【150毫安，低静态电流，CMOS线性稳压器ADP121特点输入电压范围： 2.3 V至5.5 V输出】,IC型号ADP121CB-3.0-EVALZ,ADP121CB-3.0-EVALZ PDF资料,ADP121CB-3.0-EVALZ经销商,ic,电子元器件-51电子网

150毫安，低静态电流，

CMOS线性稳压器

ADP121

特点

输入电压范围： 2.3 V至5.5 V

输出电压范围： 1.2 V至3.3 V

输出电流为150mA

低静态电流

GND

= 11 μA 0 μA负载

GND

= 30 μA 150 mA负载

低关断电流： <1 μA

低压差

90毫伏在150 mA负载

高PSRR

70分贝@ 1 kHz的在V

OUT

= 1.2 V

70分贝@ 10 kHz的在V

OUT

= 1.2 V

低噪音： 40 μV RMS在V

OUT

= 1.2 V

无噪声旁路电容要求

输出电压精度： ± 1 ％

稳定的小1 μF陶瓷输出电容

16个固定输出电压选项

电流限制和热过载保护

逻辑控制使能

5引脚TSOT封装

4球间距为0.4mm WLCSP

典型应用电路

= 2.3V

VIN

GND

VOUT

OUT

= 1.8V

NC =无连接

图1. ADP121 TSOT与固定输出电压， 1.8 V

= 2.3V

VIN

VOUT

OUT

= 1.8V

06901-001

GND

图2. ADP121 WLCSP具有固定输出电压， 1.8 V

应用

手机

数码相机和音频设备

便携式和电池供电设备

交直流 - 直流调节

邮政监管

概述

ADP121是一款静态电流，低压差线性稳压器

从2.3 V至5.5 V ，并提供高达为150 mA

输出电流。低135 mV的电压差在150mA

负载来提高效率，使器件在很宽

输入电压范围。低30 μA的静态电流，在全

负载使得ADP121非常适合电池供电的便携式

设备。

该ADP121在16种固定输出电压选项

范围从1.2 V至3.3 V的部分进行优化，稳定

操作小1 μF陶瓷输出电容器。该

ADP121提供良好的瞬态性能与最低

电路板面积。

短路保护和热过载保护电路

避免在不利条件下受损。该ADP121提供

在一个微小的5引脚TSOT和4球间距为0.4mm WLCSP封装

年龄和利用的最小尺寸解决方案，以满足

各种便携式应用。

第0版

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06901-002

ADP121

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

典型应用电路............................................... ............. 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 5

热数据................................................ ................................ 5

热阻................................................ ...................... 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和功能描述........................... 6

典型性能特征.............................................. 7

工作原理............................................... ....................... 11

应用信息................................................ .............. 12

电容选择................................................ .................... 12

欠压锁定................................................ ............... 13

启用功能................................................ ............................ 13

电流限制和热过载保护................. 14

散热注意事项................................................ ............ 14

印刷电路板布局考虑....................... 17

外形尺寸................................................ ....................... 18

订购指南................................................ .......................... 19

修订历史

7/08—Revision

0 ：初始版

第0版|第20页2

ADP121

特定网络阳离子

= (V

OUT

+ 0.5V）或2.3 V ，以较大者为准; EN = V

; I

OUT

= 10毫安;

