HELP4
特点
TM
UMTS700 （频段13 & 14 ）
LTE线性PAM
数据表 - 版本2.7
ALT6713
LTE标准
第四代HELP
TM
Technology
高效率（ LTE MPR = 0 dB为单位） ：
35 % @ P
OUT
= +27.5 dBm
18 % @ P
OUT
= +16 dBm
12 % @ P
OUT
= +6 dBm
ALT6713
低静态电流： 3毫安
低漏电流的关断模式： <5 μA
内部稳压器
综合“菊花链式”定向耦合器
与CPL
IN
和CPL
OUT
端口。
Optimized for a 50 System
1.8 V Control Logic
RoHS Compliant Package, 260
o
C MSL-3
M45包
10引脚3毫米x 3毫米×1毫米
表面贴装模块
应用
Band 13 & 14 LTE Wireless Devices
产品说明
The ALT6713 HELP4
TM
PA is a 4th generation HELP
TM
product for LTE devices operating in UMTS 700 MHz
Bands 13 and 14. This PA incorporates ANADIGICS’
HELP4
TM
技术，可提供出色的效率
在低功率水平和无低静态电流
无需外部稳压器或转换器。
该设备采用先进的制造InGaP-
PLUS
TM
HBT技术，提供先进设备，最先进的
可靠性，温度稳定性和耐用性。
三种可选的偏置模式，优化效率
针对不同的输出功率水平和一个关闭
低漏电流增加手机模式
通话和待机时间。 A“菊花链式”定向
耦合器被集成在模块中，因此可以消除
外部耦合器的需要。自含式
3毫米x 3毫米x 1毫米表面贴装封装
采用了优化的输出匹配网络
的功率，效率，和在50的线性
系统。
GND在蛞蝓（ PAD）
V
BATT
1
10
V
CC
RF
IN
2
CPL
9
RF
OUT
V
MODE2
3
偏置控制
电压调节
8
CPL
IN
V
MODE1
4
7
GND
V
EN
5
6
CPL
OUT
图1 ：框图
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ALT6713
电气特性
表2 ：绝对最小和最大额定值
参数
电源电压（V
CC
)
电池电压（V
BATT
)
控制电压（V
MODE1
, V
MODE2
, V
EN
)
RF输入功率（P
IN
)
存储温度（T
英镑
)
民
0
0
0
-
-40
最大
+5
+6
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
-dBm
°C
过量的绝对收视率的压力可能会造成永久性的损害。
功能操作并不在这些条件下暗示。曝光
为长时间可能造成不利影响的绝对收视率
可靠性。
表3 ：工作范围
参数
工作频率（f ）
电源电压（V
CC
)
开启电压（V
EN
)
模式控制电压（V
MODE1
,V
MODE2
)
输出功率（ UMTS ）
LTE
(1)
(MPR=0), HPM
LTE
(1)
(MPR=0), MPM
LTE
(1)
(MPR=0), LPM
外壳温度（T
C
)
民
777
+3.2
+1.35
0
+1.35
0
27
(2)
15.5
(2)
-
-30
典型值
-
+3.4
+1.8
-
+1.8
-
27.5
16
6
-
最大
798
+4.35
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
-
-
-
+90
单位
兆赫
V
V
V
P
OUT
< +27.5 dBm
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
评论
DBM
°C
TS 36.101 Rel 8 for LTE
该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数性能只比保
在电气规范中定义的条件。
注意事项：
（1） LTE的波形特征： 10兆赫的QPSK ， 12的RB 。
(2) P
OUT
降额0.5分贝为3.2 V工作电压。
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数据表 - 版本2.7
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ALT6713
表4 ：电气规格 - LTE运营（ MPR = 0dB为波形， 10 MH
Z
QPSK ， 12包）
(T
C
= +25 °C, V
CC
= +3.4 V, V
BATT
= +3.4 V, V
EN
= +1.8 V， 50 Ω系统）
参数
民
28
14
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
31
14
9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
31
17
11
-40
-38
-45
-41
-40
-45
-64
-60
-66
35
18
12
3
0.08
0.1
0.8
4
-131
