字节
64字节
扇形
组
0
18805D-1
2
Am29F016
QQ：2880707522 复制
