【数据表特点超低噪声： 9 μV rms的，独立的VOUT无需额外的噪声旁路电容稳定与1 μF陶瓷输入】,IC型号ADP150UJZ-REDYKIT,ADP150UJZ-REDYKIT PDF资料,ADP150UJZ-REDYKIT经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

特点

超低噪声： 9 μV rms的，独立的V

OUT

无需额外的噪声旁路电容

稳定与1 μF陶瓷输入和输出电容器

最大输出电流为150mA

输入电压范围： 2.2 V至5.5 V

低静态电流

GND

= 10 μA零负担

低关断电流： <1 μA

低压差： 105 mV的在150 mA负载

初始输出电压精度： ± 1 ％

多达14种固定输出电压选项： 1.8 V至3.3 V

70分贝，在10 kHz的PSRR性能

电流限制和热过载保护

逻辑控制使能

5引脚TSOT封装

4球， 0.8毫米×0.8毫米，间距为0.4mm WLCSP

超低噪声，

150毫安CMOS线性稳压器

ADP150

典型应用电路

= 2.3V

关闭

NC =无连接

VIN

GND

VOUT

OUT

= 1.8V

OUT

08343-001

图1. 5引脚TSOT与固定输出电压， 1.8 V

= 2.3V

关闭

VIN

OUT

= 1.8V

VOUT

顶视图

（不按比例）

GND

OUT

08343-002

图2. 4球WLCSP具有固定输出电压， 1.8 V

应用

手机

数码相机和音频设备

便携式和电池供电设备

交直流 - 直流调节

便携式医疗设备

RF ， PLL，VCO和时钟电源

概述

该ADP150是一款超低噪声（ 9 μV ），低压差线性

稳压器，采用2.2 V至5.5 V ，并提供高达

可输出150 mA电流。低105 mV的压降电压

150毫安负载提高了效率，使操作过

宽输入电压范围。

采用创新的电路拓扑结构，实现ADP150超低

无需额外噪声的必要性噪声性能

旁路电容，从而非常适用于对噪声敏感的模拟和

RF应用。该ADP150还实现了超低噪声

不影响PSRR或线路和负载性能

瞬态性能。该ADP150提供了最好的组合

超低噪声和静态电流消耗，最大限度地

电池使用寿命的便携式应用。

该ADP150是专门为稳定运行与设计

微小的1 μF ± 30 ％陶瓷输入和输出电容器，以满足

的高性能的要求，空间受限

应用程序。

该ADP150在14种固定输出电压选项，

范围从1.8 V至3.3 V.

短路和热过载保护电路可以防止

损坏在不利条件。该ADP150是微小的可

5引脚TSOT和4球，0.4 mm间距WLCSP封装的

最小尺寸解决方案，以满足各种便携式电源

应用程序。

版本B

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商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

ADP150

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

典型应用电路............................................... ............. 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

推荐规格：输入和输出电容。4

绝对最大额定值............................................... ............. 5

热数据................................................ ................................ 5

热阻................................................ ...................... 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和功能描述........................... 6

数据表

典型性能特征.............................................. 7

工作原理............................................... ....................... 11

应用信息................................................ .............. 12

电容选择................................................ .................... 12

欠压锁定................................................ ............... 13

启用功能................................................ ............................ 13

电流限制和热过载保护................. 13

散热注意事项................................................ ............ 14

PCB布局考虑............................................... ....... 17

外形尺寸................................................ ....................... 18

订购指南................................................ .......................... 19

修订历史

8月13日 - 修订版。 A到版本B

更改订购指南.............................................. ............ 19

4月10日 - 修订版。 0到版本A

图21 ..............................................变化.......................... 9

10月9日 - 修订版0 ：初始版

版本B |第20页2

数据表

特定网络阳离子

ADP150

= (V

OUT

+ 0.4 V）或2.2 V ，以较大者为准; EN = V

, I

OUT

= 10毫安，C

= C

OUT

= 1 μF ，T

= 25 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

输入电压范围

工作电源电流

符号

GND

条件

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 0 A

OUT

= 0 μA ，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 100 A

OUT

= 100 μA ，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 10毫安

OUT

= 10毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 150毫安

OUT

= 150毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

EN = GND

EN = GND ，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 10毫安

100 μA <我

OUT

< 150毫安，V

= (V

OUT

+ 0.4 V）至5.5 V ，

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 10毫安

100 μA <我

OUT

< 150毫安，V

= (V

OUT

+ 0.4 V）至5.5 V ，

= -40 ° C至+ 125°C

= (V

OUT

+ 0.4 V）至5.5 V ，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 100 μA至150毫安

