P L I M I N A R
概述
该Am29DL400B是4兆， 3.0伏，只闪光
存储装置中，组织为262,144的字或
524,288字节。该器件采用44引脚SO和
48引脚TSOP封装。该字宽（ X16 ）的数据AP-
梨在DQ0 - DQ15 ;出现的字节宽的（x8）数据
在DQ0 - DQ7 。这个设备只需要一个3.0
伏V
CC
供应进行读取，编程和擦除
操作。一个标准的EPROM编程器还可以
用来编程和擦除设备。
该标准的设备提供的70次，80次90次访问，
和120纳秒，允许高速微处理器
操作无需等待。标准控制插脚式
芯片使能（CE ＃ ），写使能（WE ＃ ） ，并输出烯
能（OE ＃）， - 控制读写操作，并
防止总线争用问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后，该装置自动返回到
读阵列数据。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或程序的数据，该组，该内的任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。没有必要暂停
擦除操作，如果读出的数据是在另一组。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
该装置复位到读阵列数据，从而使系
TEM微处理器读取来自引导固件
闪速存储器。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定为指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年闪存存储器的
储器制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该
装置电擦除一个扇区内的所有位simulta-
通过neously福勒- Nordheim隧穿。该字节
编程的一个字节或字的时间使用热elec-
tron的注入。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
SI-
multaneous操作
通过将所述存储器空间
到两家银行。银行1包含启动/参数节
器，和银行2由大，码单向部门
窗体大小。该装置可提高整个系统的
通过允许主机系统进行编程性能或
擦除一家银行，然后立即和同步对
从其他银行ously阅读，与
零延迟。
这
从等待完成发行制度
编程或擦除操作。
Am29DL400B特点
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
寄存器的内容作为输入到一个内部状态
机，它控制了擦除和编程
电路。写周期内部也锁存地址
而所需的编程和擦除数据
操作。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
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Am29DL400B
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