Am29F010A
1兆位（ 128千×8位）
CMOS 5.0伏只，统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
单电源工作
- 5.0 V± 10 ％，持续读取，擦除和编程操作
- 简化系统级电源要求
s
在0.55微米制程技术制造的
- 兼容0.85微米Am29F010设备
s
高性能
- 最大45 ns访问时间
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- ＆ LT ; 1 μA典型待机电流
s
灵活的部门架构
- 八个部门统一
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
s
扇区保护
- 基于硬件的功能，禁用/重
使程序在任何擦除操作
行业组合
- 部门保护/解除保护可
使用标准的PROM实现
编程设备
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除芯片或任何
指定的部门组合
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
s
擦除挂起/恢复
- 从一个部门不支持读取数据
被擦除
s
最低100,000编程/擦除周期
保证
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
22181
启：
B
Amendment/+1
发行日期：
1999年3月23日
概述
该Am29F010A是1兆位， 5.0伏，仅限于Flash
内存组织为131,072字节。该Am29F010A
32引脚PLCC和TSOP封装提供。该
字节宽度的数据出现在DQ0 - DQ7 。该装置是
设计了要被编程在系统的标准
系统5.0伏的VCC电源。是不是需要12.0伏VPP
用于编程或擦除操作。该装置也可以是
编程或擦除在标准EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.55微米制造亲
塞斯技术，并提供所有的功能和优点
该Am29F010 ，将其用0.85 。制造的
微米制程技术。此外， Am29F010A
提供擦除暂停/擦除恢复功能。
该标准的设备提供的45 ， 55 ， 70的访问时间，
90和120纳秒，从而允许高速微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将调用
嵌入式亲
克
算法的一个内部算法，该算法
自动时间程序的脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将调用
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过阅读DQ7 （数据＃
轮询）和DQ6 （切换）
状态位。
一个程序后，
或擦除周期已经完成，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
出厂的时候。
该
硬件数据保护
措施包括：
低V
CC
探测器会自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门保护
化
功能禁用这两个编程和擦除操作
中的存储器中的扇区的任意组合，并且是im-
执行完成使用标准EPROM编程器。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
喜GH EST升前夕lsof的曲人我TY河EL保险业监督双向lity ，一个次成本
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用热的EPROM编程机制的时间
电子注入。
2
Am29F010A
Am29F010A
1兆位（ 128千×8位）
CMOS 5.0伏只，统一部门快闪记忆体
特色鲜明
s
单电源工作
- 5.0 V± 10 ％，持续读取，擦除和编程操作
- 简化系统级电源要求
s
在0.55微米制程技术制造的
- 兼容0.85微米Am29F010设备
s
高性能
- 最大45 ns访问时间
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- ＆ LT ; 1 μA典型待机电流
s
灵活的部门架构
- 八个部门统一
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
s
扇区保护
- 基于硬件的功能，禁用/重
使程序在任何擦除操作
行业组合
- 部门保护/解除保护可
使用标准的PROM实现
编程设备
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除芯片或任何
指定的部门组合
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
s
擦除挂起/恢复
- 从一个部门不支持读取数据
被擦除
s
最低100,000编程/擦除周期
保证
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
22181
启：
B
Amendment/+1
发行日期：
1999年3月23日
概述
该Am29F010A是1兆位， 5.0伏，仅限于Flash
内存组织为131,072字节。该Am29F010A
32引脚PLCC和TSOP封装提供。该
字节宽度的数据出现在DQ0 - DQ7 。该装置是
设计了要被编程在系统的标准
系统5.0伏的VCC电源。是不是需要12.0伏VPP
用于编程或擦除操作。该装置也可以是
编程或擦除在标准EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.55微米制造亲
塞斯技术，并提供所有的功能和优点
该Am29F010 ，将其用0.85 。制造的
微米制程技术。此外， Am29F010A
提供擦除暂停/擦除恢复功能。
该标准的设备提供的45 ， 55 ， 70的访问时间，
90和120纳秒，从而允许高速微处理器
无需等待状态运行。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将调用
嵌入式亲
克
算法的一个内部算法，该算法
自动时间程序的脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将调用
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过阅读DQ7 （数据＃
轮询）和DQ6 （切换）
状态位。
一个程序后，
或擦除周期已经完成，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
出厂的时候。
该
硬件数据保护
措施包括：
低V
CC
探测器会自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门保护
化
功能禁用这两个编程和擦除操作
中的存储器中的扇区的任意组合，并且是im-
执行完成使用标准EPROM编程器。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
喜GH EST升前夕lsof的曲人我TY河EL保险业监督双向lity ，一个次成本
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用热的EPROM编程机制的时间
电子注入。
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Am29F010A
QQ：2881677436 复制
