HELP4
特点
TM
E800 （波段20 ）
LTE线性PAM
数据表 - 版本2.3
ALT6720
LTE标准
第四代HELP
TM
Technology
高效率（ LTE MPR = 0 dB为单位） ：
36 % @ P
OUT
= +27.5 dBm
23 % @ P
OUT
= +16 dBm
16 % @ P
OUT
= +7 dBm
ALT6720
低静态电流： 3毫安
低漏电流的关断模式： <5 μA
内部稳压器
综合“菊花链式”定向耦合器
与CPL
IN
和CPL
OUT
端口。
在IN / OUT RF端口内部DC块
Optimized for a 50 System
1.8 V Control Logic
RoHS Compliant Package, 260
o
C MSL-3
M45包
10引脚3毫米x 3毫米×1毫米
表面贴装模块
应用
Band 20 LTE Wireless Devices
产品说明
TM
GND在蛞蝓（ PAD）
TM
在ALT6720 HELP4 PA是第四代HELP
product for LTE devices operating in E800 MHz Band
20.本PA采用ANADIGICS的HELP4
TM
技术，在低提供卓越的效率
功率水平和不低静态电流
无需外部稳压器或转换器。
该设备采用先进的制造InGaP-
PLUS
TM
HBT技术，提供先进设备，最先进的
可靠性，温度稳定性和耐用性。
三种可选的偏置模式，优化效率
针对不同的输出功率水平和一个关闭
低漏电流增加手机模式
通话和待机时间。 A“菊花链式”定向
耦合器被集成在模块中，因此可以消除
外部耦合器的需要。自含式
3毫米x 3毫米x 1毫米表面贴装封装
采用了优化的输出匹配网络
的功率，效率，和在50的线性
系统。
V
BATT
1
10
V
CC
RF
IN
2
CPL
9
RF
OUT
V
MODE2
3
偏置控制
电压调节
8
CPL
IN
V
MODE1
4
7
GND
V
EN
5
6
CPL
OUT
图1 ：框图
03/2012
ALT6720
电气特性
表2 ：绝对最小和最大额定值
参数
电源电压（V
CC
)
电池电压（V
BATT
)
控制电压（V
MODE1
, V
MODE2
, V
EN
)
RF输入功率（P
IN
)
存储温度（T
英镑
)
民
0
0
0
-
-40
最大
+5.0
+6
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
-dBm
°C
过量的绝对收视率的压力可能会造成永久性的损害。
功能操作并不在这些条件下暗示。曝光
为长时间可能造成不利影响的绝对收视率
可靠性。
表3 ：工作范围
参数
工作频率（f ）
电源电压（V
CC
)
使能电压（V
EN
)
模式控制电压（V
MODE1
,V
MODE2
)
LTE / UMTS输出功率
(1, 2, 3)
LTE （MPR = 0）， HPM
LTE （MPR = 0） ，MPM
LTE （MPR = 0）后，LPM
外壳温度（T
C
)
民
832
+3.1
+1.35
0
+1.35
0
26.7
-
-
-40
典型值
-
+3.4
+1.8
-
+1.8
-
27.5
16.0
7.0
-
最大
862
+4.35
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
-
-
-
+90
单位
兆赫
V
V
V
P
OUT
≤ 27.5 dBm的
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
评论
DBM
°C
TS 36.101相对8
该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数性能只比保
在电气规范中定义的条件。
注意事项：
（1） LTE的波形特性高达20MHz的QPSK ， 18的RB 。
（ 2 ）对于3.1 V工作电压P
OUT
降额0.8分贝。
（3）为操作在105
°C,
P
OUT
由1.0分贝降额。
3
数据表 - 版本2.3
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ALT6720
表4 ：电气规格 - LTE运营（ MPR = 0时的波形， 10 MH
Z
QPSK ， 12 RB的）
(T
C
= +25 °C, V
CC
= +3.4 V, V
BATT
= +3.4 V, V
EN
= +1.8 V, 50
系统）
参数
民
27.5
17
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
32
19
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
30
20
13
-39
-39
-40
-40
-39
-41
-60
-60
-60
36
23
16
2.5
0.07
0.03
0.8
<5
-132
-138
-143
-50