= C

OUT

= 1 μF ;牛逼

= 25 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

输入电压范围

工作电源电流

符号

GND

条件

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 0 μA

OUT

= 0 μA ，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 10毫安

OUT

= 10毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 150毫安

OUT

= 150毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

EN = GND

EN = GND ，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 10毫安

100 μA <我

OUT

< 150毫安，

= (V

OUT

+ 0.5 V）至5.5 V

100 μA <我

OUT

< 150毫安，

= (V

OUT

+ 0.5 V）至5.5 V

= -40 ° C至+ 125°C

= (V

OUT

+ 0.5 V）至5.5 V，I

OUT

= 1毫安

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 1 mA至150毫安

OUT

= 1 mA至150毫安

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 3.3 V

OUT

= 10毫安

OUT

= 10毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 150毫安

OUT

= 150毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 10毫安

OUT

= 10毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 150毫安

OUT

= 150毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 3.3 V

民

2.3

典型值

0.1

1.5

最大

5.5

单位

μA

关断电流

固定输出电压精度

GND -SD

OUT

规

线路调整

负载调整率

OUT

0.03

0.001

+0.03

%/ V

％ / mA的

0.005

输入输出电压差

TSOT

降

120

180

135

160

120

225

150

1.2

0.4

0.05

2.25

1.5

120

350

WLCSP

启动时间

限流门限

热关断

热关断阈值

热关断迟滞

EN输入

EN输入逻辑高电平

EN输入逻辑低

EN输入漏电流

欠压锁定

输入电压崛起

输入电压下降

迟滞

输出噪声

启动

极限

SD- HYS

我泄漏

UVLO

上升

UVLO

秋天

UVLO

HYS

OUT

噪音

μs

°C

μA

升起

2.3 V ≤ V

≤ 5.5 V

2.3 V ≤ V

≤ 5.5 V

EN = VIN或GND

EN = VIN或GND ，T

= -40 ° C至+ 125°C

10赫兹至100千赫兹，V

= 5 V, V

OUT

= 3.3 V

10赫兹至100千赫兹，V

= 5 V, V

OUT

= 2.5 V

10赫兹至100千赫兹，V

= 5 V, V

OUT

= 1.2 V

μV RMS

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ADP121

参数

电源抑制比

符号

PSRR

条件

10千赫，V

= 5 V, V

OUT

= 3.3 V

10千赫，V

= 5 V, V

OUT

= 2.5 V

10千赫，V

= 5 V, V

OUT

= 1.2 V

= -40 ° C至+ 125°C

民

典型值

最大

单位

μF

输入和输出电容

最小输入和输出电容

电容的ESR

帽

民

ESR

0.70

0.001

基于使用1毫安和100mA负载的一端点计算。参见图6为典型负载调节性能的负载小于1mA 。

电压差被定义为当输入电压被设置为标称输出电压的输入 - 输出电压差。这仅适用于输出

电压高于2.3 V.

启动时间被定义为EN的上升沿到VOUT是在90％的标称值之间的时间。

限流阈值被定义为输出电压下降到90％的指定的典型值的电流。例如，电流限制为3.0 V

输出电压被定义为当前使输出电压下降为3.0V至90％，或2.7 V.

最小输入和输出电容应大于0.70 μF的整个范围内的运行条件。全范围的操作条件

应用程序必须在设备的选择来考虑，以确保最小电容要求。 X7R和X5R型电容建议;

Y5V和Z5U电容不推荐在任何LDO使用。

第0版|第20页4

ADP121

绝对最大额定值

表2中。

参数

VIN至GND

VOUT到GND

EN到GND

存储温度范围

工作结温范围

焊接条件

等级

0.3 V至6 V

-0.3 V至VIN

0.3 V至6 V

-65 ° C至+ 150°C

-40 ° C至+ 125°C

JEDEC J- STD- 020

在PCB材料，布局和环境条件。该

θ的值规定

是基于一个4层，4“ × 3”，电路

板。请参阅JESD 51-7和51-9 JESD详细

在董事会建设的信息。有关其他

信息，请参阅AN- 617应用笔记，

MicroCSP

晶圆

级芯片规模封装。

是结到电路板的热特性参数

在° C / W测量。 Ψ

基于建模和计算

采用四层板。该JESD51-12

准则报告

并使用封装热信息

说热

特性参数是不一样的热

电阻。 Ψ

测量元件功率

通过多个热路径，而不是一个单一的路径作为

热阻， θ

。因此， Ψ

热通路中包括

对流从封装的顶部以及辐射

从包装中，这些因素使得Ψ

在现实更有用

世界的应用。最大的T

从板计算

温度（T

）和P

使用下面的公式：

+ (P

× Ψ

)

请参考JESD51-8和JESD51-12更详细

关于Ψ信息

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

热数据

绝对最大额定值仅适合单独应用，而不是在

组合。该ADP121可能会被损坏，当结

温度超过极限。监测室内的环境

温度不保证那件T

是在规定的

温度限制。在高功耗应用

和耐热性较差，最高环境温度

可能要降级。在中等功率应用

耗散和PCB热阻较低，最高

环境温度可能超过最大限制，只要

随着结温范围内的技术指标。该

结温（T

）该装置的依赖于

环境温度（T

），该装置的功率耗散

），并在该结点至环境热阻

包（ θ

). T

由下式计算

和P

使用下面的公式：

+ (P

× θ

)

结到环境的热阻， θ

是基于

采用四层板的建模和计算。该

结点至环境热阻高度依赖

上的应用程序和电路板布局。在应用中，高

最大功率耗散存在，密切关注热

电路板设计是必需的。 θ的值

可能会发生变化，这取决于

热阻

和

对于最坏情况的条件下被指定，也就是一个

器件焊接在电路板上进行表面贴装封装。

表3中。

套餐类型

5引脚TSOT

4球间距为0.4mm WLCSP

170

260

单位

° C / W

ESD警告

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