最终科幻
Am28F020A
2兆位（ 256千×8位）
CMOS 12.0伏，整体擦除闪存与嵌入式算法
特色鲜明
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
CMOS低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 最大100 μA待机电流
- 没有数据保持功耗
s
兼容JEDEC标准的字节宽
32引脚引脚EPROM
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
s
100,000次写/擦除周期最短
s
写入和擦除电压12.0 V
±5%
s
闩锁的保护为100 mA
-1 V到V
CC
+1 V
s
嵌入式擦除电气批量芯片擦除
- 五秒钟的典型芯片擦除，包括
预编程
s
嵌入式程序
- 14 μs的典型字节的程序，包括超时
- 4秒典型芯片项目
s
命令寄存器架构
微处理器/微控制器兼容
写接口
s
芯片上地址和数据锁存器
s
先进的CMOS闪存技术
- 低成本的单晶体管存储单元
s
嵌入式算法完全自定时
写/擦除操作
，提供嵌入式Algo-这个家庭内部的设备
rithms使用同一命令集。此报价
设计者能够灵活地保持相同的设备脚踏
印刷和命令集，在之间的任何密度
256千位和2兆比特。
AMD的闪存技术，可靠地保存存储器CON-
即使经过10万次擦除和编程帐篷。
AMD的存储单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外，该组合
先进的隧道氧化处理，低灰
内部电场的擦除和编程能操作
ations产生可靠的自行车。该Am28F020A用途
一个12.0 ±5 ％的V
PP
提供输入来执行擦除和
编程功能。
最高程度的闩锁保护的实现
与AMD专有的非外延工艺。闭锁亲
tection提供了一种用于压力高达100毫安
地址和数据引脚从-1至V
CC
+1 V.
AMD的闪存技术，结合多年的EPROM
和EEPROM经验，以产生最高水平的
的质量，可靠性和成本效益。该
Am28F020A同时电擦除所有的位
使用福勒- Nordheim隧穿。该字节
在一次编程一个字节使用EPROM
热电子注入编程机制。
概述
该Am28F020A是2兆位闪存奥尔加
认列256 KB的每个8位。 AMD的闪存存储器
法制前提提供最具成本效益和可靠的读取/
写非易失性随机存取MEMOR年。该
Am28F020A封装在32引脚PDIP ，PLCC以及
TSOP版本。它被设计成可重新编程和
删除在系统或标准EPROM编程器。
从出厂时的Am28F020A被删除
该工厂。
该标准Am28F020A提供了存取时间
快70纳秒，允许高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线conten-
化，该设备具有单独的芯片使能（CE
#
）和
输出使能（ OE
#
）控制。
AMD的闪存EPROM增强功能
在电路中的电擦除和编程。该
Am28F020A使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中，在保持
最大的EPROM的兼容性。
吨他一平方米8F0 20A ISC OMP ATI BL EWI日前作AM
Am28F256A ， Am28F512A和Am28F010A闪光
回忆。在Am28Fxxx系列后续的所有设备
JEDEC的32引脚引脚排列标准。此外，所有的
出版＃
17502
启：
D
Amendment/+1
发行日期：
1998年1月
嵌入式程序
该Am28F020A是使用字节可编程
嵌入式程序算法，它不需要
该系统超时或验证编程的数据。
这种典型的室温下的编程时间
设备是四秒钟。
嵌入式擦除
整个设备采用嵌入式批量删除
擦除算法，它会自动程序
整个阵列之前，电擦除。定时和ver-
电擦除的ification控制内部的
装置。典型的擦除时间在室温下为五
秒，包括预编程。
比较有Flasherase和Flashrite算法嵌入式算法
Am28F020A与
嵌入式算法
嵌入式
程序设计
与算法
Flashrite
程序设计
算法
AMD的嵌入式编程算法
要求用户只能写一个程序
建立命令和程序命令
（节目数据和地址）。该装置
次自动编程
脉冲宽度，验证程序，并
计数序列的数目。一个状态
位，数据＃查询，提供与用户
编程操作状态。
采用AMD Flashrite Am28F020
和Flasherase算法
该Flashrite编程算法要求
用户编写的程序设置命令，程序
命令（程序数据和地址） ，和一个
程序校验命令，接着读，
比较操作。到时候用户需要
为了发出编程脉冲宽度
程序校验命令。集成的停止计时器
防止overprogramming的任何可能性。
在此过程的完成，该数据被读
从装置背面和比较通过与用户
意将要写入的数据;如果没有一个
比赛，该序列被重复，直到有一个
匹配，否则重复了25次。
该Flasherase擦除算法要求对器件
被完全执行一个之前编程
擦除命令。
调用的擦除操作中，用户写入一个
擦除设置命令，擦除命令，和一个
擦除校验命令。用户需要的时间
擦除脉冲宽度，以发出所述擦除
验证命令。集成的定时器停止阻止
过度擦除的任何可能性。
在此过程的完成，该数据被读
从装置背面和比较通过与用户
删除的数据。如果不存在匹配，则该序列是
重复进行，直到有一个匹配或者该序列具有
被重复1,000次。
嵌入式擦除
与算法
Flasherase擦除
算法
AMD的嵌入式擦除算法
要求用户只能写一个擦除设定
命令和擦除命令。该
设备会自动预先计划和
验证整个阵列。然后设备
自动倍擦除脉冲宽度，
验证擦除操作，和计数
序列的数目。状态位，
数据＃查询，提供了与用户
擦除操作的状态。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机，
控制该擦除和编程电路。
在写周期中，指令寄存器内部
锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。系统设计
简化， Am28F010A被设计为支持
要么我们
#
或CE
#
控制写入。在一个系统
写周期，地址锁存下降沿
我们的
#
或CE
#
，以先到为准过去。数据被锁存
在WE的上升沿
#
或CE
#
，以先到为准
第一。为了简化下面的讨论中，我们
#
针
作为在整个写周期控制销
剩下的这个文本。所有的建立和保持时间与
对于我们
#
信号。
2
Am28F020A
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