OUT

= 100 μA至150毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 100 μA至150毫安

OUT

= 100 μA至150毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 10毫安

OUT

= 10毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 150毫安

OUT

= 150毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 3.3 V

190

= -40 ° C至+ 125°C

升起

民

2.2

典型值

100

220

320

0.2

1.0

2.5

2.0

+1.5

最大

5.5

单位

关断电流

输出电压精度

5引脚TSOT

GND -SD

OUT

4引脚WLCSP

OUT

规

线路调整

负载调整率

5引脚TSOT

4引脚WLCSP

输入输出电压差

OUT

降

0.05

0.003

+0.05

%/V

％ / mA的

°C

μV RMS

0.0075

0.002

0.006

105

160

150

260

400

1.96

1.28

115

150

1.2

0.4

0.001

启动时间

电流限制阈值

欠压锁定

输入电压崛起

输入电压下降

迟滞

热关断

热关断阈值

热关断迟滞

EN输入

EN输入逻辑高电平

EN输入逻辑低

EN输入漏电流

输出噪声

启动

极限

UVLO

上升

UVLO

秋天

UVLO

HYS

SD- HYS

我泄漏

OUT

噪音

2.2 V ≤ V

≤ 5.5 V

2.2 V ≤ V

≤ 5.5 V

EN = IN或GND

EN = IN或GND ，T

= -40 ° C至+ 125°C

10赫兹至100千赫兹，V

= 5 V, V

OUT

= 3.3 V

10赫兹至100千赫兹，V

= 5 V, V

OUT

= 2.5 V

10赫兹至100千赫兹，V

= 5 V, V

OUT

= 1.8 V

版本B |第20页3

ADP150

参数

电源抑制比

= V

OUT

+ 0.5 V)

符号

PSRR

条件

10千赫，V

= 3.8 V, V

OUT

= 3.3 V，I

OUT

= 10毫安

10千赫，V

= 2.3 V, V

OUT

= 1.8 V，I

OUT

= 10毫安

100千赫兹，V

= 3.8 V, V

OUT

= 3.3 V，I

OUT

= 10毫安

100千赫兹，V

= 2.3 V, V

OUT

= 1.8 V，I

OUT

= 10毫安

10千赫，V

= 4.3 V, V

OUT

= 3.3 V，I

OUT

= 10毫安

100千赫兹，V

= 4.3 V, V

OUT

= 3.3 V，I

OUT

= 10毫安

数据表

民

典型值

最大

单位

电源抑制比

= V

OUT

+ 1 V)

基于使用1毫安和150毫安负载的一端点计算。参见图6为典型负载调节性能的负载小于1mA 。

电压差被定义为当输入电压被设置为标称输出电压的输入 - 输出电压差。这仅适用于输出

电压高于2.2 V.

启动时间被定义为EN的上升沿到V之间的时间

OUT

处于90 ％的标称值。

限流阈值被定义为在所述输出电压下降到90％的指定的典型值的电流。例如，电流限制为3.0 V

输出电压被定义为当前使输出电压下降为3.0V或2.7V。以90％的

推荐规格：输入和输出电容

表2中。

参数

输入和输出电容

最小输入和输出电容

电容的ESR

符号

民

ESR

条件

= -40 ° C至+ 125°C

民

0.7

0.001

典型值

最大

单位

0.2

最小输入和输出电容应大于0.7 μF的整个范围内的运行条件。全范围的操作条件

应用程序必须在设备的选择来考虑，以确保最小电容要求。 X7R型和X5R型电容

推荐和Y5V和Z5U电容不推荐在任何LDO使用。

版本B |第20页4

数据表

绝对最大额定值

表3中。

参数

VIN至GND

VOUT到GND

EN到GND

存储温度范围

工作结温范围

工作环境温度范围

焊接条件

等级

0.3 V至6.5 V

-0.3 V至VIN

0.3 V至6.5 V

-65 ° C至+ 150°C

-40 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

JEDEC J- STD- 020

ADP150

结点到环境的热阻（ θ

）的包

是一种基于建模，并使用4层板的计算。

结点至环境热阻高度依赖

上的应用程序和电路板布局。在应用中，高

最大功率耗散存在，密切关注热

电路板设计是必需的。 θ的值

可以有所不同，这取决于

PCB材料，布局和环境条件。指定

θ的值

是基于一个4层， 4英寸×3英寸的电路板。

请参阅JESD 51-7和51-9 JESD详细信息

在董事会建设。有关更多信息，请参阅

在AN- 617应用笔记，

MicroCSP 晶圆级芯片

级封装。

是结到电路板的热特性参数

与℃/单位W的Ψ

包是基于建模和

使用4层板的计算。该JESD51-12 ，

方针

报告和使用封装的热信息，

指出，

热特性的参数是不一样的热

电阻。 Ψ

测量元件功率通量

多个导热路径，而不是一个单一的路径中的热

电阻， θ

。因此， Ψ

热通路中包括对流

从封装的顶部以及从封装辐射，

使Ψ因素

更多有用的在现实世界的应用程序。

最高结温（T

）从所计算的

电路板温度（T

）和功耗（P

）通过

+ (P

× Ψ

)

请参考JESD51-8和JESD51-12更多详细信息

关于Ψ

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

热数据

绝对最大额定值仅适合单独应用，而不是在

组合。该ADP150可能会被损坏，当结

温度超过极限。监测环境温度

不能保证那件T

是在规定的温度范围内

极限。在具有高功率耗散和贫困应用

耐热性，最高环境温度可以

必须降低。

在功耗适中，低应用

印刷电路板（PCB）的耐热性，最大

环境温度可能超过最大限制，只要

随着结温范围内的技术指标。该

结温（T

）该装置的依赖于

环境温度（T

），该装置的功耗（P

和封装的结到环境的热阻

(θ

最高结温（T

）从所计算的

环境温度（T

）和功耗（P

）通过

+ (P

)

热阻

和

对于最坏情况的条件下被指定，也就是一个

器件焊接在电路板上进行表面贴装封装。

表4.热阻

套餐类型

5引脚TSOT

4球，0.4 mm间距WLCSP

170

260

单位

° C / W

ESD警告

版本B |第20页5