-138
-145
-47
-62
20
19
<0.35
最大
34
20
14
-35
-35
-35
-37
-36
-37
-40
-40
-40
-
-
-
4.5
0.15
0.2
1.5
10
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
评论
P
OUT
+27.5 dBm
+16 dBm
+6 dBm
+27.5 dBm
+16 dBm
+6 dBm
+27.5 dBm
+16 dBm
+6 dBm
+27.5 dBm
+16 dBm
+6 dBm
+27.5 dBm
+16 dBm
+6 dBm
V
MODE1
0 V
1.8 V
1.8 V
0 V
1.8 V
1.8 V
0 V
1.8 V
1.8 V
0 V
1.8 V
1.8 V
0 V
1.8 V
1.8 V
V
MODE2
0 V
0 V
1.8 V
0 V
0 V
1.8 V
0 V
0 V
1.8 V
0 V
0 V
1.8 V
0 V
0 V
1.8 V
1.8 V
收益
dB
LTE到LTE ， E- UTRA
dBc的
UTRA ACLR1
dBc的
UTRA ACLR2
dBc的
功率附加效率
(1)
静态电流（WinSock ）
低偏置模式
模式控制电流
当前启用
BATT电流
漏电流
%
mA
mA
mA
mA
A
通过V
CC
销1.8 V
通过V
模式
销，V
MODE1,2
= +1.8 V
通过V
EN
针
通过V
BATT
针，V
MODE1,2
= +1.8 V
V
BATT
= +4.35 V, V
CC
= +4.35 V,
V
EN
= 0 V, V
MODE1,2
= 0 V
噪声功率
谐波
2fo
3fo, 4fo
耦合系数
指向性
菊花链插入损耗
746 MHz to 768 MHz
dBm / Hz表示GPS频段， 1574 MHz至1577 MHz的
ISM Band, 2400 MHz to 2483.5 MHz
P
OUT
< +27.5 dBm
dBc的
dB
dB
dB
698 MHz through 2620 MHz
Pin 8 through 9, shutdown mode
P
OUT
< +27.5 dBm
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10：1的
适用于在所有工作条件
适用于在整个工作范围
杂散输出电平
（所有杂散输出）
负载失配应力随
没有永久退化或
失败
-
-
-70
dBc的
8:1
-
-
VSWR
注意事项：
（ 1 ）和ACLR测量的效率，在787兆赫。
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数据表 - 版本2.7
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ALT6713
为了确保适当的性能，是指所有相关
在ANADIGICS网站报名须知：
http://www.anadigics.com
关断模式
功率放大器可被置于关断模式
运用逻辑低的水平（见工作范围
表）至V
EN
, V
MODE1
和V
MODE2
电压。
偏置模式
功率放大器可以被放置在任何低，
中等或高偏置模式通过应用
Vcontrols
维纳布尔/ VMODE （ S）
上升/下降最大1
S
在10％的定义为90％的
的最小/最大电压
关闭顺序启动
T_0FF = 0μ
应用信息
适当的逻辑电平（见工作范围表）
于V
模式
销。下面列出了偏置控制表
操作的推荐模式，关于各种
应用程序。
三种操作模式，建议优化
电流消耗。高偏置/高功率运行
模式是用于P
OUT
levels > 16 dBm. At ~16 dBm - 6 dBm,
该PA可以切换到中等功率模式。为
P
OUT
levels < ~6 dBm, the PA could be switched to Low
电源模式极低的电流消耗。
在顺序启动
T_0N = 0μ
关于序列
关闭顺序
RF
IN
注1,2
V
EN
V
CC
注1
T_0N+1S
T_0N+3S
T_0FF + 2μS T_0FF + 3μS
引用后90 ％的上升
时间
注意事项：
（1）后的RF为ON电平可以改变。
（2）定义为引脚≤ -30 dBm的RF关闭。
V （3）同步开关
模式
和V
EN
不推荐
图3 ：最低推荐ON / OFF时序
秋天的引用Before10 ％
时间
表5 ：偏置控制
应用
低功耗
（低偏置模式）
医学功率
（中偏置模式）
高功率
（高偏置模式）
关闭
P
OUT
水平
< +6 dBm
> 6 dBm
< +16 dBm
> +16 dBm
-
BIAS
模式
低
低
高
关闭
V
EN
+1.8 V
+1.8 V
+1.8 V
0 V
V
MODE1
+1.8 V
+1.8 V
0 V
0 V
V
MODE2
+1.8 V
0 V
0 V
0 V
V
CC
3.2 - 4.35 V
3.2 - 4.35 V
3.2 - 4.35 V
3.2 - 4.35 V
V
BATT
> 3.2 V
> 3.2 V
> 3.2 V
> 3.2 V
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