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Am29DL640G
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计,
S29JL064H (对于TSOP封装)和S29PL064J (为FBGA封装)取代AM29DL640G为
厂家推荐的迁移路径。请参阅用于规范每个相应的参数表
tions和订购信息。可用性此文件被保留,以供参考和历史
仅供参考。
2005年4月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与该公司的名称
最初开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。 appro-时会产生未来的例行修订
priate ,并更改将记录在修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
25693
调整
B
修订
5
发行日期
2005年6月6日
这页有意留为空白。
Am29DL640G
64兆位(8M ×8位/ 4米×16位)
CMOS 3.0伏只,同步读/写闪存
此产品已退休,不建议设计。对于新的和现有的设计, S29JL064H (对于TSOP封装)和S29PL064J (为FBGA封装)取代
AM29DL640G作为工厂推荐的迁移路径。请参见各相应数据表的规格和订购信息。可用性此文件被保留
仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的另一家银行。
读取和写入操作之间的零延迟
灵活的银行
TM
架构
- 读取可能发生在任何三个银行不是
写或擦除。
- 四家银行可以通过客户进行分组,以实现
所需的银行部门。
引导扇区
- 在同一装置顶部和底部引导扇区
- 任何部门的结合可以被删除
在0.17微米制程技术制造的
SecSi (安全硅)行业:额外256字节
扇形
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
只有一次性可编程。
一旦被锁定,数据不能被改变
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
零。
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
按最低保证百万次擦写
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程,
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,以允许从读
在同一家银行其他部门
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能保护扇区0 , 1 ,
140和141 ,无论部门保护状态
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
出版#
25693
启:
B
修订
5
发行日期:
2005年6月6日
封装选项
63球精细间距BGA
64 - ball加固BGA
48针TSOP
性能特点
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 4微秒/字典型的利用加速
功能
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29DL640G是64兆, 3.0伏,只闪光
存储设备,组织成16 4,194,304字
每一比特或8,388,608字节,每个字节8比特。字
模式数据显示在DQ15 - DQ0 ;字节模式数据
出现在DQ7 - DQ0 。该装置被设计成
在系统编程与标准3.0伏V
CC
供应,并且也可以在标准编程
EPROM编程器。
该设备是可用的以70 , 90时的访问时间,
或120纳秒,并提供48引脚TSOP , 63球
细间距BGA和64 - ball加固BGA封装。
标准控制引脚芯片使能( CE # ),写恩
能( WE# ) ,并且输出使能(OE #), - 控制正常
读取和写入操作,并且避免总线竞争
问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
部门奖金的空间,读,写像任何
其他闪存部门,也可以永久地锁定自己
有代码。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化,因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
isanad VA ntagecomparedtosys TE mswhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计和软件
洁具一体化的努力。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
为读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分割成
四家银行,
两个8 Mb的银行和小
大部门,大部门的两个24 Mb的银行。
扇区地址是固定的,系统软件可
用于形成用户定义的组群。
在擦除/编程操作,任何三个
非繁忙的银行,可以读出。需要注意的是只有两
银行可以同时操作。该设备可以IM-
通过允许主机证明系统的整体性能
系统编程或擦除在一家银行,然后
立即并同时从另一个读
银行,零延迟。这种释放系统从
等待完成编程或擦除
操作。
该Am29DL640G可以被组织为两个一顶
和底部引导扇区配置。
银行
银行1
2银行
3银行
4银行
8兆
24 MB
24 MB
8兆
扇区大小
8个8字节/ 4千字,
15 64字节/ 32 K字
四十八个64千字节/ 32 K字
四十八个64千字节/ 32 K字
8个8字节/ 4千字,
15 64字节/ 32 K字
Am29DL640G特点
SecSi (安全硅)行业
是一个额外的
256字节扇区的能够被永久锁定
由AMD和客户。该
SecSi标志位
(DQ7)
永久设置为1;如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
2
Am29DL640G
2005年6月6日
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊处理的说明BGA封装..................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1. Am29DL640G设备总线操作.............................. 10
擦除暂停/删除恢复命令........................... 28
表12. Am29DL640G命令定义............................. 29
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 30
图6.数据#投票算法........................................... ....... 30
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 31
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 31
图7.切换位算法............................................ ............ 31
字/字节配置.............................................. .......... 10
对于读阵列数据要求................................... 10
写命令/命令序列............................ 11
加快程序运行............................................. 11
自选功能................................................ .............. 11
同时读/写操作零延迟....... 11
待机模式................................................ ........................ 11
自动休眠模式............................................... ............ 12
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 12
表2. Am29DL640G部门架构.................................... 12
表3.银行地址............................................. ....................... 15
表4. SecSi
TM
扇区地址................................................ 15
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 32
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 32
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 32
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 32
表13.写操作状态............................................ ....... 33
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图8.最大负过冲波形...................... 34
图9.最大正过冲波形........................ 34
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图10.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 36
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 36
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图12.测试设置............................................. ....................... 37
图13.输入波形和测量水平................. 37
自选模式................................................ ..................... 15
表5. Am29DL640G自动选择码, (高压法) 16
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
只读操作.............................................. ............. 38
图14.读操作时序............................................ ... 38
部门/部门块保护和unprotection的.................. 17
表6. Am29DL640G引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... .................... 17
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 39
图15.复位时序............................................. .................. 39
写保护( WP # ) ............................................ .................... 17
表7. WP # / ACC模式.......................................... .................... 18
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... 40
图16. BYTE #时序进行读操作............................ 40
图17. BYTE #时序写操作............................ 40
临时机构撤消............................................... ... 18
图1.临时机构撤消操作........................... 18
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 19
擦除和编程操作.............................................. 41
图18.程序操作时序..........................................
图19.加速程序时序图..........................
图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图21.返回到后端的读/写周期时序......................
图22.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图23.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图24. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
42
42
43
44
44
45
45
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ............. 20
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 21
硬件数据保护............................................... ....... 21
低VCC写禁止.............................................. .............. 21
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 21
逻辑禁止................................................ .......................... 21
上电写禁止............................................. ............... 21
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 21
表8. CFI查询标识字符串.......................................... 22
表9.系统接口字符串............................................ .......... 22
表10.设备几何定义............................................ 23
表11.主要供应商特定的扩展查询...................... 24
临时机构撤消............................................... ... 46
图25.临时机构撤消时序图.............. 46
图26.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 47
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 48
图27.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 49
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
读阵列数据............................................... ................. 25
复位命令................................................ ..................... 25
自选命令序列............................................ 25
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 25
字节/字编程命令序列............................. 26
解锁绕道命令序列..................................... 26
图4.程序运行............................................. ............. 27
芯片擦除命令序列........................................... 27
扇区擦除命令序列........................................ 27
图5.擦除操作............................................. .................. 28
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 50
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
TSOP & BGA引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
FBE063-63球细间距球栅阵列( FBGA )
12 ×11毫米封装............................................. ................. 52
LAA064-64 - ball加固球栅阵列( FBGA )
13 ×11毫米包装............................................. ................. 53
TS 048-48针标准TSOP .......................................... .. 54
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
2005年6月6日
Am29DL640G
3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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