-62
20.5
20
<0.3
最大
33.5
23
16
-35
-35
-35
-36
-36
-36
-40
-40
-40
-
-
-
4
0.15
0.1
1.5
10
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
评论
P
OUT
27.5 dBm的
+16 dBm的
+7 dBm的
27.5 dBm的
+16 dBm的
+7 dBm的
27.5 dBm的
+16 dBm的
+7 dBm的
27.5 dBm的
+16 dBm的
+7 dBm的
27.5 dBm的
+16 dBm的
+7 dBm的
通过V
CC
针
V
MODE1
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
1.8 V
V
MODE2
0V
0V
1.8 V
0V
0V
1.8 V
0V
0V
1.8 V
0V
0V
1.8 V
0V
0 V
1.8 V
1.8 V
收益
dB
LTE到LTE ， E- UTRA
dBc的
UTRA ACLR1
dBc的
UTRA ACLR2
dBc的
功率附加英法fi效率
(1)
静态电流（WinSock ）
低偏置模式
模式控制电流
当前启用
BATT电流
漏电流
%
mA
mA
mA
mA
A
通过V
模式
销，V
MODE1,2
= +1.8 V
通过V
EN
针
通过V
BATT
针，V
MODE1,2
= +1.8 V
V
BATT
= +4.35 V, V
CC
= +4.35 V,
V
EN
= 0 V, V
MODE1,2
= 0 V
噪声功率
谐波
2fo
3fo ， 4fo
耦合系数
指向性
菊花链插入损耗
791 - 821兆赫
dBm / Hz表示GPS乐队， 1574年至1577年兆赫
ISM频段， 2400 - 2483.5 MHz的
P
OUT
< 27.5 dBm的
dBc的
dB
dB
dB
698 - 2620兆赫
引脚8至9，关断模式
P
OUT
< 27.5 dBm的
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10：1的
适用于在所有工作条件
适用于在整个工作范围
杂散输出电平
（所有杂散输出）
负载失配应力随
没有永久退化或
失败
-
-
-70
dBc的
8:1
-
-
VSWR
注意事项：
（1）的ACLR和效率的测定在847兆赫。
4
数据表 - 版本2.3
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ALT6720
应用信息
为了确保适当的性能，是指所有相关
在ANADIGICS网站报名须知：
http://www.anadigics.com
关断模式
功率放大器可被置于关断模式
运用逻辑低的水平（见工作范围
表）至V
EN
, V
MODE1
和V
MODE2
电压。
偏置模式
功率放大器可以被放置在任何低，
中等或高偏置模式通过应用
适当的逻辑电平（见工作范围表）
于V
模式
销。下面列出了偏置控制表
操作的推荐模式，关于各种
应用程序。
三种操作模式，建议优化
电流消耗。高偏置/高功率运行
模式是用于P
OUT
levels > 16 dBm. At ~16 dBm - 7 dBm,
该PA可以切换到中等功率模式。为
P
OUT
levels < ~7 dBm, the PA could be switched to Low
电源模式极低的电流消耗。
表5 ：偏置控制
应用
低功耗
（低偏置模式）
医学功率
（中偏置模式）
高功率
（高偏置模式）
关闭
P
OUT
水平
= +7 dBm的
= +7 dBm的
= +16 dBm的
= +16 dBm的
-
BIAS
模式
低
低
高
关闭
V
EN
+1.8 V
+1.8 V
+1.8 V
0V
V
MODE1
+1.8 V
+1.8 V
0V
0V
V
MODE2
+1.8 V
0V
0V
0V
V
CC
3.2 - 4.35 V
3.2 - 4.35 V
3.2 - 4.35 V
3.2 - 4.35 V
V
BATT
> 3.2 V
> 3.2 V
> 3.2 V
> 3.2 V
V
BATT
C6
2.2 F
RF
IN
V
MODE2
V
MODE1
V
EN
(1)
C1
0.01F
C5
100 pF的
GND在塞
1
2
3
4
5
C3
330 pF的
10
9
8
C2
0.01 F
C4
2.2 μF的陶瓷
V
CC
V
BATT
RF
IN
V
MODE2
V
MODE1
V
EN
V
CC
RF
OUT
CPL
IN
RF
OUT
CPL
IN
CPL
OUT
GND
7
CPL
OUT
6
注意事项：
（ 1 ）上升和下降时间在V
EN
控制信号必须≤ 1.0 μS 。
图3 ：评估板电路图
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数据表 - 版本2.3
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